抗干扰性能强的单向可控硅结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗干扰性能强的单向可控硅结构，包括台面槽、穿通环、阴极区和长基区，所述穿通环设于长基区的左右两侧，其特征是：所述该单向可控硅的背面设有硅铝合金层，所述硅铝合金层的外侧依次设有铝层、钛层、镍层和银层。本实用新型专利技术的优点是：抗干扰性能强，工作效率高。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种抗干扰性能强的单向可控硅结构。
技术介绍
常规可控硅，为提高可控硅的通态压降，硅片背面均要有一层浓度较浓的硼层，以便与背面金属形成良好的欧姆接触，接触压降较小。而为了提高可控硅的抗干扰性能，必须要求背面浓度较淡。矛盾的双方造成目前市场上抗干扰性能较强的可控硅极少。因此应该提供新的技术方案解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的是：提供一种与可控硅背面金属接触压降小且抗干扰性能强的单向可控硅结构。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：抗干扰性能强的单向可控硅结构，包括台面槽、穿通环、阴极区和长基区，所述穿通环设于长基区的左右两侧，所述该单向可控硅的背面设有硅铝合金层，所述硅铝合金层的外侧依次设有铝层、钛层、镍层和银层。本技术在单向可控硅的背面设有硅铝合金层，利用了硅铝在一定温度下具有互熔的特性，使得硅铝接触电阻极小，在硅铝合金层的外侧依次设有铝层、钛层、镍层和银层，形成常规的背面金属层，使得可控硅在较低的通态压降下，仍然保持良好的抗干扰性能。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细叙述。图1为本技术的结构示意图。其中：1、台面槽，2、穿通环，3、阴极区，4、长基区，5、硅铝合金层，6、铝层，7、钛层，8、镍层，9、银层。具体实施方式如图1所示，本技术抗干扰性能强的单向可控硅结构，包括台面槽1、穿通环2、阴极区3和长基区4，穿通环2设于长基区4的左右两侧，该单向可控硅的背面设有硅铝合金层5，硅铝合金层5的外侧设有铝层6，铝层6的外侧设有钛层7，钛层7的外侧依次设有镍层8和银层9。本技术在单向可控硅的背面设有硅铝合金层5，利用了硅铝在一定温度下具有互熔的特性，使得硅铝接触电阻极小，在硅铝合金层5的外侧依次设有铝层6、钛层7、镍层8和银层9，形成常规的背面金属层，使得可控硅在较低的通态压降下，仍然保持良好的抗干扰性能。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
抗干扰性能强的单向可控硅结构，包括台面槽、穿通环、阴极区和长基区，所述穿通环设于长基区的左右两侧，其特征是：所述单向可控硅的背面设有硅铝合金层，所述硅铝合金层的外侧依次设有铝层、钛层、镍层和银层。

【技术特征摘要】
1.抗干扰性能强的单向可控硅结构，包括台面槽、穿通环、阴极区和长基区，所述穿通环设于长基区的左右两侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿开远，周健，朱法扬，
申请(专利权)人：启东吉莱电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]