封装基板制造技术

在封装基板中，在ＩＣ芯片一侧的表面（上面）上的焊接区小（直径为１３３～１７０μｍ），焊接区的金属部分所占的比例小，另一方面，母板等一侧的表面（下面）上的焊接区大（直径为６００μｍ），金属部分的比例大。这里，在本封装基板中，在封装基板的ＩＣ芯片一侧的形成信号线的导体电路５８Ｕ、５８Ｕ之间形成虚拟图形５８Ｍ，由此，封装基板的ＩＣ芯片的一侧的金属部分增加，从而调整该ＩＣ芯片一侧与母板一侧的金属部分的比例，使封装基板在制造工序和使用过程中不产生翘曲。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于装载IC芯片的封装基板，更详细地说，本专利技术涉及分别在上表面和下表面形成了IC芯片连接用的焊接区(pad)和母板、子板等基板的连接用的焊接区的封装基板。
技术介绍
高集成度IC芯片装载在封装基板上，与母板、子板等基板连接。图23示出将IC芯片80装载在封装基板600上并安装在母板90上的状态，参照图23说明该封装基板的构成。该封装基板600在芯片衬底630的两面形成导体电路658A、658B，在该导体电路658A、658B的上层形成导体电路658C、658D，中间隔着层间树脂绝缘层650，在该导体电路658C、658D的上层配置层间树脂绝缘层750。而且，在该层间树脂绝缘层650上形成通孔660B、660A，在层间树脂绝缘层750上形成通孔660D、660C。另一方面，在IC芯片80一侧的表面(上表面)上形成焊接凸点676U，用来与IC芯片80的焊接区82连接，在子板6000的表面(下表面)上形成焊接凸点676D，用来与母板90的焊接区92连接。该焊接凸点676U在焊接区675U上形成，焊接凸点676D在焊接区675D上形成。这里，为了实现焊接凸点676U、676D的可靠连接，在IC芯片80和封装基板600之间密封了树脂84，同样，在封装基板600和母板90之间密封了树脂94。如上所述，封装基板600用来连接高集成度IC芯片80与母板90。即，IC芯片80的焊接区82直径小，为133～170μm，母板90一侧的焊接区92直径大，为600μm，不能直接将IC芯片安装在母板上，所以，利用封装基板进行中继。封装基板分别与上述IC芯片的焊接区82和母板的焊接区92的大小对应地形成IC芯片一侧的焊接区675U和母板一侧的焊接区675D。因此，焊接区675U的面积占封装基板600的IC芯片一侧的表面面积的比例和焊接区675D的面积占封装基板600的母板一侧的表面面积的比例不同。这里，层间绝缘层650和芯片衬底630由树脂形成，焊接区675U、675D由镍等金属形成。因此，在制造工序中，当利用层间树脂绝缘层650、750的硬化和干燥等使该树脂部分收缩时，由于上述焊接区675U的面积占IC芯片一侧的表面面积的比例和焊接区675D的面积占母板一侧的表面面积的比例的差，会出现封装基板向IC芯片进行一侧翘曲的情况。进而，当装载IC芯片实际使用时，在因IC芯片发热而反复收缩的情况下，由于该树脂部分和金属部分即焊接区的收缩率的差，也会产生翘曲。另一方面，在作为封装基板使用的多层基板中，将多层导体电路中的1层导体电路作为接地层或电源层使用，其目的是为了降低噪声等。但是，在如图23所示那样的现有的多层布线基板中，该接地层(或电源层)与外部端子的连接是通过布线来进行的。即，在基板630的上层形成成为接地层的布线658A、658B(导体电路)。该布线(接地层)658B经通孔660B与布线658D-S连接，该布线658D-S经通孔660D与焊接凸点676U连接。这里，接地层658D和焊接凸点676U的连接是通过布线658D-S进行的，所以，该布线658D-S容易引起噪声，该噪声便成为连接在集成芯片等的多层布线基板上的电子元件的误操作的原因。此外，还需要留出在多层布线基板内对该布线进行走线的空间，这就阻碍了高密度化的实现。另一方面，一般在封装基板的内部形成电容器，用来降低IC芯片和母板之间的信号的噪声等。在图23所示的例子中，将设在芯片衬底630的两面的内层导体电路658B、658A作为电源层和接地层形成，由此，介入芯片衬底630形成了电容器。图24(A)是在芯片衬底630的上面形成的内层导体电路658B的平面图。