接点结构与其形成方法及其接合结构技术

技术编号:4259563 阅读:186 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种接点结构与其形成方法及其接合结构。一种设置在基板上的接点结构,其包括接垫、高分子凸块以及导电层。接垫位于基板上。高分子凸块配置于基板上,而且高分子凸块具有弧状表面以及与弧状表面连接的陡峭面。导电层覆盖高分子凸块,且与接垫电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种接点结构与其接合结构及其形成方法,且特别涉及一种 于接合时容易穿透接合材料且不会产生应力集中的接点结构与其形成方法 及其接合结构。
技术介绍
随着科技进步,各种电子装置朝向小型化及多功能化的方向发展。因此 为了使电子装置中的芯片能传输或接收更多的信号,电性连接于芯片与线路 板之间的接点也朝向高密度化的方向发展。于已知技术中,电性连接芯片与玻璃基板的方法多为先在芯片的接点与玻璃基板的导电结构之间配置各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film, ACF),且芯片的接点与玻璃基板的导电结构皆面向各向异性导电膜。然后, 压合芯片的接点、各向异性导电膜与玻璃基板的导电结构,以通过各向异性 导电膜中的导电颗粒电性连接芯片的每一接点与玻璃基板上与前述接点对 应的导电结构。然而,当芯片的接点密度以及玻璃基板的导电结构的密度增加时,芯片 的接点之间的间距以及玻璃基板的导电结构之间的间距皆缩小。因此,芯片的接点通过各向异性导电膜中的导电颗粒将有可能会与邻近的接点或导电 结构电性连接,进而造成短路或漏电。因此,已有人提出一种表面覆盖有金属层的柱状高分子凸块以做为芯片 的接点结构。而使芯片的接点与玻璃基板的导电结构电性连接的方法是先在 芯片与玻璃基板的导电结构之间配置非导电性黏胶层。然后,将芯片压合于 玻璃基板上,以使柱状高分子凸块贯穿非导电性黏胶而与玻璃基板的导电结 构接触并电性连接。然而,柱状高分子凸块在压合时容易有应力集中的问题,因此易导致金 属层破裂而影响其电性可靠度。
技术实现思路
本专利技术提出 一种接点结构,其所具有的高分子凸块可避免应力集中的问 题且易于贯穿基板之间的接合材料。本专利技术另提出一种接合结构,其电性可靠度较佳。本专利技术还提出 一种形成接点结构的方法,其所形成的接点结构中的高分 子凸块可具有弧状表面以及陡哨面。为具体描述本专利技术的内容,在此提出一种设置在基板上的接点结构,接 点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。接垫位于基 板上。高分子凸块配置于基板上,而且高分子凸块具有弧状表面以及与弧状表面连接的陡峭面,陡哨面与基板的夹角为30度至150度。导电层覆盖高分子凸块,且与接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中,高分子凸块的弧状表面是往远离基板的方向凸出。在本专利技术的一实施例中,高分子凸块的弧状表面是往基板的方向凹入。 为具体描述本专利技术的内容,在此提出一种接点结构,其设置在基板上, 接点结构包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少一导电层。接垫位于 基板上。高分子凸块配置于基板上,其中高分子凸块具有弧状表面、与弧状 表面连接的顶部平面以及与顶部平面连接的陡峭面,陡峭面与基板的夹角为30度至150度。导电层覆盖高分子凸块,且与接垫电性连接。 以下列举可同时适用于上述两种接点结构的实施例。 在本专利技术的 一 实施例中,弧状表面上具有多个凹凸结构。 在本专利技术的一实施例中,导电层全面覆盖或部分覆盖高分子凸块。 在本专利技术的一实施例中,接点结构,还包括保护层,其配置于基板上并暴露出接垫。在本专利技术的一实施例中,高分子凸块配置于接垫上或基板上或同时跨越 在接垫上与基板上。在本专利技术的一实施例中,导电层有一个或多于一个,导电层覆盖在同一 高分子凸块上并分别与对应的接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中,导电层有一个或多于一个,导电层覆盖在同一 高分子凸块上并与同一接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中,位于高分子凸块上的导电层会与一个或多于一个的接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中,位于一个或多于一个的高分子凸块上的导电层 均与同一接垫电性连接。