整流桥多层烧结焊接工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种整流桥多层烧结焊接工艺，包括如下工艺步骤：ａ．翻转作业；ｂ．取下石墨下模放于平台上，将待烧结的半成品从石墨上模水平转移至已取下的石墨下模上；ｃ．用同一个石墨上模或多个石墨上模重复ａ步骤和ｂ步骤，将二个或二个以上的石墨下模叠放，相邻两石墨下模之间设置有支撑分隔条，完成两层或两层以上的叠放作业；ｄ．将叠放后的两层或两层以上的石墨模具送入烧结炉中，在烧结炉中烧结成型至少两片整流桥框架。本发明专利技术不需要较正流程，操作更为简单快捷，可克服框架不平整而导致的焊接不良，大大提高产品的合格率，一次可成型多片整流桥框架，在相同能耗的条件下提高了产能，不仅节约了能耗，并且减小了环境污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种整流桥的烧结工艺，尤其涉及一种整流桥多层烧结焊接工艺， 适用于整流桥两层及两层以上的烧结焊接。
技术介绍
传统整流桥烧结工艺将连接片安装入石墨模具内，在连接片上喷上酒精和松 香形成的助焊剂，利用真空吸盘如筛盘吸附相应规格的焊片，将吸盘的定位柱放入 石墨模具的定位孔内，关闭真空，使焊片落到连接片相应凸台上，再次喷上助焊剂 于焊片上，使用真空吸笔将芯片按要求吸到焊片上，喷上助焊剂于芯片上，再重复 使用真空吸盘在芯片上方放上相应规格的悍片，并喷上助焊剂，校正芯片及焊片位 置，使之中心与连接片的凸台中心对齐，将框架轻轻放在在吸好芯片的连接片上， 盖上石墨上模，连同上下模一并再轻轻送入烧结炉进行焊接。采用上述传统整流桥烧结工艺主要存在以下不足1、在整个工艺过程中两次使 用焊片，使模具仅能在操作台上以缓慢的速度轻轻移动，否则会导致芯片与焊片大 量错位，工作人员在操作时很不方便，生产效率极低。2、装配过程中模具必需要在 各个工序中不停的周转移动，尽管均为缓慢且轻轻移动，但是也必然会导致部分的 芯片与焊片错位，在烧结完成后，会产生较多的焊接不良和电性不良，使成型后的 整流桥不符合产品要求，增加了生产成本。3、传统整流桥烧结工艺对框架的平整度 要求较高，若框架有轻微的不平整则会导致至少l只产品焊接不良，故在焊接过程 中需要用有一定重量的石墨上模来压平框架，这样导致在整个焊接过程中传热速度 较慢，加之焊接材料焊片对高温时间要求较长，至少需要12分钟，因此烧结炉的链带只能以144.9cm/min缓慢的速度运行，且每2个模具需37mm的间隔，每小时最 大产能仅70模，共960只，才能保证其焊接温度，导致设备利用率低，同时在整个 烧结过程中，都需要氮气的保护，电能和氮气能耗居高不下，并且传统工艺中采用 吸热最多且严重阻碍传热的石墨上模后，其焊接效果受到了影响。4、在装配过程中， 长期使用助焊剂，不仅污染环境，并且使装配车间的空气质量不佳，影响操作工人 的身体健康。5、传统的工艺在使用焊片的同时需喷上助焊剂，助焊剂的成分为酒精 和松香，导致烧结好的框架上会残留大量松香，在后工序压塑前必需用酒精经行清 洗，并烘干后方可压塑，严重影响了生产效率，增加了产品生产成本和工人劳动强 度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有传统整流桥烧结工艺存在的上述问题，提供一种整 流桥多层烧结焊接工艺。本专利技术不需要较正流程，操作更为简单快捷，可克服框架 不平整而导致的焊接不良，大大提高产品的合格率， 一次可成型多片整流桥框架， 在相同能耗的条件下提高了产能，不仅节约了能耗，并且减小了环境污染。 为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案如下 一种整流桥多层烧结焊接工艺，其特征在于包括如下工艺步骤a、 将连接片安装入模具的石墨下模内，将锡膏均匀的刷在连接片和框架的凸点 上，再将对应的芯片吸附在连接片凸点上，最后将己刷好锡膏的框架安放在己吸好 芯片的连接片上形成待烧结的半成品，盖上平整的石墨上模，紧握上下石墨模具， 翻转180°后放于平台上，完成翻转作业；b、 取下石墨下模放于平台上，将待烧结的半成品从石墨上模水平转移至已取下 的石墨下模上；c、 用同一个石墨上模或多个石墨上模重复a步骤和b步骤，将二个或二个以上的石墨下模叠放，相邻两石墨下模之间设置有支撑分隔条，完成两层或两层以上的叠放作业；d、 将叠放后的两层或两层以上的石墨模具送入烧结炉中，在烧结炉中烧结成型 至少两片整流桥框架。所述d步骤中，烧结炉的传动链条的带速为184—187cm/min，烧结炉为至少包 括5个加热温区，每个温区的加热温度大于或等于40(TC。