一种用于测量两物体接近次数的开关制造技术

技术编号:3414888 阅读:186 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种用于测量两物体接近次数的开关,其特征在于,在一个物体上设有磁铁接近靶,在另一个物体上设有一个接近开关;所述的接近开关由感应线圈L1、电位器RP1、三极管Q1、Q2、二极管D1及电阻、电容组成,VCC通过电阻R3、三极管Q2和电阻R5与“地”形成一个回路,VCC通过电感L1、电容C1、电容C2、三极管Q1、电阻R2和电阻R5与“地”形成第二个回路,VCC通过电位器RP1、电阻R1和电阻R5与“地”形成第三个回路。由于利用钴基金属的特性,并采用磁铁做为接近靶,可以大大增强抗电磁干扰能力,同时可以通过选择强磁材料做为接近靶达到增大感应距离的目的。(*该技术在2015年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于测量两物体接近次数的开关,适用于各领域中测量两物体的接近次数,属于测量

技术介绍
现有的接近开关,一般使用铁质金属作为接近靶,存在抗电磁干扰能力差且感应距离过短的缺点。
技术实现思路
本技术的目的是专利技术一种抗电磁干扰能力强和感应距离长的用于测量两物体接近次数的开关。为实现以上目的,本技术的技术方案是提供一种用于测量两物体接近次数的开关,其特征在于,在一个物体上设有磁铁接近靶,在另一个物体上设有一个接近开关;所述的接近开关由感应线圈L1、电位器RP1、三极管Q1、Q2、二极管D1及电阻、电容组成,VCC通过电阻R3、三极管Q2和电阻R5与“地”形成一个回路,VCC通过电感L1、电容C1、电容C2、三极管Q1、电阻R2和电阻R5与“地”形成第二个回路,VCC通过电位器RP1、电阻R1和电阻R5与“地”形成第三个回路。所述的感应线圈L1中设有钴基金属。本技术利用钴基金属的特性,将其做为接近开关感应线圈的磁芯,采用磁铁做为接近靶,从而大大增强了抗电磁干扰能力,同时可以通过选择强磁材料做为接近靶达到增大感应距离的目的,当磁铁接近靶距离接近开关较远时,如大于20mm,由于钴基金属的特性使得L1与电容C1、C2形成振荡,三极管Q1的发射极输出电压使得三极管Q2导通,反之,则不导通,从而测出两物体接近次数。本技术的优点是测试时抗电磁干扰能力强和感应距离长。附图说明图1为一种用于测量两物体接近次数的开关结构示意图; 图2为接近开关和磁铁接近靶的示意图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步说明。实施例如图1所示,为一种用于测量两物体接近次数的开关结构示意图,所述的接近开关2由感应线圈L1、电位器RP1、三极管Q1、Q2、二极管D1及电阻、电容组成,感应线圈L1中设有钴基金属,VCC通过电阻R3、三极管Q2和电阻R5与“地”形成一个回路,VCC通过电感L1、电容C1、电容C2、三极管Q1、电阻R2和电阻R5与“地”形成第二个回路,VCC通过电位器RP1、电阻R1和电阻R5与“地”形成第三个回路。如图2所示,为接近开关和磁铁接近靶的示意图,所述用于测量两物体接近次数的开关由磁铁接近靶1和接近开关2组成,在一个物体上安装磁铁接近靶1,在另一个物体上安装一个接近开关2,当磁铁接近靶距离接近开关较远时,如大于20mm,由于钴基金属的特性使得L1与电容C1、C2形成振荡,三极管Q1的发射极输出电压使得三极管Q2导通;当磁铁接近靶1距离接近开关2较近时如小于20mm,由于磁铁的作用破坏了L1与电容C1、C2的振荡特性,Q1与Q2被关断,VCC仅由电位器RP1、电阻R1和电阻R5与“地”形成回路,此时电阻R5输出的电流比较小,从而可以测量两个物体的接近次数。由于利用钴基金属的特性,并采用磁铁做为接近靶,可以大大增强抗电磁干扰能力,同时可以通过选择强磁材料做为接近靶达到增大感应距离的目的。权利要求1.一种用于测量两物体接近次数的开关,其特征在于,在一个物体上设有磁铁接近靶(1),在另一个物体上设有一个接近开关(2);所述的接近开关(2)由感应线圈L1、电位器RP1、三极管Q1、Q2、二极管D1及电阻、电容组成,VCC通过电阻R3、三极管Q2和电阻R5与“地”形成一个回路,VCC通过电感L1、电容C1、电容C2、三极管Q1、电阻R2和电阻R5与“地”形成第二个回路,VCC通过电位器RP1、电阻R1和电阻R5与“地”形成第三个回路。2.根据权利要求1所述的一种用于测量两物体接近次数的开关,其特征在于,所述的感应线圈L1中设有钴基金属。专利摘要本技术涉及一种用于测量两物体接近次数的开关,其特征在于,在一个物体上设有磁铁接近靶,在另一个物体上设有一个接近开关;所述的接近开关由感应线圈L1、电位器RP1、三极管Q1、Q2、二极管D1及电阻、电容组成,VCC通过电阻R3、三极管Q2和电阻R5与“地”形成一个回路,VCC通过电感L1、电容C1、电容C2、三极管Q1、电阻R2和电阻R5与“地”形成第二个回路,VCC通过电位器RP1、电阻R1和电阻R5与“地”形成第三个回路。由于利用钴基金属的特性,并采用磁铁做为接近靶,可以大大增强抗电磁干扰能力,同时可以通过选择强磁材料做为接近靶达到增大感应距离的目的。文档编号H03K17/95GK2874929SQ20052004730公开日2007年2月28日 申请日期2005年12月8日 优先权日2005年12月8日专利技术者袁建新, 邱善乐 申请人:上海神开科技工程有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测量两物体接近次数的开关,其特征在于,在一个物体上设有磁铁接近靶(1),在另一个物体上设有一个接近开关(2);所述的接近开关(2)由感应线圈L1、电位器RP1、三极管Q1、Q2、二极管D1及电阻、电容组成,VCC通过电阻R3、三极管Q2和电阻R5与“地”形成一个回路,VCC通过电感L1、电容C1、电容C2、三极管Q1、电阻R2和电阻R5与“地”形成第二个回路,VCC通过电位器RP1、电阻R1和电阻R5与“地”形成第三个回路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:袁建新邱善乐
申请(专利权)人:上海神开科技工程有限公司
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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