在本专利技术的一实施例中,接点结构还包括高分子保护层,位在基板上且 至少暴露出高分子凸块以及"^姿垫。为具体描述本专利技术的内容,在此提出一种接合结构包括第一基板、第二 基板以及接合材料。第一基板包括至少一接垫、至少一高分子凸块以及至少 一导电层。高分子凸块与接垫对应设置,而且高分子凸块具有弧状表面以及与弧状表面连接的陡峭面,陡峭面与基板的夹角为30度至150度。导电层覆盖高分子凸块,且与接垫电性连接。第二基板上包括设置有至少一导电结 构,而且第一基板上的导电层与导电结构电性连接。接合材料位于第一基板 与第二基板之间,且部分的导电层与高分子凸块贯穿接合材料而与导电结构接触。为具体描述本专利技术的内容,在此提出一种接合结构包括第一基板、第二 基板以及接合材料。其中,第一基板包括至少一接垫、至少一高分子凸块以 及至少一导电层。高分子凸块与接垫对应设置,且高分子凸块具有弧状表面、夹角为30度至150度。导电层覆盖高分子凸块,且与接垫电性连接。第二 基板上包括设置有至少一导电结构,且第一基板上的导电层与导电结构电性 连接。接合材料位于第一基板与第二基板之间,且部分的导电层与高分子凸 块贯穿接合材料而与导电结构接触。在本专利技术的一实施例中,顶部平面具有多个凹凸结构或为平滑结构。以下列举可同时适用于上述两种接合结构的实施例。在本专利技术的一实施例中,接合材料包括紫外线固化接合材料、热固化接 合材料、热塑化接合材料或是上述的组合。在本专利技术的一实施例中,接合材料包括非导电黏着膏、非导电黏着膜、 各向异性导电膏或各向异性导电膜。在本专利技术的一实施例中,接合材料内还包括分布有填充颗粒。在本专利技术的一实施例中,填充颗粒包括导电颗粒或是绝缘颗粒。为具体描述本专利技术的内容,在此提出 一种形成接点结构的方法如下所 述。首先,提供基板,且基板上已形成有至少一接垫。然后,在基板上形成至少一高分子凸块,其中高分子凸块具有弧状表面以及与弧状表面连接的陡峭面,陡峭面与基板的夹角为30度至150度。之后,在基板上形成导电层, 且导电层覆盖高分子凸块并与接垫接触。在本专利技术的一实施例中,形成高分子凸块的方法包括使用灰阶(Gray Level)掩模。为具体描述本专利技术的内容,在此提出 一种形成接点结构的方法如下所 述。首先,提供基板,且基板上已形成有至少一接垫。接着,在基板上形成 至少一高分子凸块,而且高分子凸块具有弧状表面。之后,在基板上形成至 少一导电层,且导电层覆盖部分的高分子凸块。然后,利用导电层作为掩模 移除未被导电层覆盖的高分子凸块,以形成陡峭面,陡峭面与基板的夹角为 30度至150度。在本专利技术的 一 实施例中,形成高分子凸块的方法包括使用灰阶掩模。 承上所述,本专利技术的高分子凸块具有弧状表面以及陡峭面。因此,当高分子凸块与另 一基板接触时,高分子凸块的弧状表面可避免产生应力集中的问题,而且高分子凸块的陡峭面可有利于高分子凸块贯穿位于基板与另一基板之间的接合材料。为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图,作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术实施例的接点结构的剖面图。图2至图12为本专利技术实施例的接点结构的多种变化的剖面图。图13至图24为本专利技术第二实施例的接点结构的剖面图。图25至图36为本专利技术第三实施例的接点结构的剖面图。图37A为本专利技术一实施例的接点结构的上视图,而图37B为图37A的接点结构沿I-I,线段的剖面图,且图37C为图37A的接点结构沿,线段的剖面图。图38A为本专利技术另一实施例的接点结构的上视图,而图38B为图38A的接点结构沿i-r线段的剖面图,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接点结构,设置在基板上,包括: 至少一接垫,位于该基板上; 至少一高分子凸块,配置于该基板上,该高分子凸块具有弧状表面以及与该弧状表面连接的陡峭面,该陡峭面与该基板的夹角为30度至150度;以及 至少一导电层,覆盖该高 分子凸块,且与该接垫电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨省枢张世明
申请(专利权)人:台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会中华映管股份有限公司友达光电股份有限公司瀚宇彩晶股份有限公司奇美电子股份有限公司财团法人工业技术研究院统宝光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1