所述d步骤中，待焊接半成品依次经过预热段、浸润段、熔化焊接段、合金结 晶段和冷却段完成烧结成型。所述待焊接半成品经过预热段时，预热段的始端温度从室温25。C逐渐上升到 IO(TC，经过预热段的时间为3—5分钟。所述待焊接半成品经过浸润段时，浸润段的始端温度从IO(TC逐渐上升到末端 的30(TC，经过浸润段的时间为7—9分钟。所述待焊接半成品经过熔化焊接段时，熔化焊接段的始端温度从30(TC上升到 峰值温度375'C再逐渐降低到末端的30(TC，经过熔化焊接段的时间为9一11分钟。所述已焊接好的半成品经过合金结晶段时，合金结晶段的始端温度从30(TC逐 渐降低到末端的170°C，经过合金结晶段的时间为15—17分钟。所述已焊接好的半成品经过冷却段时，冷却段的始端温度从17CTC逐渐降低到 末端的8(TC—9(TC，经过冷却段的时间为14--16分钟。所述支撑分隔条为石墨条(或其他耐高温，且高温下不变形的材质)，设置在石 墨下模的两端模架上，石墨条的长度需小于石墨下模的宽度。采用本专利技术的有益效果在于5一、 本专利技术中，先用刷胶工装将锡膏均匀的刷在连接片和框架的凸点上，再利 用真空吸笔将对应的芯片吸附在连接片凸点上，由于使用具有较大粘度的锡膏作为 焊接材料，而锡膏具有较大的粘度，因此，不需要对吸附在连接片凸点上的芯片进 行单独较正，还可进行翻转作业，与传统工艺相比，省去了校正的工序，使得操作 更为简单快捷，同时模具也能在操作台上以较快的速度移动，且芯片也不易移位， 使产品质量相应接不的得到了保证。二、 本专利技术中，先用刷胶工装将锡膏均匀的刷在连接片和框架的凸点上，再利 用真空吸笔将对应的芯片吸附在连接片凸点上，因为锡膏具有较大的粘度，故在组 装好后，可以翻转后再进行焊结，与传统工艺相比，本专利技术克服了因为框架不平整 而导致的焊良，大大提高了产品的合格率。三、 本专利技术中，因锡膏中己含有助焊剂，且锡膏中含有的助焊剂不易挥发，因而在装配过程中，不再单独使用到助焊剂，减少了对车间环境的污染，使车间的空 气质量也得到了大大改善。四、 本专利技术所采用的工艺在烧结时不再需要石墨上模的重量来提高框架的平整 度，这样每焊结一片框架平均所需的热量将大幅度减少，故可以多层重叠后再进行 焊接，在相同能耗的情况下，产能将是旧工艺产能的至少2倍以上，实现了低能耗 高效率的生产。五、 传统工艺中，石墨上模的目的是利用其重力将不平整的框架压平，使之与 石墨下模中的芯片和连接片紧贴，才能有较好的焊接，而本专利技术采用反面烧结，框 架在最底层，连接片在框架上层的焊接方法，本方法中转变为了用连接片的平整度 来决定焊接质量，从材料自身的物理特性出发，面积越小其平整度越佳，而连接片 的面积仅占框架面积约1/50，其平整度较框架而言高了许多，因此，本专利技术在烧结 时不采用石墨上模的焊接合格率也比传统的方式高出许多。六、 本专利技术在烧结前进行翻转，使框架在最底层，连接片在框架上层进行烧结， 在烧结时去掉了传统工艺中吸热最多且严重阻碍传热的石墨上模，不仅焊接效果也 不会受到影响，并且传热速度及所受热量大大提高，使焊接效果远远优于传统工艺， 而且单只产品所需热量恒定，所以在相同的能耗下，采用多层可以烧结更多的产品。七、 本专利技术中由于焊接材料锡膏为免清洗材料，故在焊接完成后，则可立即投 入下工序的生产，有利于提高生产效率。八、 本专利技术烧结炉的传动链条的带速为184—187cm/min，解决了传动链条过快 或过慢影响产品烧结质量的问题，烧结炉为至少包括5个加热温区，每个温区的加 热温度大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整流桥多层烧结焊接工艺，其特征在于包括如下工艺步骤：　ａ、将连接片安装入模具的石墨下模内，将锡膏均匀的刷在连接片和框架的凸点上，再将对应的芯片吸附在连接片凸点上，最后将已刷好锡膏的框架安放在已吸好芯片的连接片上形成待烧结的半成品， 盖上平整的石墨上模，紧握上下石墨模具，翻转１８０°后放于平台上，完成翻转作业；　ｂ、取下石墨下模放于平台上，将待烧结的半成品从石墨上模水平转移至已取下的石墨下模上；　ｃ、用同一个石墨上模或多个石墨上模重复ａ步骤和ｂ步骤，将二个或 二个以上的石墨下模叠放，相邻两石墨下模之间设置有支撑分隔条，完成两层或两层以上的叠放作业；　ｄ、将叠放后的两层或两层以上的石墨模具送入烧结炉中，在烧结炉中烧结成型至少两片整流桥框架。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓华鲜，
申请(专利权)人：邓华鲜，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]