【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种磁路结构。技术背景现有技术的音箱用磁路结构如图1所示,其结构是在轭铁01内放置磁石02,在磁 石02的顶部(也就是轭铁形腔开口处)设置一中心上板03,在轭铁01的开口处两侧设有 外围上板04,中心上板03与外围上板04之间留有气隙05,由轭铁01-外围上板04-中心 上板03形成封闭的磁场路径,但该磁路结构在开口处磁漏严重,导致磁能利用率较低。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服上述现有技术的缺点,提供一种可减少磁漏、增加 磁能利用率的磁路结构。为实现上述目的,本技术提供的技术方案为一种磁路结构,包括有轭铁、磁 石、第一中心上板和外围上板,磁石放置于轭铁形腔内,第一中心上板设于磁石的顶部,外 围上板设于轭铁的开口处两侧,第一中心上板与外围上板之间形成有气隙,于第一中心上 板的顶部设有反向磁石。在反向磁石的顶部放置有第二中心上板。上述轭铁开口处侧壁上接近外围上板的位置开有凹槽。本技术方案的优点是通过在第一中心上板的顶部增加反向磁石,该反向磁石与 轭铁形腔内的磁石之磁场呈互斥关系,用以减少上述磁路结构的磁漏及增加磁能利用率。附图说明图1是现有技术磁路结构的示意图;图2是本技术磁路结构的示意图;图3为图1中沿测试线(10)所得的磁漏量图。具体实施方式现结合附图详细阐述本技术本实施例的磁路结构包括有轭铁1、磁石2、第一中心上板3和外围上板4,磁石2 放置于轭铁形腔5内,第一中心上板3设于磁石2的顶部,外围上板4设于轭铁1的开口处 两侧,第一中心上板3与外围上板4之间形成有气隙6,于第一中心上板3的顶部设有反向 磁石7,在反向磁石7的顶部放置有第二 ...
【技术保护点】
一种磁路结构,包括有轭铁、磁石、第一中心上板和外围上板,磁石放置于轭铁形腔内,第一中心上板设于磁石的顶部,外围上板设于轭铁的开口处两侧,第一中心上板与外围上板之间形成有气隙,其特征在于:于第一中心上板的顶部设有反向磁石。
【技术特征摘要】
一种磁路结构,包括有轭铁、磁石、第一中心上板和外围上板,磁石放置于轭铁形腔内,第一中心上板设于磁石的顶部,外围上板设于轭铁的开口处两侧,第一中心上板与外围上板之间形成有气隙,其特征在于于第一中心上板的...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐庆山,
申请(专利权)人:佛山鋐利电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:44[中国|广东]
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