PDP保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种ＰＤＰ保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法，其具体步骤为：１）静电处理：对ＰＥＴ表面进行静电释放处理；２）真空溅射膜：采用真空直流磁控溅射技术，在上述经处理后的ＰＥＴ上溅射金属膜；３）等离子刻蚀网膜：采用高精密等离子体刻蚀技术，在上述金属膜上刻蚀网孔膜；４）等离子去胶：去除上述网孔膜上的刻蚀胶后即成。本发明专利技术的电磁波屏蔽膜由于采用了刻蚀技术来制作网孔膜，因此网膜的线径和网间距均很小，网膜的对比度高、不产生光学变形，电磁波屏蔽性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种PDP保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法。
技术介绍
等离子电视(PDP)是继背投、液晶电视后的大屏幕高清晰平板显示电视，具有图像清晰、亮度高、视角度大等视觉效果，同时还具有重量轻、厚度薄等优点，是未来真正的高清晰度大屏幕平板显示电视的最佳侯选者。但是，由于等离子体显示面板存在以下问题有很高的光反射，Ne气体发出的590nm的橙色光会降低色纯度，释放有害的电磁干扰和近红外干扰以及等离子体显示面板的玻璃极薄而不能承受太大的压力。因此，目前在等离子体显示面板的前方使用保护屏来克服上述缺陷，如US6150754、JP13-134198和JP11-74683，其描述的保护屏结构主要有两种第一种是在半钢化玻璃基材的一侧交替层叠金属层和高折射率氧化物层，以形成EMI/NIR屏蔽层，并在玻璃基材的另一侧形成AR消除高光反射层，其结构为AR/半钢化玻璃/NIR/EMI。第二种是在两层PET之间放置导电网格以形成EMI层，在半钢化玻璃或有机玻璃基材的一侧粘附AR膜，在相反的另一侧粘附NIR层。其结构为ARPET/粘着层/半钢化玻璃或有机玻璃/粘着层/NIRPET/Ne_cut/粘着层/EMIPET。但是，上述两种结构的保护屏，由于自身结构和制造工艺等原因，存在许多缺陷。第一种结构的缺陷是导电薄膜是金属或氧化物构成，为了保证透光性，膜厚很薄，并且表面电阻很高，所以电磁波屏蔽(EMI)性能很差，特别是在高频率电磁波段屏蔽性能差。第二种结构的缺陷是电著法金属网格膜(铜网或镍网)放置在两层PET薄膜之间，形成EMI层，该金属网格膜的丝径较粗、孔径较小、角度难保证，因此，对比度较差，图像容易产生光学变形。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是要提供一种PDP保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法，具有电磁波屏蔽性能好和图像不产生变形的优点。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是电磁波屏蔽膜的制备方法为1)静电处理对PET表面进行静电释放处理；2)真空溅射膜采用真空直流磁控溅射技术，在上述经处理后的PET上溅射金属膜；3)等离子刻蚀网膜采用高精密等离子体刻蚀技术，在上述金属膜上刻蚀网孔膜；4)等离子去胶去除上述网孔膜上的刻蚀胶后即成。本专利技术的有益效果是本专利技术的电磁波屏蔽膜由于采用了刻蚀技术来制作网孔膜，因此网膜的线径和网间距极易控制，网膜的对比度高、不产生光学变形，电磁波屏蔽性能好。附图说明图1是PDP保护屏的结构示意图。具体实施例方式PDP保护屏的基本结构如图1所示，其依次排列为AR、PET、粘接层、NIR、Ne_cut、基片、黑框丝印层、粘接层、PET、EMI Mesh Film和导电铜箔或镍箔。其中AR是消除高光反射，保持屏幕的清洁度，PET是防止基片受意外压力破碎，增加保护屏的强度，AR和PET组成消除高光反射膜(ARPET)；590nm橙色光吸收层(Ne_cut)是吸收Ne气发出的橙色光，保持色纯度纯正，NIR是遮蔽红、绿、蓝三色荧光粉发出的780nm～1100nm近红外线，消除近红外干扰，基片是保护面板，避免受意外压力冲击，NIR、Ne_cut和基片组成吸收近红外线和590nm橙色光的基片；黑框丝印层是增加光的对比度；EMI Mesh Film是屏蔽电磁波辐射，消除对人的辐射伤害，避免与其它电子设备发生作用，PET和EMI Mesh Film组成电磁波屏蔽膜(EMI Mesh Film/PET)；导电铜箔或镍箔是起接地作用；粘接层是粘接ARPET、EMI Mesh Film/PET等功能膜，通常采用PSA等透明胶。