薄膜开关及薄膜开关按键制造技术

技术编号:4432049 阅读:159 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种薄膜开关及薄膜开关按键,该薄膜开关包含下薄膜、上薄膜以及至少一凸出结构。下薄膜的顶面设有至少一下导电体。上薄膜设置于下薄膜的上方且与该下薄膜之间具有一定间距,该上薄膜的底面设有至少一上导电体,该上导电体对应于该下导电体的位置,且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距。凸出结构设置于上薄膜的顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度,该凸出结构的位置对应于上导电体。当按压凸出结构时,可压迫上薄膜下沉,使上导电体与下导电体接触而形成电性导通。通过本实用新型专利技术,可确实加强薄膜开关作动功能及准确性。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术有关于一种薄膜开关及薄膜开关按键,尤指一种可加强薄膜开 关作动功能及准确性的薄膜开关及薄膜开关按键。
技术介绍
薄膜开关(thin film switch)由于体积轻薄,因此近年来被广泛应用于各 种电子产品,尤其薄膜开关于按压时所产生的声响极小,尤适用于各种装置之 按键或键盘。请参阅图i,图i为习知的一种具有薄膜开关的4要^:结构。该薄膜开关io包含两薄膜ll、 12,以及位于该两薄膜ll、 12间的绝缘薄膜13,在该两薄膜 11、 12相对面的相对应位置分别设有导电体111、 121,在该薄膜开关10上方 设有薄膜式按键20,该类薄膜式按键20与该薄膜开关10之间存在一定安全 间距D1以避免误触。请参阅图2,图2为按压图1所示的薄膜式按键的剖面 结构示意图。在理想状况下,若使用者手指30准确触压于导电体111、 in 位置,可使得两导电体lll、 121接触而顺利导通电路,但由于该薄膜式按键 20的覆盖,而导电体lll、 121体积又小,即使在该薄膜式按键20表面设置 有指示点等标示图案,使用者手指30仍然无法准确施力于导电体111、 121 上,往往必须经过多次触压方能正确触动该薄膜开关10,不仅浪费时间,同 时容易造成该薄膜式按键20,尤其薄膜式按键20的刚性较弱,若使用者按压 力量不足,也无法顺利触动导电体111、 121。
技术实现思路
有鉴于上述的技术问题,本技术提出一种薄膜开关及薄膜开关按键, 可加强薄膜开关作动功能及准确性。为达到上述目的,本技术提出一种薄膜开关,其包含下薄膜、上薄膜 以及至少一凸出结构。下薄膜的顶面设有至少一下导电体。上薄膜设置于下薄 膜的上方且与该下薄膜之间具有一定间距,该上薄膜的底面设有至少一上导电 体,该上导电体对应于该下导电体的位置,且该上导电体与该下导电体之间具 有一定间距。凸出结构设置于上薄膜的顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度, 该凸出结构的位置对应于该上导电体。当按压凸出结构时,可压迫上薄膜下沉,4使上导电体与下导电体接触而形成电性导通。为达到上述目的,本技术还提出一种薄膜开关按键,其包含薄膜开关 和按键。薄膜开关包括下薄膜、上薄膜以及至少一凸出结构;下薄膜的顶面设有至少一下导电体;上薄膜设置于下薄膜的上方且与该下薄膜之间具有一定间 距,该上薄膜的底面设有至少一上导电体,该上导电体对应于该下导电体的位 置,且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距;凸出结构设置于上薄膜的 顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度,该凸出结构的位置系对应于该上导电 体。按键设置于薄膜开关上方,且对应于该凸出结构设置处。当按压按键时, 该按键可触压该凸出结构,并同时压迫该上薄膜下沉,使该上导电体与该下导 电体接触而形成电性导通。通过本技术,可确实加强薄膜开关作动功能及准确性。附图说明图1为习知薄膜开关配合薄膜式按键的剖面结构示意图。 图2为按压图1所示薄膜式按键的剖面结构示意图。 图3为本技术的薄膜开关配合薄膜式按键的剖面结构示意图。 图4及图5分别为按压图3所示薄膜式按键的剖面结构示意图。具体实施方式以下将参照随附的图式来描述本技术为达成目的所使用的技术手段 与功效,而以下图式所列举的实施方式仅为辅助说明,以利贵审查委员了解, 但本案的技术手段并不限于所列举图式。请参阅图3,图3为本技术一实施例的薄膜开关配合薄膜式按4定的剖 面结构示意图。薄膜开关40包含下薄膜42、上薄膜41,下薄膜"及上薄膜 41设有电路(图中未示出)。下薄膜42的顶面设有下导电体4n。