半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置制造方法及图纸

在半导体装置的制造方法中，准备形成了布线图形１０、在除了与半导体元件２０的电极２２导电性地连接的部分外用保护层５０覆盖的基板１２，该方法包括：将各向异性导电材料１６设置在布线图形１０与电极２２之间、且设置在从基板１２的半导体元件２０的安装区到保护层５０上的第１工序；以及利用各向异性导电材料１６粘接基板１２与半导体元件２０、使布线图形１０与电极２２导电性地导通的第２工序。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置。
技术介绍
随着近年来的电子装置的小型化，要求适合于高密度安装的半导体装置的封装。为了适应这一情况，已开发了BGA(球状栅格阵列)及CSP(芯片比例/尺寸封装)那样的表面安装型封装。在表面安装型封装中，有时使用与半导体芯片连接的、形成了布线图形的基板。在现有的表面安装型封装中，由于难以为了没有间隙地保护布线图形等而形成保护膜，故难以提高生产性。本专利技术是为了解决该问题而进行的，其目的在于提供在可靠性和生产性方面良好的半导体装置的制造方法和利用该方法制造的半导体装置、电路基板和电子装置。专利技术的公开(1)与本专利技术有关的半导体装置的制造方法是利用粘接剂来连接形成了电极的半导体元件与基板的半导体装置的制造方法，其中，在上述基板上形成了布线图形，上述基板在除了与上述布线图形中的上述电极的导电性的连接部分外用保护层来覆盖，上述半导体装置的制造方法包括在上述布线图形与上述电极之间、且从上述基板中的上述半导体元件的安装区到上述保护层上设置上述粘接剂的第1工序；以及利用上述粘接剂粘接上述基板与上述半导体元件，使上述布线图形与上述电板导电性地导通的第2工序。按照本专利技术，由于以覆盖保护层的方式来设置粘接剂，故在粘接剂与保护层之间不形成间隙，布线图形不露出，可防止其迁移现象。(2)在该半导体装置的制造方法中，导电粒子可被分散于上述粘接剂中，利用上述导电粒子使上述布线图形与上述电极导电性地导通。按照这一点，由于利用导电粒子使布线图形与电极导电性地导通，故可以在可靠性和生产性方面良好的方法来制造半导体装置。(3)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序之前预先在上述半导体元件的形成了上述电极的上述面上设置上述粘接剂。(4)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第1工序之前预先在上述基板的形成了上述布线图形的面上设置上述粘接剂。(5)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂可以是热硬化性的粘接剂。(6)在该半导体装置的制造方法中，在上述第1工序中，在从上述半导体元件溢出的状态下设置上述粘接剂，在上述第2工序中，在上述半导体元件与上述基板之间加热，在上述半导体元件与上述基板之间使上述粘接剂硬化，在上述第2工序后，可包括对上述粘接剂中的在上述第2工序中未结束硬化的部分加热的第3工序。(7)在该半导体装置的制造方法中，在上述第3工序中，可利用加热夹具来加热上述粘接剂。(8)在该半导体装置的制造方法中，也可使与上述粘接剂的脱模性高的脱模层介入到上述加热夹具与上述粘接剂之间，来加热上述粘接剂。(9)在该半导体装置的制造方法中，也可在上述加热夹具中设置上述脱模层。(10)在该半导体装置的制造方法中，也可在上述粘接剂上设置上述脱模层。(11)在该半导体装置的制造方法中，在上述第3工序中，也可以非接触方式加热上述粘接剂。(12)在该半导体装置的制造方法中，也可包括在上述基板上形成与上述布线图形连接的焊锡球时的回流工序，在上述回流工序中进行上述第3工序。(13)在该半导体装置的制造方法中，也可包括在将除了上述半导体元件外的电子部件导电性地接合到上述布线图形上时的回流工序，在上述回流工序中进行上述第3工序。(14)在该半导体装置的制造方法中，可在上述第2工序后，在上述粘接剂的与上述半导体元件接触的区域以外的区域中切断上述基板。(15)在该半导体装置的制造方法中，切断上述基板的位置也可以是在上述基板的上述布线图形的端部的外侧的区域。(16)在该半导体装置的制造方法中，也可在切断上述基板前使上述粘接剂的整体硬化，与上述基板一起切断已硬化的上述粘接剂。(17)在该半导体装置的制造方法中，在上述第2工序中，也可使上述粘接剂绕入到上述半导体元件的侧面的至少一部分上。按照这一点，由于粘接剂覆盖半导体元件的侧面的至少一部分，故可保护半导体元件免受机械的破坏，除此以外，可防止水分到达电极，可防止电极受到腐蚀。(18)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂也可在上述第1工序中以比上述第2工序结束后的上述半导体元件与上述基板的间隔大的厚度被设置，在上述第2工序中在上述半导体元件与上述基板之间被加压，从上述半导体元件溢出。(19)在该半导体装置的制造方法中，上述粘接剂可含有遮光性材料。按照这一点，由于粘接剂含有遮光性材料，故可遮住朝向半导体元件的具有电极的面的散光。由此，可防止半导体元件的误操作。(20)在该半导体装置的制造方法中，可预先准备在除了上述半导体元件的安装区及其周边外用上述保护层覆盖的上述基板。(21)与本专利技术有关的半导体装置包括具有电极的半导体元件；形成了布线图形的基板；在除了上述布线图形中的与半导体元件的电极导电性地连接的部分外在上述基板上设置的保护层；以及粘接剂，上述粘接剂被设置在从上述半导体元件的安装区到上述保护层上，上述半导体元件的上述电极与上述布线图形导电性地导通。按照本专利技术，由于以覆盖保护层的方式来设置粘接剂，故在粘接剂与保护层之间不形成间隙，布线图形不露出，可防止其迁移现象。(22)在该半导体装置中，导电粒子可被分散于上述粘接剂中来构成各向异性导电材料。按照这一点，由于利用各向异性导电材料使布线图形与电极导电性地导通，故在可靠性和生产性方面良好。