【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种在 EEPR0M中形成隧道氧化层窗口的方法。
技术介绍
随着EEPROM (电擦除可编程只读存储器)技术的发展,存储管单元 的尺寸越来越小,因此操作电压也希望越来越小。EEPROM的擦写是通过 在隧道氧化层窗口中的FN遂穿来实现的,通常的做法是利用湿法刻蚀来 形成隧道氧化层窗口,由于湿法刻蚀的各向同性造成了这种方法很难把隧 道氧化层窗口做小。这将直接影响到存储管单元尺寸,影响器件的集成度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种在EEPROM中形成隧道氧化层窗 口的方法,它能够减小隧道氧化层窗口,提高器件的集成度。为解决上述技术问题,本专利技术的在EEPROM中形成隧道氧化层窗口的 方法是,在器件区和非器件区的硅片表面形成有一层牺牲氧化层,在该牺 牲氧化层的表面涂覆光刻胶,并在器件区预设隧道氧化层窗口的位置去除 掉多余的光刻胶,直至所述牺牲氧化层的表面;接下来,首先,采用砷离子对预设的隧道氧化层窗口的位置进行轰击;去除光刻胶,采用湿法刻蚀去除所述的牺牲氧化层;然后,在器件区和非器件区的硅片表面成长高压氧化膜,预设的隧道氧化层窗口的位置形成的高压氧化膜的厚度大于,没有经过重离子砷轰击的其余器件区和非器件区硅片表面成长的高压氧化膜;在器件区的高压氧化膜上涂覆光刻胶,采用干法刻蚀,进行隧道氧化层窗口的光刻,干刻隧道氧化层窗口的时候,光罩在非器件区和预设的隧道氧化层窗口位置同时打开;干刻终点探测停止在非器件区的硅片表面; 利用湿法刻蚀去除终点探测干刻时剩下的G0X (栅氧化层)。 由于采用上述 ...
【技术保护点】
一种在EEPROM中形成隧道氧化层窗口的方法,在器件区和非器件区的硅片表面形成一层牺牲氧化层,在该牺牲氧化层的表面涂覆光刻胶,并在器件区预设隧道氧化层窗口的位置去除掉多余的光刻胶,直至所述牺牲氧化层的表面,其特征在于: 首先,采用砷离 子对预设的隧道氧化层窗口的位置进行轰击; 去除光刻胶,采用湿法刻蚀去除所述的牺牲氧化层; 然后,在器件区和非器件区的硅片表面成长高压氧化膜,预设的隧道氧化层窗口的位置形成的高压氧化膜的厚度大于没有经过重离子砷轰击的其余器件区和非 器件区硅片表面成长的高压氧化膜; 在器件区的高压氧化膜上涂覆光刻胶,采用干法刻蚀,进行隧道氧化层窗口的光刻,干刻隧道氧化层窗口的时候,光罩在非器件区和预设的隧道氧化层窗口位置同时打开; 干刻终点探测停止在非器件区的硅片表面; 利用湿法刻蚀去除终点探测干刻时剩下的栅氧化层。
【技术特征摘要】
1、一种在EEPROM中形成隧道氧化层窗口的方法,在器件区和非器件区的硅片表面形成一层牺牲氧化层,在该牺牲氧化层的表面涂覆光刻胶,并在器件区预设隧道氧化层窗口的位置去除掉多余的光刻胶,直至所述牺牲氧化层的表面,其特征在于首先,采用砷离子对预设的隧道氧化层窗口的位置进行轰击;去除光刻胶,采用湿法刻蚀去除所述的牺牲氧化层;然后,在器件区和非器件区的硅片表面成长高压氧化膜,预设的隧道氧化层窗口的位置形成的高压氧化膜的厚度大于没有经过重离子砷轰击的其余器件区和非器件区硅片...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙亚亚,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。