半导体或液晶制造装置制造方法及图纸

一种制造半导体或液晶的装置，其在反应容器９中备有，其内部埋设有阻抗发热体３的陶瓷保持体１、一端２ａ支持陶瓷保持体１而另一端２ｂ被固定在反应容器９上的筒状支持部件２；筒状支持部件２的一端２ａ与陶瓷保持体１之间气密性结合，同时另一端２ｂ侧在内部被隔板６和密封材料７气密密封。这种半导体或液晶制造装置，优选使筒状保持体２内的被陶瓷保持体１和隔板６划分的空间形成真空或惰性气体减压气氛下。在具有上记结构的半导体或液晶制造装置中，筒状支持部件容易进行气密密封，能够防止在陶瓷保持体的背面露出的电极端子４被腐蚀和氧化，而且在提高保持体均热性的同时还能提高热效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在反应容器内备有保持和加热被处理物的构件(means)的半导体或液晶的制造装置，特别涉及CVD装置、等离子CVD装置、腐蚀(etching)装置、等离子腐蚀装置等半导体或液晶制造装置。
技术介绍
在半导体晶片上进行腐蚀和成膜的场合下，一般使用反应控制性能优良的单张式半导体制造装置。将半导体晶片载于设置在反应容器内的保持体的表面上，通过原样静置、或者机械固定，或者对内藏在保持体的电极施加电压后依靠静电力夹紧，固定在保持体上。被保持的半导体晶片，为了在CVD(化学气相沉积)、等离子CVD等、或者腐蚀、等离子腐蚀等中使成膜速度和腐蚀速度保持均一，其温度被严格控制。为了这种严格的温度控制，利用保持体内藏的发热体加热保持体，借助于从其表面的热传导作用加热半导体晶片。内藏发热体的保持体，例如是将Mo线圈埋入陶瓷中形成的。而且将与Mo线圈连接的W或Mo的电极设在保持体的被处理物保持表面的反对侧(背面)，将Ni等引线与该电极端子接合后连接到系统外的电源上，向被埋入陶瓷保持体内的Mo线圈供给电力，以此方式进行加热。在上记反应容器中，由于大多使用卤素类等腐蚀性气体作为反应气体，所以在保持体背面露出的W或Mo的电极容易被腐蚀。于是将耐蚀性强的陶瓷或金属制的筒状支持部件与保持体的背面气密接合，同时将筒状支持部件的另一端在反应容器的一部分上用O型环密封，利用这种方法保护电极端子，以便防止其暴露在反应气体中。在以往的半导体或液晶的制造装置中，为了保护保持体背面的电极端子不受腐蚀性气体的腐蚀，采用的是将容纳了电极端子的筒状支持部件与反应容器之间用O型环气密密封的方法。所必须的气密性，以He泄漏计算至少应当低于10-8Pam3/s。虽然O型环密封简便、价廉而且可靠性高，但是由于O型环是由橡胶制成的，所以即使使用耐热性较强的材料其耐热温度上限也仅仅为200℃。在半导体或液晶的制造过程中膜形成、腐蚀、热处理等，大多在200℃以上温度下才能产生反应，其中对于膜形成用的CVD或等离子CVD来说大多采用500～800℃高温。因此，为了使O型环不致因传过筒状保持体而来的热量而被劣化，对O型环附近强制冷却，使之维持在小于200℃。其结果，所供给热量中有50％以上因不能用于本来的晶片加热而白白地损失掉了。而且当采用陶瓷材料制造筒状支持部件的场合下，一旦对筒状支持部件施加很大的热梯度，由于本身是脆性材料的陶瓷龟裂，所以要制成长度约300毫米左右的筒状支持部件，就不得不减小温度梯度。必须将这样长的筒状部件收入其中的反应容器也不能小型化，因而不得不采用超过需要的大型结构。此外筒状支持部件，虽然能用气密方式来防止来自反应容器的卤素等腐蚀性气体的侵入，但是其内部大多处于大气气氛下。这种场合下，电极端子附近由于暴露在500～800℃大气的氧化气氛下，所以必须对耐氧化性差的W或Mo电极端子进行抗氧化性密封处理来加以保护。然而，对长筒状支持部件的内部进行密封处理操作并不是一件容易的事，而且制造的成品率低。
技术实现思路
鉴于这种以往情况，本专利技术目的在于提供一种筒状支持部件的气密密封操作容易、能够防止电极端子的腐蚀和氧化，而且在提高保持体的均热性的同时还能提高热效率，并且可将筒状支持部件制成短尺寸而能实现反应容器小型化的半导体或液晶的制造装置。为了达成上记目的，本专利技术涉及这样一种半导体或液晶的制造装置，其中在被供给反应气体的反应容器内，备有将被处理物保持在表面上同时靠被埋设在内部的阻抗发热体进行加热的陶瓷保持体；用一端支持陶瓷保持体的被处理物保持表面以外，并另一端被固定在反应容器一部分上的筒状支持部件，其特征在于将筒状支持部件的一端与陶瓷保持体气密结合，同时将筒状支持部件的另一端侧在内部气密密封，使筒状支持部件内的被陶瓷保持体与所述筒状支持部件的另一端侧密封部所隔开的空间处于真空或者惰性气体的减压气氛下。本专利技术的半导体或液晶的制造装置中，所述筒状支持部件的另一端侧优选仅用密封材料气密密封，或者在筒状支持部件内部设置隔板，用密封材料将其间的间隙气密密封。