一种大功率ＬＥＤ面光源，采用白光ＬＥＤ与红光ＬＥＤ按一定比例混合成白光来制备高显色低色温大功率ＬＥＤ光源，白光ＬＥＤ单颗涂敷荧光粉，ＬＥＤ芯片固定在各自独立的金属凹槽中，凹槽的底部和侧面设置一层高反膜，红光ＬＥＤ凹槽位于白光ＬＥＤ凹槽的中部，凹槽间的间距≤２ｍｍ，凹槽上可单颗覆有透镜，也可整体盖透镜，通过白光ＬＥＤ与红光ＬＥＤ的不同配比得到不同的光效，在同样色温的情况下较同类型产品发光效率高，显色指数好；ＬＥＤ芯片通过金线或铜线与基板上的软性线路板焊接，减少焊线过程中对芯片的冲击，提高芯片使用寿命；软性线路板直接贴附在基板上，白光ＬＥＤ与红光ＬＥＤ分流供电，电流可调。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型光源，尤其涉及大功率LED面光源。
技术介绍
作为新型半导体光源，LED在节能、环保和长寿命等方面具有很大的优势能耗为 白炽灯的10%，荧光灯的50% ；采用固体封装，结构牢固，寿命达10万小时；在环保方面，用 LED替代白炽灯或荧光灯，勿需使用玻璃真空封装，无毒气和汞的污染。国内批量生产的大 功率LED白光，发光效率为普遍在80 90Lm/W，在实验室中也有发光效率更高的LED，效率 能够达到90 100Lm/W，但是由于工艺上的问题，现在还无法批量的生产。在LED的光衰 上，5000小时内，普遍维持在5%左右以内，也有一部分企业生产的LED光衰能够小于3%， 稳定性较高，但因存在一系列尚未解决的问题是对LED的大量推广及应用带来困难，主要 有以下几个问题1、显色指数低，光谱不连续，LED照射下显示的光色没有白炽灯真实；2、产生“光斑”，由于白光LED本身制造工艺缺陷透镜的配合误差，容易造成“黄 圈”问题；3、发光效率低，形成商品化的3W以上大功率LED发光效率低于光效1001m/W以上 的高强度气体放电灯，也低于601m/W以上的稀土三基色荧光灯4、热效应问题不易解决，LED芯片所流入的电力有75%会产生热效应，只有25% 会转换成光，也就是说随着功率的增加，LED芯片会产生更高的热量，难以制备6W以上的大 功率LED，目前市场上多以小功率LED为主要产品，不利于LED照明市场的开拓和发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述存在的不足，提供一种显色性高于90、发光效率大于 901m/W、散热效果好、使用寿命长的大功率LED面光源。本专利技术采用白光LED与红光LED按至少3 1的比例混合成白光来制备高显色大 功率LED光源，LED芯片固定在各自独立的抛物线形或其他形状的金属凹槽中，凹槽的底部 和侧面设置一层高反膜，红光LED凹槽位于白光LED凹槽的中部，凹槽间的间距< 2mm，凹 槽上可单颗覆有透镜，也可整体盖透镜，LED芯片通过金线或铜线与基板上的软性线路板焊 接，软性线路板直接贴附在基板上，白光LED与红光LED分流供电，电流可调。本专利技术采用上述技术方案，每颗芯片采用独立凹槽封装，使得芯片总体热量降低， 增加了芯片散热面积，加快芯片散热速度，提高光源的使用寿命；白光LED单颗均勻涂敷荧 光粉，整体点亮形成一个均勻的白光面，不会产生“黄斑”；每颗芯片直接与软性线路板通过 金线焊接，减少焊线过程中对芯片的冲击，提高芯片稳定性；采用白光LED与红光LED混光， 提高光源整体显色效果及发光效率。附图说明图1为LED光源剖面示意图；图2为LED光源第一种组合示意图；图3图4为LED光源另两种组合示意图。具体实施例方式通过下面祥细的专利技术说明和几个实施方式的附图，可以更好的理解本专利技术，另外， 附图所示的各种实施例并非是对本专利技术的限制或限定，而仅仅是为了方便本专利技术的说明和理解。下面将结合附图对本专利技术做详细的介绍光源采用COM (Chip on Metal)面光源封装技术，白光LEDl与红光LED2各自固定 在基板5上的独立金属凹槽6中，红光LED2的凹槽位于白光LED凹槽的中部，并分流供电， 凹槽的底部和两侧均勻的涂有反光膜，芯片8通过金线3或铜线3与软性线路板7焊接，软 性线路板7直接贴附在基板5上，透镜4可整体也可单个凹槽覆盖，此专利技术通过白光LEDl 与红光LED2的配比不同取得不同的技术指标，具体实施如下实施例1，如图2当红光LED2波长在620nm，白光LEDl与红光LED2比例3 1时， 光源色温控制在3000K 士 20K，显色指数90，发光效率901m/W。