霍尔开关电路及其迟滞比较器电路制造技术

本实用新型专利技术通过增加温度补偿电路，对霍尔片乘积灵敏度的温度漂移进行补偿，使得霍尔开关的磁迟滞窗口宽度在温度升高时不变或略微变小，从而保证开关性能。本实用新型专利技术的温度补偿电路负温度系数大，足以完全补偿由于温度升高而引起的霍尔片灵敏度下降，同时该温度补偿电路仅用纵向ＮＰＮ管和基区电阻构成，版图面积小。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种霍尔开关电路，包括稳压器、霍尔片、差分放大器、迟滞比较器和输出电路，其中迟滞比较器电路包括晶体管（Ｑ３）、晶体管（Ｑ４）、晶体管（Ｑ５）、晶体管（Ｑ６）和电阻（Ｒ３）、电阻（Ｒ４），其中，晶体管（Ｑ３）的基极和晶体管（Ｑ５）的基极相连，晶体管（Ｑ４）的基极和晶体管（Ｑ６）的基极相连，晶体管（Ｑ３）的集电极与晶体管（Ｑ４）的基极和晶体管（Ｑ６）的基极相连，晶体管（Ｑ４）的集电极与晶体管（Ｑ３）的基极和晶体管（Ｑ５）的基极相连，晶体管（Ｑ３）的集电极、晶体管（Ｑ４）的集电极与参考电压之间分别连接电阻（Ｒ３）与电阻（Ｒ４），其特征在于，参考电压与晶体管（Ｑ１）的集电极之间连有电阻（Ｒ１），晶体管（Ｑ１）的发射极与地相连，晶体管（Ｑ１）的基极与晶体管（Ｑ２）的发射极相连，晶体管（Ｑ２）的基极与晶体管（Ｑ１）的集电极相连，晶体管（Ｑ２）的集电极与晶体管（Ｑ３）的发射极、晶体管（Ｑ４）的发射极、晶体管（Ｑ５）的发射极、晶体管（Ｑ６）的发射极相连，晶体管（Ｑ２）的发射极与地之间连接有电阻（Ｒ２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢圣晟，王家斌，
申请(专利权)人：BCD半导体制造有限公司，
类型：实用新型
国别省市：KY[开曼群岛]