微波放大器制造技术

本发明专利技术的微波放大器（１０）的结构为，将电感器（１２）和电阻（１３）并联接入场效应晶体管（１１）的源极和地之间。由于电感器（１２）具有寄生成分（Ｂ），电感器（１２）以共振频率ｆｏ共振。但是，由于场效应晶体管（１１）的源极通过与电感器（１２）并联连接的电阻（１３）接地，所以即使在电感器（１２）通过共振而开路时，场效应晶体管（１１）也正常工作。使微波放大器（１０）的工作稳定。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用场效应晶体管构成的微波放大器
技术介绍
作为已有的一般的微波放大器的例子，人们知道有特开昭61-285811号公报所记载的类型。以下，利用图21说明第1个已有的微波放大器的例子。在图中，110是微波放大器；111是场效应晶体管(以下称为FET)；112是电阻；113是连接FET111和地面的连接导体，作为具有高频感抗成分的前端短路短截线而起作用。114是前端开路短截线，其长度为电路的工作频率的四分之一波长。如图22所示，由于连接导体113具有感抗成分A，所以在可忽视感抗成分A的低频中，可以只使用接地导体113来使FET111接地，而在高频时不能忽视感抗成分A，使FET111的优点被减弱。为此，利用前端开路短截线114使FET111高频地接地，以防止FET111的优点被减弱。为了抑制此时FET111的不必要的振动，还连接有电阻112。接着，利用图23说明第2个已有微波放大器的例子。图23是电子信息通信学会、信学技法MW92-149“HEMT直接冷却形低噪声放大器”中表示低噪声放大器的图。在图中，120是低噪声放大器；121是FET；122是电感器。FET121的源极通过电感器122接地，由此可以使得用于使FET121的噪声最小的输入感抗、和用于使反射最小的电阻接近，并可以同时提高噪声指数和输入侧的反射系数。上述已有技术的例子中都存在以下需要解决的问题。首先，在第1个已有技术的例子中，微波放大器110被与FET111的源极连接的电阻112消耗去多余的电力，使输出电力的特性变差。而在第2个已有技术的例子中，如图24所示，由于与FET121的源极连接的电感器122具有寄生容量B，低噪声放大器120以预定频率发生共振，使得工作变得不稳定。本专利技术的目的是解决上述存在的问题。专利技术的公开本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和电阻并联地接入。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括第2电感器，以与第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振；电阻，与上述第2电感器串联连接。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括由第2电感器和电容器并联连接形成的共振部；与共振部串联连接的电阻。共振部以与第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将第1电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括由第2电感器和电容器串联连接形成的共振部；与共振部串联连接的电阻；共振部以与第1电感器通过寄生成分而共振的频率不同的频率共振。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括短路短截线和与短路短截线串联连接的电阻，短路短截线的长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/2。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，在场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和稳定电路并联接入；稳定电路包括短路短截线和与短路短截线串联连接的电阻，短路短截线的长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/4。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，一端与源极连接；开路短截线，与电阻的另一端连接，长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/2。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，一端与源极连接；开路短截线，与电阻的另一端连接，长度为电感器通过寄生成分而共振的频率其波长的1/4。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，在场效应晶体管的漏极和输出端子之间接入；偏置电路，连接在场效应晶体管的漏极和地之间。在这里，偏置电路最好包括串联连接的RF扼流线圈和旁路电容器。本专利技术的微波放大器用场效应晶体管构成，其特征在于，包括电感器，在场效应晶体管的源极和地之间接入；电阻，连接在场效应晶体管的门板和输入端子之间；偏置电路，连接在输入端子和地之间。在这里，偏置电路最好包括串联连接的RF扼流线圈和旁路电容器。附图的简要说明图1是表示实施例1的微波放大器的电路图。图2是实施例1的微波放大器的等效电路图。图3是表示实施例2的微波放大器的电路图。图4是实施例2的微波放大器的等效电路图。图5是表示实施例3的微波放大器的电路图。图6是实施例3的微波放大器的等效电路图。图7是表示实施例4的微波放大器的电路图。图8是实施例4的微波放大器的等效电路图。图9是表示实施例5的微波放大器的电路图。图10是实施例5的微波放大器的等效电路图。图11是表示实施例6的微波放大器的电路图。图12是实施例6的微波放大器的等效电路图。图13是表示实施例7的微波放大器的电路图。图14是实施例7的微波放大器的等效电路图。图15是表示实施例8的微波放大器的电路图。图16是实施例8的微波放大器的等效电路图。图17是表示实施例9的微波放大器的电路图。图18是实施例9的微波放大器的等效电路图。图19是表示实施例10的微波放大器的电路图。图20是实施例10的微波放大器的等效电路图。图21是表示第1个已有技术例的微波放大器的电路图。图22是第1个已有技术例的微波放大器的等效电路图。图23是表示第2个已有技术例的微波放大器的电路图。图24是第2个已有技术例的微波放大器的等效电路图。实施专利技术的最佳方式以下参照附图说明本专利技术的实施例。实施例1图1是表示实施例1的微波放大器的电路图。在图中，10是源极接地型微波放大器；11是FET；12是连接在FET11的源极和地之间的电感器；13是在FET11的源极和地之间与电感器12并联连接的电阻。接着说明其工作过程。送给源极的信号在FET11被放大，被放大的信号通过漏极被取出。因为将电感器12连接在FET11的源极和地之间，所以可以使得用于使FET11的噪声最小的输入阻抗和用于使反射最小的电阻接近，可以同时提高噪声特性和反射特性。而且，由于电感器12是在半导体芯片或半导体基板上形成，如图2所示，电感器12具有寄生成分B。因此，该寄生成分B成为与电感器12并联连接的电容的状态，从而构成并联共振电路14。电感器12由于该寄生成分B而以频率fo共振，从而并联共振电路14开路。但是，由于连接有与电感器12并联的电阻13，所以FET11的源极能通过电阻13而接地，从而FET11在频率fo频带的不必要的振动被抑制。其结果，微波放大器10的工作在共振频率fo变得稳定。另外，FET11、电感器12、电阻13既可以在一个半导体基板上形成，也可以分别在不同的半导体芯片上形成。另外，还可以将FET11、电感器12、电阻13的一部分元件在半导体芯片上形成，而其余的元件在半导体基板上形成。实施例2下面用图3说明实施例2的微波放大器。在图中，20是源极接地型微波放大器；21是FET；22是连接在FET21的源极和地之间的电感器(第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用场效应晶体管构成的微波放大器，其特征在于，在上述场效应晶体管的源极和地之间，将电感器和电阻并联地接入。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：中原和彦，伊藤康之，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]