同步整流自驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了同步整流自驱动电路，包括：驱动绕组；第一限幅电路，其输入端连接至驱动绕组的一端，其输出端连接至延时电路的一端，以及其接地端连接至等效接地；第一加速关断电路，其控制端连接至驱动绕组的另一端，输出端作为同步整流自驱动电路的输出端，其接地端连接至等效接地；以及第一延时电路，其一端连接至第一限幅电路的输出端，其另一端连接至第一加速关断电路的输出端。通过本发明专利技术，提供了一种可以改善驱动电压尖峰幅值、减小驱动电压幅值变化、损耗小、成本低、应用范围广的同步整流自驱动电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源领域，具体地涉及DC/DC同步整流的自驱动 电路。
技术介绍
随着功率变换器输出电压的降低，整流损耗成为变换器的主要 损耗。基于如何降低低压大电流功率变换器的整流损耗和提高整流 效率的同步整流技术，成为低电压大电流功率变换器的技术瓶颈和 技术核心。但是同步整流MOS管的栅源极间有一层很薄的极易被 击穿的氧化层，如果驱动电压偏高，就会造成大的驱动损耗，如果 超过其最大4册源击穿电压，或者出现栅源负偏压，则器件就会永久 损坏。DC/DC变换器的同步整流才支术主要有三种自驱、他驱以及自驱和^也马区相结合的方式。/人4支术成本和性能来看，第一种驱动方 式具有明显的优点，因此发展非常迅速。这种驱动方式多采用主变 压器绕组直4妄驱动或辅助绕组自驱动的方式，^旦这两种驱动的方式 很可能造成栅源驱动电压超过MOS管的最大栅源击穿电压或栅源负偏压，/人而损坏MOSFET。图1是现有的应用于单端变换的同步整流自驱动电路，其中， Na为驱动绕组，其与主变压器绕组同步；R3和C1组成延时电路； 加速关断电i 各由Rl、 VD1和Q2组成；VD2和R2组成的保持电^各 则给Q2提供了一个电流通路，并起到了电荷保持的作用。当变压 器IIT入为高压，或者主变压器绕组与驱动绕组匝比不匹配造成同步整流管和同步续流管的栅源电压超过其最高限压，再或者由于绕组 耦合不好造成磁路漏感引起驱动电压尖峰幅值过高，如果驱动电压不#皮抑制，那么MOS管:f尤会7"K久损坏。因此在同步整流驱动电3各 中需要采用限幅电路来抑制驱动电压过高；采用防反压电路来抑制 初开源负偏压。
技术实现思路
根据上述问题而做出本专利技术，因此本专利技术的目的在于提供一种 同步整流自驱动电^各。根据本专利技术的同步整流自驱动电路，包括驱动绕组；第一限 幅电^各，其llr入端连4妄至驱动绕组的一端，其丰箭出端连4妄至延时电 ^各的一端，以及其4妄地端连接至等效4妻地；第一加速关断电^各，其 控制端连接至驱动绕组的另 一端，输出端作为同步整流自驱动电路 的输出端，其接地端连接至等效接地；以及第一延时电路，其一端 连接至第一限幅电路的输出端，其另一端连接至第一加速关断电路的车lr出端。此外，在该电3各中，第一限幅电^各包4舌MOS晶体管，其源扭_ 连接至第一延时电路的一端；限流电阻，连接在驱动绕组的一端与 MOS晶体管的漏极之间；偏置电阻，连接在MOS晶体管的漏极和 才册极之间；箝位二才及管，其阴极连4妻至MOS晶体管的初財及以及其 阳才及连接至反压二极管的阳极；以及反压二才及管，阳极连接至箝位 二极管的阳极以及其阴极连接至等效接地。此夕卜，在该电路中，还包括保持回路，连接在驱动绕组的一 端与等效4妄地之间。此外，在该电路中，第一加速关断电路的输出端连接至同步整 流管的栅极。其中，等效接地为同步整流管的源极。此外，在该电^各中，还包括第二限幅电-各，其输入端连4妄至驱动绕组的另一端，以及其输出端连接至延时电路的一端；第二加 速关断电^各，其控制端连4妻至驱动绕组的一端，输出端作为同步整 流自驱动电路的输出端，其接地端连接至等效接地；以及第二延时 电路，其一端连接至第二限幅电路的输出端，其另一端连接至第二 加速关断电路的输出端。此外，在该电3各中，第二限幅电路包括MOS晶体管，其源极 连接至第二延时电路的一端；限流电阻，连接在驱动绕组的另一端 与MOS晶体管的漏极之间；偏置电阻，连接在MOS晶体管的漏极 和栅极之间；箝位二极管，其阴极连接至MOS晶体管的栅极以及 其阳极连接至反压二极管的阳极；以及反压二极管，阳极连接至箝 位二才及管的阳才及以及其阴极连接至等效4妻地。此外，在该电3各中，第二加速关断电3各的1餘出端连4妄至同步续 流管的栅极。并且同步续流管的源极与同步整流管的源极共同为等 效接地。