上述结构分别是采用纳米粒子分散浸渍、涂敷技术制备ARPET；真空溅射交替层叠技术制备NIR和Ne_cut的基片；溅射成膜和蚀刻网格膜制备EMI MeshFilm/PET；滚压覆膜技术来制作保护屏。下面将分别描述其制作方法。一、消除高光反射膜(ARPET)按照“n高d1＝n低d2＝n高d1＝n低d2＝λ/4(或3λ/4、λ/8)”的减反射光学膜制备原理，本专利技术是先将高折射率材料和低折射率材料采用“纳米粒子分散技术”中的“纳米插层化分散法或纳米振动磨分散法”处理后，掺杂配料，配制成具有高、低折射率的纳米粒子透明树脂，在PET薄膜上，交替层叠浸渍、涂敷高折射率树脂和低折射率树脂，来制备致密、均匀的ARPET薄膜。上述高折射率材料可以采用氟化镁(MgF2)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氮化钛(TiN)、三氧化二铟(InO3)、二氧化锡(SnO2)、三氧化二铬(Cr2O3)、二氧化锆(ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、六硼化镧(LaB6)、铌氧化物(NbO、Nb2O3、Nb2O5)等；低折射率材料可以采用二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、三氧化二铝(Al2O3)等。实施例1涂敷结构为PET/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2/MgF2/SiO2的ARPET膜1、静电处理对PET表面进行静电释放处理，确保PET薄膜的表面清洁。可采用“空气电离”方式来中和或者释放PET薄膜上的静电，也可以采用“软X射线”方式。2、掺杂配料将采用纳米插层化分散法处理后的具有高折射率和低折射率的纳米粒子材料TiO2、SiO2和MgF2，分别掺杂到耐温透明树脂里，配制成具有高、低折射率的纳米粒子透明树脂。耐温透明树脂可采用三聚氰胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂或PVB聚脂等。3、浸渍、涂敷将调配好的具有高、低折射率的纳米粒子透明树脂，分别在上述静电处理后的PET薄膜表面上，交替层叠浸渍、涂敷，制成均匀、致密的薄膜。通常，第一层TiO2薄膜的膜厚为10nm～50nm；第二层SiO2薄膜的膜厚为10nm～50nm；第三层TiO2薄膜的膜厚为20nm～35nm；第四层SiO2薄膜的膜厚为20nm～35nm；第五层Al2O3薄膜的膜厚为20nm～30nm；第六层Si3N4薄膜的膜厚为20nm～30nm。4、烘干在60℃～80℃的洁净环境中，加热烘干即成。通过上述方法制备的ARPET减反射薄膜的性能特征为(1)、薄膜致密、均匀，真正做到纳米级粒子分散，膜层附着力强；(2)、薄膜的雾度低，对比度高，减反射光学性能特征理想和全光线增透容易控制。二、吸收近红外线(NIR)和橙色光(Ne_cut)的基片本专利技术是利用磁控溅射原理，在高真空的环境中，气体电离产生辉光放电，电离出正、负离子和电子，高速轰击耙材，使各种耙材的原子或分子通过交替层叠的方式，溅射到高质量的基片上，与基片表面紧密结合形成致密、均匀的光学薄膜，从而制备吸收近红外线和590nm波长橙色光的基片。本专利技术通常采用的溅射方法包括射频反应溅射、中频反应溅射、高频反应溅射、直流反应溅射或电子枪溅射。上述耙材可采用二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氮化钛(Ti3N4)、三氧化二铟(In2O3)、二氧化锡(SnO2)、三氧化二铬(Cr2O3)、氧化锆(ZrO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、六硼化镧(LaB6)、铌氧化物(NbO、Nb2O3、Nb2O5)、三氧化二铝(Al2O3)、硫化锌(ZnS)、氮化硅(Si3N4)、硒化锌(ZnSe)等介质膜和银(Ag)、金(Au)等金属膜。本专利技术通常采用“射本文档来自技高网...

【技术保护点】
ＰＤＰ保护屏的电磁波屏蔽膜的制作方法，其制作方法为：１）静电处理：对ＰＥＴ表面进行静电释放处理；２）真空溅射膜：采用真空直流磁控溅射技术，在上述经处理后的ＰＥＴ上溅射金属膜；３）等离子刻蚀网膜：采用高精密等离子体刻蚀技术，在上述金属膜上刻蚀网孔膜；４）等离子去胶：去除上述网孔膜上的刻蚀胶后即成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁春林，汤嘉陵，王雨田，张勇，蒲志勇，
申请(专利权)人：四川世创达电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]