发光二极管驱动电路制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种发光二极管驱动电路，其能够高精度地调整发光二极管的发光亮度，而且能够抑制电路规模的增大。发光二极管驱动电路，由生成基准电流的基准电流部、和使用电流反射镜电路生成基于基准电流的驱动电流来供给发光二极管的电流输出部组成，基准电流部具有：运算放大器，其控制基准电流以使通过基准电流流过电阻电路发生的电压和一定的基准电压变得相同；和基准电流切换电路，其为与基准电阻并联多个电阻和晶体管的串联电路形成的电阻电路，它根据控制信号使所述串联电路的晶体管导通或者关断来切换通过基准电流的流动发生的电压，并切换基准电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光二极管驱动电路，涉及驱动被排列的多个发光二极管各 个的发光二极管驱动电路。
技术介绍
作为打印机等中使感光体感光的部件，有使用把发光二极管(以下称为"LED")进行直线排列的LED阵列。作为驱动这样的LED阵列的各LED的 驱动电路，例如有在专利文献l、 2等中记载的驱动电路。图3表示现有的发光二极管驱动电路的一例的电路结构图。该驱动电路 是^f皮半导体集成化了的。在该图中，在运算放大器10的反相输入端子上由基准电压源11施加了 基准电压Vref。运算放大器10的输出端子连接p沟道MOS场效应晶体管(以 下简称为"MOS晶体管")M0的栅极，同时连接p沟道MOS晶体管Ml的 栅极，另外，通过^^拟开关等的开关12、 13连接p沟道MOS晶体管M2、 M3的栅极。MOS晶体管M0、 Ml、 M2、 M3的源极连接电源Vddl。 MOS晶 体管M0、 Ml构成电流反射镜电路，在开关12、 13接通时MOS晶体管M0 与MOS晶体管Ml ~M3 —起构成电流反射镜电路。MOS晶体管M0的漏极连接运算放大器10的非反相输入端子，同时通过 电阻Rl接地。MOS晶体管Ml、 M2、 M3的漏极共同连接n沟道MOS晶体 管M4的漏极。开关12、 13，根据从端子14a、 14b各个供给的亮度控制用的 开关控制信号切换导通/关断。MOS晶体管M4的漏极共同连接n沟道MOS晶体管M4、 M5的栅极， MOS晶体管M4、 M5的源极接地，MOS晶体管M4、 M5构成电流反射镜电 路。MOS晶体管M5的漏极连接p沟道MOS晶体管M6的栅极和漏极。MOS 晶体管M6的栅极通过模拟开关等的开关15、 16各个连接p沟道MOS晶体管M7、 M8的栅极。MOS晶体管M6、 M7、 M8的源极连接电源Vdd2， MOS晶 体管M7、 M8的漏极连接LED (发光二极管)18的阳极，LED 18的阴极接地。开关15、 16，根据从端子17a、 17b备个供给的灰度控制用的开关控制信 号切换导通/关断。MOS晶体管M7、 M8，在开关15、 16接通时和MOS晶体 管M6构成电流反射镜电^各。开关15在使LED18发光的定时接通，开关16 在使LED18的发光亮度增大进行灰度表现的场合接通。运算放大器IO，使通过基准电压Vref和电阻Rl，用(1)式表示的第一 基准电流Irefl流入MOS晶体管M0的漏极，如果MOS晶体管M0、 Ml的栅 极面积比为1: A，则电流A x Irefl流过MOS晶体管M4的漏极(开关13接 通的状态)。Irefl =Vref/Rl …(l)在MOS晶体管Ml和MOS晶体管M2、 M3的栅极面积比为10: 1的场 合，当使开关12接通来使MOS晶体管M2导通时，在MOS晶体管Ml的漏 极电流上加上MOS晶体管M2的漏极电流成为MOS晶体管M4的漏极电流 (1.1 x Axlrefl )。另外，当使开关12、 13接通来使MOS晶体管M2、 M3导 通时，在MOS晶体管Ml的漏极电流上加上MOS晶体管M2、 M3的漏极电 流成为MOS晶体管M4的漏极电流(1.2 x A x Irefl )。因为该MOS晶体管 M4的漏极电流成为第二基准电流来决定MOS晶体管M5、 M6的漏才及电流， 所以不管灰度表现，流过LED18的电碌通过开关12的接通成为1.1倍，而使 LED18的发光亮度成为约1.1倍，通过开关12、 13的接通成为1.2倍，而使 LED18的发光亮度成为约1.2倍。专利文献1:特许第3296882号公报专利文献2:特许第2516236号公报在现有的发光二极管驱动电路中，与MOS晶体管Ml并列地设置开关12 以及MOS晶体管M2、 M3,通过进行开关12、 13的接通/关断控制，来调整 LED18的发光亮度。