通过本专利技术的上述方面，主变压器绕组直纟妻驱动或辅助绕组自 驱动的方式中耦合磁路漏感？ 1起驱动电压尖峰幅值过高，输入电压 变化范围大引起的副边同步整流驱动电压幅值变化大等问题，以期 提供一种可以改善驱动电压尖峰幅值、减小驱动电压幅值变化、损 谇毛小、成本低、应用范围广的同步整流自驱动电^各。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部 分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本发 明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附 图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来才是供对本专利技术的进一 步理解，并且构成说明书的 一部 分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中图1是示出了现有的应用于单端变换的同步整流自驱动电路；图2是示出了根据本专利技术实施例的电路结构原理图；图3是示出了4艮据本专利技术实施例的装置在单端正激变换器应用 中的电3各结构原理图；图4是示出了根据本专利技术实施例的应用于单端反激式变换器中 的实施例电路结构原理图；图5是示出了根据本专利技术实施例的应用于单端有源箝位变换器 中的实施例电^各结构原理图；图6是示出了根据本专利技术实施例的应用于单端电容谐振复位变 才灸器中的实施例电^^结构原理图；图7是示出了根据本专利技术的一个简化的实施例；以及图8是示出了根据本专利技术的另一简化的实施例。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此 处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本 专利技术。图2是示出了根据本专利技术实施例的电路结构原理图。 如图2所示，包括驱动绕组，第一限幅电^各，第一加速关断电路，第一延时电路和保持回路。其中第一限幅电路包括MOS管Ql、 限流电阻R3 、偏置电阻R4、箝位二才及管VD4和防反压二才及管VD3; 限流电阻R3 4妄于驱动绕组和MOS管Ql的漏才及之间，偏置电阻R4 4妻于MOS管Ql的漏极和才册才及之间，箝位二才及管VD4的阴极接MOS 管Ql的4册才及，阳才及4妄防反压二极管VD3的阳才及，防反压二才及管 VD3的阴杉U姿SR-GND, MOS管Ql的源招^妻R5。第一延时电丄珞 由R5和C1组成，R5的一端接MOS管Ql的基极，另一端接Cl, C1的另一端接A点，即同步整流管的栅极。第一加速关断电路由 Rl、 VD1和Q2组成，R1是Q2的马区动电阻， 一端接驱动绕组，另 一端4妄Q2的4册才及，VD1是箝位二极管，其阴^U妻Q2的初iH及，阳 才及4妄SR-GND 。保持回3各由VD1和R2组成。图3是示出了才艮据本专利技术实施例的装置在单端正激变换器应用 中的电3各结构原理图。如图3所示，其包括驱动绕组，第一限幅电路，第一加速关 断电^各，第一延时电^各和第二限幅电^各，第二加速关断电路，第二 延时电^各。其中第一限幅电^各包括MOS管Q2、限流电阻R2、偏 置电阻R4、箝^立二才及管VD4和防反压二才及管VD3;限流电阻R2 4妄于驱动绕组和MOS管Q2的漏才及之间，偏置电阻R4 "l妻于MOS 管Q2的漏极和栅极之间，箝位二极管VD4的阴极接MOS管Q2 的初財及，阳才及接防反压二才及管VD3的阳才及，防反压二才及管VD3的 阴极接SR-GND, MOS管Q2的源极接R8。第一延时电路由R8和 C2组成，R8的一端接MOS管Q2的源极，另一端接C2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同步整流自驱动电路，其特征在于，包括：驱动绕组；第一限幅电路，其输入端连接至所述驱动绕组的一端，其输出端连接至延时电路的一端，以及其接地端连接至等效接地；第一加速关断电路，其控制端连接至所述驱动绕组的另一端，输出端作为所述同步整流自驱动电路的输出端，其接地端连接至所述等效接地；以及所述第一延时电路，其所述一端连接至所述第一限幅电路的输出端，其另一端连接至所述第一加速关断电路的输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳玉叶，曾新文，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]