【技术实现步骤摘要】
应用于存储器的映射关系的写入方法以及存储器
[0001]本专利技术涉及存储
,特别涉及一种应用于存储器的映射关系的写入方法以及存储器
。
技术介绍
[0002]固态硬盘
(SSD
,
Solid State Drives)
是用固态电子存储芯片制作的存储硬盘,存储硬盘包括控制器和存储介质
。
目前最主流的固态硬盘采用闪存存储介质
(flash Memory)
作为存储介质来存储数据,例如以
NAND flash
为例的非易失性存储器
。
[0003]固态硬盘已经被广泛使用在各种场合,在使用
SSD
存储写数据时,需要用到
FTL(flash Translation Layer
,闪存转换层
)
的映射表,用于记录主机逻辑空间地址到闪存存储介质的物理地址之间的映射关系
。
因此,固态硬盘中不仅保存着用户写入的写数据,也保存着维护写数据映射关系的映射表
。
[0004]目前主流的固态硬盘一般有两种硬件设计:一种是带有
DRAM
作为缓存单元;另一种是不带
DRAM
的
(
称为
DRAM
‑
Less
固态硬盘
)。DRAM
‑
Less
固态硬盘由于缓存单元容量有限,因此通常使用两级映射表来存储主机逻辑空间地址到存储介质的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种应用于存储器的映射关系的写入方法,其特征在于,所述方法包括:根据待写入映射关系中的第一逻辑地址,从缓存单元中的一级映射表得到所述第一逻辑地址所属的第一逻辑地址集合对应的第一链表,其中,所述一级映射表包括
N
个逻辑地址集合与
N
个链表的索引地址之间的对应关系,所述
N
个链表存储在所述缓存单元中的写缓存区,
N
为正整数;在所述第一逻辑地址与所述第一链表中的第一个结点存储的第一逻辑地址范围连续,且所述待写入映射关系中的第一物理地址与所述第一链表中的第一个结点存储的第一物理地址范围连续的情况下,更新所述第一逻辑地址范围;以及在更新后的第一逻辑地址范围覆盖了所述第一链表中的第二个结点存储的第二逻辑地址范围的情况下,释放所述第一链表中的第二个结点
。2.
根据权利要求1所述的写入方法,其特征在于,在所述更新所述第一逻辑地址范围之后,所述方法还包括:在所述第一逻辑地址与上一次写入的第三逻辑地址不属于同一个链表的情况下,释放所述第三逻辑地址所属的第二逻辑地址集合对应的第二链表中的无效结点,其中,所述无效结点所存储的逻辑地址范围是前位结点所存储的逻辑地址范围的子集,所述前位结点在所述第二链表中且位于所述无效结点之前
。3.
根据权利要求2所述的写入方法,其特征在于,所述释放所述第三逻辑地址所属的第二逻辑地址集合对应的第二链表中的无效结点,包括:遍历所述第二链表;在所述第二链表中遍历到的当前结点所存储的逻辑地址范围覆盖了所述当前结点的后续结点所存储的逻辑地址范围的情况下,将所述当前结点的后续结点作为所述无效结点并进行释放
。4.
根据权利要求1所述的写入方法,其特征在于,在所述第一逻辑地址与所述第一链表中的第一个结点存储的第一逻辑地址范围不连续,和
/
或,所述待写入映射关系中的第一物理地址与所述第一链表中的第一个结点存储的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:傅凯,陈正亮,王琛銮,骆小敏,沈佳奇,
申请(专利权)人:联芸科技杭州股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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