上薄膜41 设置于下薄膜42的上方且与下薄膜42之间具有一定间距。在上薄膜"的底 面设有上导电体411,上导电体411对应于下导电体421的位置,且该上导电 体411与该下导电体421之间具有一定间距。下薄膜42与上薄膜41之间设有 绝缘薄膜43,该绝缘薄膜43相对应于该上导电体411及下导电体"1的位置 设有透空部431,上导电体411与下导电体421可透过该透空部431接触而形 成电性导通。同样地,绝缘薄膜43与该上导电体411及下导电体421之间均 具有一定间距。上述间距的设置均是为了避免误接触而导致误动作。上薄膜41顶面对应于上导电体411位置处设有凸出结构44,凸出结构44凸出于该上薄膜41顶面一定高度Hl,且该高度H1大于该绝缘薄膜43的厚度 H2,且凸出结构44所占面积Wl不大于该上导电体411的面积W2。凸出结构 44可以印刷或黏贴方式成型于该上薄膜41的顶面,且该凸出结构44的材质 不限,具有一定硬度,在受压时不致变形即可。在薄膜开关40上方设有薄膜 式按键20,该薄膜式按4建20与该薄膜开关40之间存在一定安全间距D2以避 免误触。薄膜式按键20对应于凸出结构44设置处,且该薄膜式按键20表面 通常设置有指示点等标示图案,以指示使用者可正确按压于对应上导电体411 位置。请参阅图4,图4为按压图3所示薄膜式按^fc的剖面结构示意图。当使用 者手指30按压薄膜式按键20时,该薄膜式按键20可先触碰到凸出结构44, 而后该凸出结构44可压迫上薄膜41下沉,使上导电体411与下导电体421 接触而形成电性导通,并同时电性导通设置于该下薄膜42及上薄膜41的电路。 透过凸出结构44的设置,使用者以较轻的力量按压该薄膜式按键20即可,操 作较为简便。同时,薄膜式按键20受按压时的变形量较小,因此可降低薄膜 式按键20损坏率,延长使用寿命。请参阅图5,图5为按压图3所示薄膜式按4建的剖面结构示意图。透过凸 出结构44的设置,即使使用者手指30未准确按压于上导电体411位置时,由 于薄膜式按键20可下压凸出结构44,进而由该凸出结构44压迫该上薄膜41 下沉,使该上导电体411与该下导电体421接触而形成电性导通。换言之,使 用者无须重复多次按压薄膜式按键20即可使得薄膜开关40准确作动,不仅使 得操作更为方便、快速,同时可避免薄膜式按4建20被重复按压而损坏。必须强调说明的是,以上实施例是以薄膜式按键20为说明例,除此之外, 本技术所提供的薄膜开关40也可应用于剪刀式结构按键或一般橡皮按 键,其作动原理相同,因此不予赘述。综上所述,本技术提供的薄膜开关及薄膜开关^4建,可加强薄膜开关 作动功能及准确性,使得操作更为方便快速,同时降低按键的损坏机率。权利要求1.一种薄膜开关,包含下薄膜和上薄膜,该下薄膜的顶面设有至少一下导电体,该上薄膜设置于该下薄膜的上方且与该下薄膜之间具有一定间距,该上薄膜的底面设有至少一上导电体,该上导电体对应于该下导电体的位置,且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距,其特征在于该薄膜开关还包含至少一凸出结构,该凸出结构设置于该上薄膜的顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度,该凸出结构的位置对应于该上导电体;当按压该凸出结构时,该上薄膜下沉,使该上导电体与该下导电体接触而形成电性导通。2. 根据权利要求1所述的薄膜开关,其特征在于该下薄膜与该上薄膜之间 设有至少一绝缘薄膜,该绝缘薄膜相对应于该上导电体及下导电体的位置 设有透空部,该上导电体与该下导电体透过该透空部接触而形成电性导 通。3. 根据权利要求2所述的薄膜开关,其特征在于该凸出结构凸出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜开关,包含下薄膜和上薄膜,该下薄膜的顶面设有至少一下导电体,该上薄膜设置于该下薄膜的上方且与该下薄膜之间具有一定间距,该上薄膜的底面设有至少一上导电体,该上导电体对应于该下导电体的位置,且该上导电体与该下导电体之间具有一定间距,其特征在于该薄膜开关还包含: 至少一凸出结构,该凸出结构设置于该上薄膜的顶面且凸出于该上薄膜顶面一定高度,该凸出结构的位置对应于该上导电体; 当按压该凸出结构时,该上薄膜下沉,使该上导电体与该下导电体接触而形成电性导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张贤灿
申请(专利权)人:苏州达方电子有限公司达方电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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