在该内层导体电路658B上形成接地层638G以及上下层连接用的接点(land)焊接区640。在该接点焊接区640的周围形成绝缘缓冲带642。接点焊接区640由贯通图23所示的芯片衬底630的通孔636的接点640a、与贯通上层的层间绝缘树脂层650的通孔660A连接的焊接区640b和连接接点640a和焊接区640b的布线640c构成。这里，在现有技术的封装基板中，接点640a和焊接区640b是通过布线640c连接的，所以，上层导体层和下层导体层之间的传送路径长，信号传送速度慢，同时接触电阻高。此外，如图24A所示那样，在焊接区640中，在布线640C和接点640a之间及布线640C和焊接区640b之间的连接部可能存在角部K。在封装基板的热循环中，因用树脂做的芯片衬底630及层间树脂绝缘层650和用铜等金属做的焊接区640的热膨胀系数不同，故应力集中在该角部K，如图23所示那样，在层间树脂绝缘层650产生裂缝L1，该层间树脂绝缘层650上的导体电路658D或通孔660D会出现断线。另一方面，母板90一侧的焊接凸点676D经通孔660D-布线678-焊接区675与内层的导体电路658C连接。图24(B)示出图23中的通孔660D和焊接凸点675D的从C侧看过去的放大图。放置焊接凸点676D的焊接凸点675呈圆形，如上所述，经布线678与呈圆形的通孔660D连接。IC芯片80反复处于工作中的高温状态和工作结束时冷却到常温的状态的热循环中。这里，由硅形成的IC芯片和由树脂形成的封装基板600的热膨胀系数相差很大，所以，在该热循环中，封装基板600会产生应力，封装基板600和母板90之间的密封树脂94会产生裂缝L2。这里，当该树脂94产生裂缝L2时，该裂缝L2伸长并使封装基板600的通孔660D和焊接凸点675D的连接断开。即，如图24(C)示出的图23中的通孔660D和焊接凸点675的从D侧看过去的放大图那样，连接放置焊接凸点676D的焊接凸点675D和通孔660D的布线678会因裂缝L2的存在而断线。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种具有焊接凸点的不翘曲的封装基板。本专利技术的目的还在于提供一种不容易受噪声影响的多层布线基板和多层印刷布线基板。本专利技术的目的还在于提供一种封装基板，可以缩短上层布线和下层布线之间的传送距离。本专利技术的目的还在于提供一种封装基板，在焊接凸点和通孔之间不会出现断线。根据本专利技术，提供了一种封装基板，该封装基板具有最外层的导体电路、支撑最外层的导体电路的绝缘层和设在该绝缘层下侧的内层导体电路的多层布线基板，其特征在于上述内层导体电路是电源层和/或接地层，在贯通上述绝缘层并与上述内层导体电路连接的通孔上形成了焊接凸点。本专利技术还提供了一种封装基板，该封装基板是具有内层的第1导体电路、在该第1内层导体电路上形成的第1层间树脂绝缘层、在该第1层间树脂绝缘层上形成的内层的第2导体电路、在该第2导体电路上形成的第2层间树脂绝缘层和在该第2层间树脂绝缘层上形成的最外层的导体电路的多层布线基板，其特征在于上述内层的第2导体电路是电源层和/或接地层，在贯通上述第2层间树脂绝缘层并与上述第2导体电路连接的通孔上形成了焊接凸点。本专利技术还提供了一种封装基板，其中，在芯子基板的两面上形成导体层，进而经层间树脂绝缘层再形成导体层，将上述芯子基板某一面的导体层作为电极层使用，其特征在于将配置在形成上述电极层的导体层上的芯子基板贯通用的通孔的接点和与贯通上面一侧的层间树脂绝缘层的通孔连接用的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装基板，经多层层间树脂绝缘层形成多层导体电路，在安装ＩＣ芯片一侧的表面和连接到其它基板一侧的表面上形成焊接凸点，在该连接到其它基板上的一侧的表面与该其他基板之间进行树脂密封，其特征在于：　　　　在多个通孔上形成了该连接到其它基板上的一侧表面的焊接凸点。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：浅井元雄，森要二，
申请(专利权)人：伊比登株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]