在该场合，当要更细致地调整LED18的发光亮度时，必须使与MOS晶 体管Ml并列地设置的开关以及MOS晶体管的级数从十几级增加到几十级， 有电路规模变大这样的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题做出的，其目的是提供一种发光二极管驱动电路， 其能够高精度地调整发光二极管的发光亮度，而且还能够抑制电路规模的增 大。本专利技术的发光二极管驱动电路，由生成基准电流的基准电流部、和使用 电流反射镜电路生成基于所述基准电流的驱动电流供给发光二极管的电流输 出部组成，所述基准电流部，具有运算放大器，其控制所述基准电流以使通过所述基准电流流过电阻电路 发生的电压和固定的基准电压变得相同；和基准电流切换电路，其为与基准电阻并联多个电阻和晶体管的串联电路 形成的电阻电路，根据控制信号使所述串联电路的晶体管导通或者关断来切换 通过所述基准电流的流动发生的电压，并切换所述基准电流，由此，能够高精度地调整发光二极管的发光亮度，而且能够抑制电路规 模的增大。在所述发光二极管驱动电路中，所述多个串联电路的电阻可以具有与所述基准电阻不同的电阻值。 根据本专利技术，能够高精度地调整发光二极管的发光亮度，而且能够抑f'J 电路规模的增大。 附图说明图1是使用本专利技术的发光二极管驱动电路的LED阵列装置的一个实施形 态的方块结构图。图2是本专利技术的发光二极管驱动电路的一个实施形态的电路结构图。 图3是现有的发光二极管驱动电路的一例的电路结构图。 符号说明30运算放大器31基准电压源电路33基准电流部534、 35电压源 _ 36、 38、 40开关 44电流输出部 45 LEDMil ~M33 MOS晶体管 R11-R23电阻 Vddl、 Vdd2电源 具体实施例方式下面才艮据附图说明本专利技术的实施形态。 <LED阵列驱动电路的结构>图1表示使用本专利技术的发光二极管驱动电路的LED阵列装置的一个实施 形态的方块结构图。该LED阵列装置例如是48通道结构。在该图中，在移位寄存器20中，对于1通道例如以48通道数量的时间 序列供给6位的发光时间数据、该数据在移位寄存器20中被顺序移位并被锁 存后，被供给脉宽调制电路22。该脉宽调制电路22,对于每一通道生成用发 光时间数据指示的脉宽的发光脉冲，向LED阵列驱动电路26供给48通道数 量的发光脉沖。给移位寄存器24对于1通道例如以48通道数量的时间序列供给6位的 发光时间数据，该数据我移位寄存器24中被顺序移位并被锁定中，被供给LED 阵列驱动电^各26。 LED阵列驱动电路26,对于每一通道解码发光亮度数据， 生成n系统的开关控制信号，通过上述n系统的开关控制信号决定对于每通道 用发光脉冲使之导通的MOS晶体管。LED阵列驱动电路26以通道单位驱动 构成LED阵列28的48通道的LED。<发光二极管驱动电路的结构>图2是本专利技术的发光二极管驱动电路的一个实施形态的电路结构图。该 驱动电路被半导体集成电路化了 。在该图中，给运算放大器30的反相输入端子上通过基准电压源电路31 施加基准电压Vref。运算放大器30的输出端子连接p沟道MOS晶体管Mll、 M12各个的栅极。MOS晶体管Mll、 M12各自的源极分别通过Rll、 R12连接电源Vddl构成电流反射镜电路。MOS晶体管Mll、 M12各自的漏极分别 连接p沟道MOS晶体管M13 、 M14的源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管驱动电路，其由生成基准电流的基准电流部、和使用电流反射镜电路生成基于所述基准电流的驱动电流供给发光二极管的电流输出部组成，其特征在于，　所述基准电流部，　具有：　运算放大器，其控制所述基准电流以使通过所述基准 电流流过电阻电路而发生的电压和一定的基准电压变得相同；和　基准电流切换电路，其为与基准电阻并联多个电阻和晶体管的串联电路所形成的电阻电路，它根据控制信号使所述串联电路的晶体管导通或者关断来切换由于流过所述基准电流而发生的电压，并切换所 述基准电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木大介，山口公一，
申请(专利权)人：三美电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]