具有改进的白平衡的平板显示器制造技术

技术编号:3697277 阅读:160 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一平板显示器,该平板显示器能够通过使所述R、G和B单位像素的晶体管的沟道区有不同的电流迁移率来提高白平衡。所述平板显示器包括多个象素,每个所述象素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B),并且每个所述单位像素包括至少一晶体管。所述R、G和B单位像素中至少两个单位像素的晶体管的沟道层彼此具有不同电流迁移率。所述R、G和B单位像素包括晶体管并且所述R、G和B单位像素中的至少一个单位像素的所述晶体管包括由不同膜性能的硅层制成的沟道层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种全色平板显示器,特别是通过使用MIC/MILC工艺使在每个R、G和B单位像素中的驱动晶体管的沟道层具有不同的电流迁移率(current mobilities)从而能够实现白平衡的平板显示器和制造该平板显示器的方法。
技术介绍
通常,如图1所示,一平板显示器的有机发光二极管(OLED)包括布置成矩阵形式的多个象素100。每个象素100由三个单位像素(unit pixel)组成,即,一个表现红色(R)的单位像素110R,一个表现绿色(G)的单位像素120G,一个表现蓝色(B)的单位像素130B。所述R单位像素110R包括一个红色电致发光(electroluminescence,EL)装置115,该装置包括一红色(R)发光层;一个用于向所述红色EL装置115供应电流的驱动晶体管113;和一个用于开关从所述驱动晶体管113供应到所述红色EL装置115的电流的开关晶体管111。所述G单位像素120G包括一个绿色EL装置125,该装置包括一绿色(G)发光层;一个用于向所述绿色EL装置125供应电流的驱动晶体管123;和一个用于开关从所述驱动晶体管123供应到所述绿色EL装置125的电流的开关晶体管121。所述B单位像素130B包括一个蓝色EL装置135,该装置包括一蓝色(B)发光层;一个用于向所述蓝色EL装置135供应电流的驱动晶体管133;和一个用于开关从所述驱动晶体管133供应到所述蓝色EL装置135的电流的开关晶体管131。常规地,一OLED装置的R、G和B单位像素110R、120G和130B的所述驱动晶体管113、123和133具有相同尺寸,也就是具有相同的沟道层的宽度W与长度L的比率W/L,并且按照它们发光效率的顺序,所述EL装置的顺序为B、R和G单位像素。在所述常规的OLED中,由于R、G和B单位像素110R、120G和130B的所述驱动晶体管113、123和133的沟道层的尺寸相同,而所述R、G和B的EL装置115、125和135的发光效率彼此不同,所以很难实现白平衡。为了实现所述白平衡,对于具有高发光效率的EL装置例如绿色EL装置,应该供应一个相对小量的电流,且对于具有较低发光效率的红色和蓝色EL装置,应该供应一个相对大量的电流。这里,当所述驱动晶体管处于饱和状态时,由于通过所述驱动晶体管流到所述EL装置的电流Id开始流动,所述电流表达如下(1)Id=CoxμW(Vg-Vth)2/2L因此,为了实现白平衡而控制流到所述EL装置的电流的一种方法是使得R、G和B单位像素的驱动晶体管的尺寸(也就是,所述沟道层的宽度W和长度L的比率W/L)不同,并且因此控制流到所述R、G和B单位像素的EL装置的电流量。根据所述晶体管的尺寸控制流到所述EL装置的电流量的方法公开在日本特开专利公告第2001-109399中。在该日本专利中,根据每个R、G和B单位像素中的EL装置的发光效率,将所述R、G和B单位像素的驱动晶体管的尺寸形成为不相同。也就是,通过使具有高发光效率的表现绿色(G)的单位像素的驱动晶体管的尺寸小于具有相对低发光效率的表现红色(R)或蓝色(B)的单位像素的驱动晶体管的尺寸,来控制流到所述R、G和B单位像素的EL装置的电流量。实现所述白平衡的另一种方法是使所述R、G和B单位像素的发光层的大小不同,这公开在日本特开专利公告第2001-290441号上。在该日本专利中,根据所述R、G和B单位像素的EL装置的发光效率,通过使发光面积不同而使从所述R、G和B单位像素上产生相同的发光。也就是,通过使具有低发光效率的R或B单位像素的发光面积大于具有相对高发光效率的G单位像素的发光面积从而在所述R、G和B单位像素上产生相同的发光。但是,在上述实现白平衡的常规方法中,所述R、G和B单位像素中的具有低发光效率的单位像素的发光面积变大,或者增加所述R、G和B单位像素中具有低发光效率的单位像素的晶体管的尺寸。这会造成每个单位像素的充电面积增加的问题,且因此不易将本专利技术应用在高分辨率的显示中。