(23)在该半导体装置中，上述各向异性导电材料可覆盖上述布线图形的全部而被设置。(24)在该半导体装置中，上述粘接剂也可覆盖上述半导体元件的侧面的至少一部分。按照这一点，由于粘接剂覆盖半导体元件的侧面的至少一部分，故可保护半导体元件免受机械的破坏。此外，在半导体元件中，由于用粘接剂覆盖到离电极远的位置，故水分难以到达电极，可防止电极受到腐蚀。(25)在该半导体装置中，上述粘接剂可含有遮光性材料。按照这一点，由于粘接剂含有遮光性材料，故可遮住朝向半导体元件的具有电极的面的散光。由此，可防止半导体元件的误操作。(26)在该半导体装置中，可在除了上述半导体元件的安装区及其周边外形成了上述保护层。(27)与本专利技术有关的半导体装置利用上述方法来制造。(28)在与本专利技术有关的电路基板中安装了上述半导体装置。(29)与本专利技术有关的电子装置具有上述电路基板。附图的简单说明图1A-图1D是示出与第1参考形态有关的半导体装置的制造方法的图，图2A和图2B是示出第1参考形态的变形例的图，图3A和图3B是示出与第2参考形态有关的半导体装置的制造方法的图，图4A和图4B是示出与实施形态有关的半导体装置的制造方法的图，图5A和图5B是示出与第3参考形态有关的半导体装置的制造方法的图，图6是示出安装了与本实施形态有关的半导体装置的电路基板的图，图7是示出具备安装了与本实施形态有关的半导体装置的电路基板的电子装置的图。实施专利技术用的最佳形态以下，参照附图说明本专利技术的优选实施形态。在图5A和图5B中示出了本专利技术的实施形态。在本专利技术的实施中，可应用以下的参考形态。(第1参考形态)图1A～图1D是示出与第1参考形态有关的半导体装置的制造方法的图。在本参考形态中，如图1A中所示，使用在至少一个面18上形成了布线图形10的基板12。基板12可以是柔性基板等的由有机系列材料形成的基板、金属系列基板等的由无机系列材料形成的基板、或将两者组合起来的基板中的任一种。作为柔性基板，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，该方法是利用粘接剂来连接形成了电极的半导体元件与基板的半导体装置的制造方法，其中，在上述基板上形成了布线图形，上述基板在除了与上述布线图形中的上述电极的导电性的连接部分外用保护层来覆盖，其特征在于，包括： 在上述布线图形与上述电极之间、且从上述基板中的上述半导体元件的安装区到上述保护层上设置上述粘接剂的第１工序；以及 利用上述粘接剂粘接上述基板与上述半导体元件，使上述布线图形与上述电极导电性地导通的第２工序。

【技术特征摘要】
JP 1998-7-1 201246/981.一种半导体装置的制造方法，该方法是利用粘接剂来连接形成了电极的半导体元件与基板的半导体装置的制造方法，其中，在上述基板上形成了布线图形，上述基板在除了与上述布线图形中的上述电极的导电性的连接部分外用保护层来覆盖，其特征在于，包括在上述布线图形与上述电极之间、且从上述基板中的上述半导体元件的安装区到上述保护层上设置上述粘接剂的第1工序；以及利用上述粘接剂粘接上述基板与上述半导体元件，使上述布线图形与上述电极导电性地导通的第2工序。2.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于导电粒子被分散于上述粘接剂中，利用上述导电粒子使上述布线图形与上述电极导电性地导通。3.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第1工序之前预先在上述半导体元件的形成了上述电极的上述面上设置上述粘接剂。4.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第1工序之前预先在上述基板的形成了上述布线图形的面上设置上述粘接剂。5.如权利要求1中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于上述粘接剂是热硬化性的粘接剂。6.如权利要求5中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第1工序中，在从上述半导体元件溢出的状态下设置上述粘接剂，在上述第2工序中，在上述半导体元件与上述基板之间加热，在上述半导体元件与上述基板之间使上述粘接剂硬化，在上述第2工序后，包括对上述粘接剂中的在上述第2工序中未结束硬化的部分加热的第3工序。7.如权利要求6中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第3工序中，利用加热夹具来加热上述粘接剂。8.如权利要求7中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于使与上述粘接剂的脱模性高的脱模层介入到上述加热夹具与上述粘接剂之间，来加热上述粘接剂。9.如权利要求8中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述加热夹具中设置上述脱模层。10.如权利要求8中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述粘接剂上设置上述脱模层。11.如权利要求6中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在上述第3工序中，以非接触方式加热上述粘接剂。12.如权利要求6中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于包括在上述基板上形成与上述布线图形连接的焊锡球时的回流工序，在上述回流工序中进行上述第3工序。13.如权利要求6中所述的半导体装置的制造方法，其特征在于包括在将除了上述半导体元件外...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥元伸晃，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]