电子电路组件制造技术

本发明专利技术提供一种适于小型化且输出调整更为简单的电子电路组件。本电子电路组件是在氧化铝基板上以薄膜形式形成电路元件和连接这些电路元件的导电图样Ｐ，其中电路元件包括电容Ｃ１－Ｃ７，电阻Ｒ１－Ｒ３以及电感元件Ｌ１－Ｌ３等，把二极管Ｄ１和晶体管Ｔｒ１的半导体裸芯片引线接合到导电图样Ｐ的连接区上，而且，只调整晶体管Ｔｒ１的基极偏压用分压电阻Ｒ１、Ｒ２和发射极电阻Ｒ３中的发射极电阻Ｒ３而调整输出。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种平面安装型电子电路组件。一般来说，这种平面安装型电子电路组件按如下构成，即把各种电路部件软钎焊到设计在基板上的导电图样的软钎焊接区上，再用密封盖覆盖这些电路部件。在基板侧面上设置端面电极，把电子电路组件平面安装到母基板上时，端面电极被软钎焊到母基板的软钎焊接区上。应该根据调谐电路或共振电路或放大电路等所需电路构成使用电路部件，例如放大电路用的电路部件可以使用晶体管、单片电阻、单片电容以及电感等，这些电路部件通过导电图样相互连接。然而，近几年来，都在大力发展单片部件和晶体管等电路部件的小型化技术，例如使得外形尺寸0.6×0.3mm大小的超小型单片电阻和单片电容实用化。然而，如果在上述现有电子电路组件上也使用这种小型的单片部件或晶体管等，这些部件以相互极小的间隔被安装到基板上，则可使电子电路组件小到某种程度。但是，因为单片部件和晶体管等的电路部件的小型化是有限度的，而且，在把多个电路部件安装到基板上时，各电路部件的软钎焊部件必然会发生短路现象，所以部件间的间隙也是有一定限度的，这些因素成为妨碍电子电路组件更小型化的主要原因。当这种电子电路组件具有如放大电路时，在上述现有技术中，虽然放大电路所需要的全部电阻使用被预先调整到期望电阻值的通用的单片电阻，但是当装上的单片电阻中存在电阻值偏差时，晶体管的集电极电流就会出现偏差，导致以后的输出调整非常麻烦。鉴于现有技术中存在的实际问题，本专利技术的目的在于提供一种既可实现小型化，又能简单地进行输出调整的电子电路组件。为了达到上述目的，本专利技术的电子电路组件具备电路元件，该电路元件包括以薄膜形式形成在氧化铝基板上的电容、电阻及电感元件和引线接合到上述氧化铝基板上的晶体管的半导体裸芯片，上述晶体管具有至少一个第1晶体管，只调整该第1晶体管的基极偏压用分压电阻和发射极电阻中的发射极电阻，而设定上述第1晶体管的电流值。根据上述构成，因为利用薄膜技术高精度地形成包括电容、电阻以及电感的电路元件，而且，晶体管的半导体元件引线接合裸芯片，所以能够把需要的电路部件高密度地安装在氧化铝基板上，使平面安装型电子电路组件更加小型化。即使薄膜形式形成在氧化铝基板上的基极偏压用分压电阻的每个电阻值存在偏差，因为只要调整发射极电阻，就可改变晶体管的集电极电流值，所以只在一个地方就能够进行输出调整所需要的电阻值的调整。对于上述构成，在晶体管具有相互串联的第1晶体管和第2晶体管的情况下，最好是只调整这些第1及第2晶体管的基极偏压用分压电阻和发射极电阻中的第1晶体管的发射极电阻来设定两晶体管的电流值，若作这样的设定，仅仅调整第1晶体管的发射极电阻，就能够省略全部基极偏压用分压电阻的调整。本专利技术的电子电路组件具备电路元件，该电路元件包括以薄膜形式形成在氧化铝基板上的电容、电阻及电感元件和引线接合到上述氧化铝基板上的晶体管的半导体裸芯片，上述晶体管具有至少一个第1晶体管，把向该第1晶体管基极施加电压的基极偏压用分压电阻相互靠近地以薄膜形式形成在上述氧化铝基板上。根据上述构成，因为利用薄膜技术高精度地形成包括电容、电阻以及电感元件的电路元件，而且，晶体管的半导体元件引线接合裸芯片，所以能够把需要的电路部件高密度地安装在氧化铝基板上，使电子电路组件小型化。虽然，以薄膜状形成在氧化铝基板上的电阻的绝对值具有一定程度的偏差，但因为把施加到晶体管上的多个基极偏压用分压电阻相互接近地以薄膜方式形成，所以这些电阻的偏差比率基本上相同，从而能够省略电阻值的调整。在晶体管具有相互串联的第1晶体管和第2晶体管的情况下，最好是在氧化铝基板上相互靠近地以薄膜形式形成第1及第2晶体管的基极偏压用分压电阻，如果这样处理，则能够省略全部基极偏压用分压电阻的调整。