技术实现思路
本专利技术的一个方面在于提供一种平板显示器及其制造方法,其中可以实现白平衡而不增加象素的面积。本专利技术的另一个方面在于提供一种平板显示器及其制造方法,其中通过使R、G和B单位像素中驱动晶体管的沟道层具有不同的电流迁移率,可以实现白平衡。本专利技术的又一个方面在于提供一种平板显示器及其制造方法,其中通过使R、G和B单位像素中驱动晶体管的沟道层具有不同方向的结晶化,可以实现白平衡。本专利技术的再一个方面在于提供一种平板显示器及其制造方法,其中可通过使R、G和B单位像素中驱动晶体管的沟道层的电阻值不同来实现白平衡。本专利技术的还有一个方面在于提供一种平板显示器及其制造方法,其中通过使包括在每个R、G和B单位像素的驱动晶体管的沟道层内的一非结晶硅膜的长度不同,可以实现白平衡。根据本专利技术的一个示例性实施例,提供一种平板显示器,包括多个象素,其中每个象素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B),并且每个单位像素包括至少一个晶体管,其中在R、G和B单位像素中的至少两个单位像素的晶体管包括电流迁移率不同的沟道层。在R、G和B单位像素中的至少一个晶体管包括一沟道层,该沟道层在每个象素上具有相同的尺寸。所述R、G和B单位像素分别包括光发射装置。控制供应到每个单位像素的光发射装置的电流的晶体管包括在每个象素上尺寸都相同的沟道层,并且用于驱动具有所述单位像素的光发射装置中最高发光效率的光发射装置的晶体管的电流迁移率小于用于驱动具有相对低发光效率的光发射装置的晶体管的电流迁移率。所述R、G和B单位像素的晶体管的沟道层可以由彼此具有不同结晶化方向的多晶硅膜制成。用于驱动具有所述光发射装置中最高发光效率的光发射装置的晶体管的沟道层可以由金属诱导结晶化(metal inducedcrystallization,MIC)多晶硅膜制成,并且用于驱动具有相对低发光效率的光发射装置的晶体管的沟道层可以由金属诱导横向结晶化(metal inducedlateral crystallization,MILC)多晶硅膜制成。所述R、G和B单位像素还可分别包括由所述晶体管驱动的光发射装置,并且所述R、G和B单位像素包括一个用于驱动光发射装置的驱动晶体管和用于开启或关断所述驱动晶体管的开关晶体管。所述R、G和B单位像素的所述开关晶体管的沟道层可以由MIC多晶硅膜制成。具有所述R、G和B单位像素中最高发光效率的单位像素的驱动晶体管具有一个由MIC多晶硅膜制成的沟道层,并且具有相对低发光效率的单位像素的驱动晶体管具有一个由MILC多晶硅膜制成的沟道层。所述R、G和B单位像素的所述开关晶体管的沟道层可以由MILC多晶硅膜制成,以及具有所述R、G和B单位像素中最高发光效率的驱动晶体管可以具有一个由MIC多晶硅膜制成的沟道层,而具有相对低发光效率的单位像素的驱动晶体管可以具有一个由MILC多晶硅膜制成的沟道层。具有所述R、G和B单位像素中最高发光效率的单位像素的开关晶体管和驱动晶体管可以具有由MIC多晶硅膜制成的沟道层,并且具有相对低发光效率的单位像素的驱动晶体管和开关晶体管可具有一个由MILC多晶硅膜制成的沟道层。同样,在一个包括多个象素的平板显示本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种平板显示器,包括:    多个象素,每个所述象素包括R、G和B单位像素以分别表现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B),并且每个所述单位像素包括至少一个晶体管,    其中所述R、G和B单位像素中至少两个单位像素的晶体管包括具有不同电流迁移率的沟道层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:具在本朴志容朴商一金得钟
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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