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薄膜绝缘芯片铂电阻制造技术

技术编号:4324135 阅读:143 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种薄膜绝缘芯片铂电阻,其特征在于:具有芯片,所述芯片上设有两条引线,所述芯片埋设于绝缘体中,所述引线伸出所述绝缘体外。本实用新型专利技术具有感应面积大、感应温度更灵敏、贴合性好、表面密封度好。体积小,安装比较灵活,适用不同场合物体测温。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种薄膜绝缘芯片钼电阻结构。技术背景现在市场上的钼电阻是把芯片焊接好后,封装在金属管内或陶瓷管内,因为感应 面不大,只是测一个点的温度,而不是测一个面的平均温度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种感应温度灵敏的薄膜绝缘芯片钼电阻结构。为实现本技术目的,本技术技术方案为一种薄膜绝缘芯片钼电阻,其特征在于具有芯片,所述芯片上设有两条引线,所 述芯片埋设于绝缘体中,所述弓I线伸出所述绝缘体外。所述绝缘体为聚酰亚胺薄膜、硅橡胶、塑料薄膜。本技术可广泛用于医疗仪器设备、电机、电力设备、电子等方面。尤其适合用 于平面物体测温。本技术厚度很薄,感应温度灵敏。体积小,安装比较灵活,适用不同场合物体 测温。与金属管封装型电阻相比,本技术具有感应面积大、感应温度更灵敏、贴合性好、 表面密封度好。附图说明图1是本技术结构俯视图图2是本技术结构侧视图具体实施方式如图1、2所示,本技术提供一种薄膜绝缘芯片钼电阻,具有芯片1,芯片1上设 有两条引线3,芯片1埋设于绝缘体2中,引线3伸出绝缘体2外。本技术通过热压合工艺将芯片1埋设于为聚酰亚胺薄膜2内,热压合工艺可 使本技术表面密封度好。本技术安装方便,贴上高温双面胶,可以随意贴在所需要的测温部位。权利要求一种薄膜绝缘芯片铂电阻,其特征在于具有芯片,所述芯片上设有两条引线,所述芯片埋设于绝缘体中,所述引线伸出所述绝缘体外。2.根据权利要求1所述薄膜绝缘芯片钼电阻,其特征在于所述绝缘体为聚酰亚胺薄 膜、硅橡胶、塑料薄膜。专利摘要本技术涉及一种薄膜绝缘芯片铂电阻,其特征在于具有芯片,所述芯片上设有两条引线,所述芯片埋设于绝缘体中,所述引线伸出所述绝缘体外。本技术具有感应面积大、感应温度更灵敏、贴合性好、表面密封度好。体积小,安装比较灵活,适用不同场合物体测温。文档编号H01C7/00GK201576519SQ20092027887公开日2010年9月8日 申请日期2009年11月12日 优先权日2009年11月12日专利技术者谢龙 申请人:谢龙本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜绝缘芯片铂电阻,其特征在于:具有芯片,所述芯片上设有两条引线,所述芯片埋设于绝缘体中,所述引线伸出所述绝缘体外。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:谢龙
申请(专利权)人:谢龙
类型:实用新型
国别省市:32[中国|江苏]

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