实施例2，如图3当红光LED2波长在640nm，白光LEDl与红光LED2比例4 1时， 光源色温控制在2900K 士 20K，显色指数95，发光效率951m/W。实施例3，如图4当红光LED2波长在660nm，白光LEDl与红光LED2比例5 1时， 光源色温控制在2800K 士 20K，显色指数98，发光效率1001m/W。权利要求一种大功率LED光源，它包括有白光LED，红光LED，基板，透镜，其特征在于所述光源采用COM(Chip on Metal)面光源封装技术利用白光LED(1)与红光LED(2)混合，制备成高显色大功率白光光源，芯片8通过金线(3)或铜线(3)贴附在基板(5)上的软性线路板(7)焊接，其上可盖透镜(4)。2.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于所述的白光LED(I)和红光LED(2)的 比例至少为3 1。3.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于所述的红光LED(2)波长范围为620 660nmo4.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于所述的白光LED(I)与红光LED(2)分 流供电，电流可调。5.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于所述的基板(5)为铜基板或铝基板。6.根据权利要求1所述的LED光源，其特征在于所述的基板(5)采用一体化结构，将软 性线路板(7)直接贴附在基板(5)上，每颗芯片8采用独立凹槽(6)封装，芯片8与软性线 路板(7)之间通过金线3或铜线3焊接。7.根据权利要求5所述的LED光源，其特征在于所述的凹槽(6)为设置在基板(5)上的 抛物线形或其它形状的金属凹槽(6)，凹槽(6)的底部和侧面设置一层高反膜，红光LED (2) 凹槽(6)位于白光LED(I)凹槽(6)的中部，凹槽(6)间的间距彡2mm。 >8.根据权利要求6或7所述的LED光源，其特征在于所述的凹槽(6)可单个设置透镜 (4)也可整体覆盖透镜(4)。9.根据权利要求7所述的LED光源，其特征在于所述的透镜(4)可为方形、圆形或其他 形状。全文摘要一种大功率LED面光源，采用白光LED与红光LED按一定比例混合成白光来制备高显色低色温大功率LED光源，白光LED单颗涂敷荧光粉，LED芯片固定在各自独立的金属凹槽中，凹槽的底部和侧面设置一层高反膜，红光LED凹槽位于白光LED凹槽的中部，凹槽间的间距≤2mm，凹槽上可单颗覆有透镜，也可整体盖透镜，通过白光LED与红光LED的不同配比得到不同的光效，在同样色温的情况下较同类型产品发光效率高，显色指数好；LED芯片通过金线或铜线与基板上的软性线路板焊接，减少焊线过程中对芯片的冲击，提高芯片使用寿命；软性线路板直接贴附在基板上，白光LED与红光LED分流供电，电流可调。文档编号F21S2/00GK101922624SQ201010147058公开日2010年12月22日 申请日期2010年4月9日 优先权日2010年4月9日专利技术者南青霞, 朱伟, 林复基, 邹军, 陈俊荣 申请人:嘉兴嘉尼光电科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率ＬＥＤ光源，它包括有：白光ＬＥＤ，红光ＬＥＤ，基板，透镜，其特征在于所述光源采用ＣＯＭ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｍｅｔａｌ）面光源封装技术利用白光ＬＥＤ（１）与红光ＬＥＤ（２）混合，制备成高显色大功率白光光源，芯片８通过金线（３）或铜线（３）贴附在基板（５）上的软性线路板（７）焊接，其上可盖透镜（４）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邹军，南青霞，朱伟，林复基，陈俊荣，
申请(专利权)人：嘉兴嘉尼光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]
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