而且，所述筒状支持部件的另一端侧密封部，优选位于相对于筒状支持部件的长度方向的中央，更靠近筒状支持部件另一端侧的位置，更优选位于筒状支持部件的另一端附近。而且本专利技术的半导体或液晶的制造装置中，所述筒状支持部件另一端侧气密密封用的密封材料，其耐热性优选处于200℃以上。所述密封材料优选是玻璃或结晶化玻璃，或者所述密封材料优选是耐热树脂。此外，在本专利技术的半导体或液晶制造装置中，所述陶瓷保持体和筒状支持部件，优选由从氮化铝、氮化硅、碳化硅和氧化铝中选出的至少一种陶瓷材料构成。而且所述阻抗发热体优选由从W、Mo、Pt、Au、Pd、Ag、Ni和Cr中选出的至少一种金属材料构成。附图说明图1是表示本专利技术的半导体或液晶制造装置一具体例的断面示意图。图2是表示本专利技术的半导体或液晶制造装置另一具体例的断面示意图。具体实施例方式本专利技术的半导体或液晶的制造装置中，将埋设有阻抗发热体的板状陶瓷保持体，与用一端支持这种陶瓷保持体的被处理物保持表面以外的筒状保持体气密接合，同时筒状支持部件的另一端侧在内壁气密密封。在筒状保持体的内部形成由被陶瓷保持体与筒状支持部件的另一端侧密封部气密隔开的空间，通过使此空间内形成真空或者使之处于惰性气体的减压气氛下，即使不实施耐腐蚀性或抗氧化性的密封处理也能保护电极端子，防止其被腐蚀和氧化。而且通过使上记那样的筒状支持部件内的被隔开的空间维持在真空下或惰性气体气氛下，与空气或惰性气体的大气压气氛相比，能够减少陶瓷保持体的热量经由筒状支持部件向内部气氛气体逃逸的比例。而且由于筒状支持部件另一端的气密密封不使用O型环，所以能够对该部分不冷却或者少冷却。这种方法能够提高陶瓷保持体中的均热性，而且还能大幅度提高热效率。关于筒状支持部件另一端侧的气密密封，虽然也可以仅用密封材料密封筒状支持部件的内部，但是考虑到可靠性、操作性和成本等，优选在筒状支持部件的内部设置陶瓷或金属隔板，用密封材料将其间隙密封的方法。而且用于密封筒状支持部件的另一端侧的另一端侧密封部的位置，优选相对于长度方向的中央位于更靠近筒状支持部件的另一端侧(靠近反应容器)。通过使另一端侧密封部尽可能离开陶瓷保持体，并在处于低温的位置进行密封，能够增加密封材料选择的自由度，抑制密封材料的劣化，同时密封操作也容易进行。特别是如果使所述另一端侧密封部处于筒状支持部件的另一端附近，则防止密封材料劣化的效果、密封操作效率最高，因而最优选。筒状支持部件另一端侧的气密密封用的密封材料，不使用耐热性低于200℃的O型环，而使用耐热性处于200℃以上的密封材料。优选使用玻璃或结晶化玻璃、或者酰亚胺树脂、环氧树脂等耐热性树脂作为耐热性在200℃以上的密封材料。密封用玻璃，耐热性和耐氧化性优良，可以不必水冷筒状支持部件的另一端附近而使用。而且若使用耐热性树脂，则容易进行筒状支持部件内部的密封操作，能够在常温下密封，所以能够大幅度减低密封成本，大幅度提高成品率。陶瓷保持体优选是对卤素等耐腐蚀性强、耐热性和绝缘性高的陶瓷；具体讲，更优选使用氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)。作为被埋入陶瓷保持体内的阻抗发热体，优选由W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体或液晶制造装置，其在被供给反应气体的反应容器内，备有：将被处理物保持在表面上同时靠埋设在内部的阻抗发热体进行加热的陶瓷保持体；一端支持陶瓷保持体的被处理物保持表面以外，另一端被固定在反应容器一部分上的筒状支持部件，其特征在于将筒状支持部件的一端与陶瓷保持体气密结合，同时将筒状支持部件的另一端侧在内部气密密封，使筒状支持部件内的被陶瓷保持体与所述筒状支持部件另一端侧密封部所隔开的空间处于真空或者惰性气体的减压气氛下。

【技术特征摘要】
JP 2002-3-5 058149/20021.一种半导体或液晶制造装置，其在被供给反应气体的反应容器内，备有将被处理物保持在表面上同时靠埋设在内部的阻抗发热体进行加热的陶瓷保持体；一端支持陶瓷保持体的被处理物保持表面以外，另一端被固定在反应容器一部分上的筒状支持部件，其特征在于将筒状支持部件的一端与陶瓷保持体气密结合，同时将筒状支持部件的另一端侧在内部气密密封，使筒状支持部件内的被陶瓷保持体与所述筒状支持部件另一端侧密封部所隔开的空间处于真空或者惰性气体的减压气氛下。2.根据权利要求1所述的半导体或液晶制造装置，其特征在于所述筒状支持部件的另一端侧，仅用密封材料气密密封，或者在筒状支持部件内部设置隔板，用密封材料将其间的间隙气密密封。3.根据权利要求1或2所述的半导体或液晶制造装置，其特征在于所述筒状支持部件的另一端侧密封部，相对于筒状支持部...

【专利技术属性】
技术研发人员：柊平启，夏原益宏，仲田博彦，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]