对于上述构成，最好把多个基极偏压用分压电阻的一部分或全部并排成多列，如果这样布置，则可在氧化铝基板上有限的空间内更有效地配置基极偏压用分压电阻。在氧化铝基板上以薄膜形式形成包括电容、电阻及电感元件的电路元件的同时，引线接合晶体管半导体裸芯片，且只调整该晶体管的基极偏压用分压电阻和发射极电阻中的发射极电阻，所以不仅能够把需要的电路部件高密度地安装在氧化铝基板上，使电子电路组件小型化，而且，即使薄膜形式形成在氧化铝基板上的基极偏压用分压电阻的每个电阻值存在偏差，因为只要调整发射极电阻，就可改变晶体管的集电极电流值，所以能够省略基极偏压用分压电阻的调整工作。在氧化铝基板上以薄膜形式形成包括电容、电阻及电感元件的电路元件的同时，引线接合晶体管半导体裸芯片，以薄膜形式形成该晶体管的基极偏压用分压电阻并使两者相互靠近，所以不仅能够把需要的电路部件高密度地安装在氧化铝基板上，使电子电路组件小型化，而且，即使每个分压电阻相对于期望值产生偏差，由于分压电阻整体的偏差比率几乎不变，因此，省略了相对于晶体管基极偏压用分压电阻的电阻值的调整，就能够简单地进行输出调整。下面参照附图对本专利技术进行详细说明。附图说明图1是本专利技术实施例涉及的电子电路组件的透视图。图2是示出电路构成布局的氧化铝基板的平面图。图3是氧化铝基板的内表面图。图4是电路构成的说明图。图5是示出端面电极的透视图。图6是端面电极的截面图。图7A和图7B是表示半导体裸芯片和连接区的关系的说明图。图8A至图8J是表示电子电路组件制造步骤的说明图。图9是其它电路构成的说明图。图10是示出其它电路构成布局的氧化铝基板的平面图。本实施例是频率同步型升压放大器的适用例，该频率同步型升压放大器，为了提高携带式视频仪的信号接受性能(特别是信号接受灵敏度和抗干扰特性)而与图未示出的超高频(UHF)调谐器组合使用，并具有选择所希望频率的电视(TV)信号，且放大所选的电视信号后，输入到超高频调谐器内的功能。图1示出所述频率同步型升压放大器(电子电路组件)的外观，如该图所示，该频率同步型升压放大器由以下部件构成，即由装载了后述的电路构成元件的氧化铝基板1和安装在该氧化铝基板1上的密封盖2构成，成为被软钎焊到图未示出的母基板上的平面安装部件。氧化铝基板1呈方形的平板，是把大版基板分割成长方形分割片后，通过对该分割片进一步细分割而得到。密封盖2是把金属板弯折成箱形后加工而成的，因此，该密封盖2覆盖了氧化铝基板1上的电路构成元件。如图2所示，在氧化铝基板1的表面上设计了电路构成构件和与这些元件连接的导电图样，另外，如图3所示，作为背面电极的导电图样设置在氧化铝基板1的内表面上。本实施例的频率同步型升压放大器为了选择和放大电视信号而具有调谐电路和放大电路，构成了如图4所示的电路。对图2示出的各电路构成元件标以与图4的电路图对应的符号。但是，图4是示出电路构成的一例，本专利技术还可适用于具备除此以外电路构成的电子电路组件。如图4所示，频率同步型升压放大器具有作为调谐电路及放大电路的电路构成元件的电容C1-C7、电阻R1-R3、电感L1-L3、二极管D1、晶体管Tr1、电路S1、S2等，这些电路构成元件和与它们连接的导电图样被设在氧化铝基板1的表面上。该导电图样是利用喷溅如Cr或Cu等薄膜技术而形成，图2中，标以符号P，用剖面线来表示。下面，简单说明频率同步型升压放大器的电路构成，为了选择和放大所希望频率的电视信号，由调谐电路和放大电路构成，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子电路组件，其具备：电路元件，该电路元件包括以薄膜形式形成在氧化铝基板上的电容、电阻及电感元件和引线接合到上述氧化铝基板上的晶体管的半导体裸芯片，上述晶体管具有至少一个第１晶体管，只调整该第１晶体管的基极偏压用分压电阻和发射极电阻中的发射极电阻，就可设定上述第１晶体管的电流值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：善里彰之，植田和彦，五十岚康博，井上明彦，佐久间博，
申请(专利权)人：阿尔卑斯电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]