【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种信号延迟的电路装置，其特征在于，其包括：第一和第二ＮＭＯＳ管的源极相连并和第一可控电流源的输出连接；第三和第四ＮＭＯＳ管的源极相连并和第二可控电流源的输出连接；同相输入端接第一和第三延时单元，第一延时单元的输出接第二ＮＭＯＳ管的 栅极，第三延时单元的输出接第四ＮＭＯＳ管栅极；反相输入端接第二和第四延时单元，所述第二延时单元的输出接第一ＮＭＯＳ管的栅极，第四延时单元的输出接第三ＮＭＯＳ管的栅极；所述第一ＮＭＯＳ管和第三ＮＭＯＳ管的漏极相连并接第一电阻的 一端作为同相输出端，所述第一电阻的另外一端接电源电压；所述第二ＮＭＯＳ管和第四ＮＭＯＳ管的漏极相连并接第二电阻的一端作为反相输出端，所述第二电阻的另外一端接电源电压；以及数个数据控制位连接一第一可控电流源的对应输入端，并同时 对应连接的数个反相器，该数个反相器的输出连接到一第二可控电流源的对应输入端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林满院，许萍，李梅，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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