【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种用铬-镍-银形成的金属阻挡层改进双向晶闸管的烧结工艺。众此周知，电力半导体器件是分立器件，对那些中大功率的器件，其硅片面积较大，为了起到支撑硅片、欧姆接触及散热作用，要把硅片烧结到钼片上，现有的烧结工艺是用纯铝或硅铝片，在680℃-700℃和真空下把硅片和钼片烧结在一起，这种工艺对普通的单一导电类型的硅片的烧结还可以，但对那些有p、n不同导电类型的硅片表面烧结，例如双向晶闸管，逆导晶闸管等，若控制不好，将导致n型硅在烧结后被受主杂质铝“吃掉”，而反型，至少会使其施主杂质被部分补偿。这样，将使器件的Ⅲ象限的通态压降变大、dv/dt耐量降低。而且，这种烧结工艺在磨角时常发现有孔洞和翻铝现象，使器件的阻断特性变差，另一方面，因为烧结形成的合金结深而不平坦(附图说明图1)，影响了双向晶闸管参数的一致性和器件的成品率。为了避免n型硅在烧结时被铝“吃掉”或被部分补偿，提高器件的烧结成品率，改善器件的通态压降、dv/dt耐量、反向阻断特性和各参数的一致性，改善器件的散热效果，本专利技术在硅片和铝片之间建立一个Cr、Ni、Ag三层金属的阻挡层。将硅片、钼片处理干净后，在硅片上先后蒸发上Cr、Ni、Ag金属膜，用硅铝片在真空烧结炉内烧结。先蒸Cr是因为Cr与Si片接触性好。最后一层是Ag，是因为Ag与Al易形成合金。由于Cr，Ni，Ag阻挡层的作用，阻挡了烧结时铝往硅片内的深扩散，避免了烧结端n型硅被“吃掉”或被部分补偿的现象，从根本上解决了烧结沾润不好而产生的孔洞和铝局部深扩散而产生的翻铝现象，使烧结形成的合金结浅而平坦(图2)。因此，改善了器件的通...
【技术保护点】
一种双向晶闸管的烧结工艺其特征在于：在硅片和铝片之间建立一个有Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ三层金属组成的阻挡层。
【技术特征摘要】
1.一种双向晶闸管的烧结工艺其特征在于在硅片和铝片之间建立一个有Cr、Ni、Ag三层金属组成...
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