本发明专利技术可防止由于树脂在反射面爬升造成反射面的集光效果低下的情形，包括引线２０，其被设置于光半导体组件２３上且用于从外部从对光半导体组件２３传送电力，以及一外围构件３０以保持该引线２０，且形成一凹部以暴露出光半导体组件２３的联机区域。其中该外围构件被形成包括第１凹部５０，可以容置光半导体组件与光学树脂材料；第２凹部６０具有反射面６１，被配置以围绕第１凹部５０，使从第１凹部５０发出的光反射；以及突条部７０，在第１凹部５０与第２凹部６０之间，在光学树脂材料被填入第１凹部５０之际，可以防止光学树脂材料在第２凹部６０的浸湿爬升。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在引线(lead)上被连接(bonding)光半导体组件，利用光学树脂材料的树脂以封盖而被形成的光半导体装置，且特别是关于由光学树脂材料所成的透光树脂部另外具有反射面，有优良光学特性与高生产性。
技术介绍
做为用表面封装的发光二极管(LED)等的光半导体装置的封装，引线利用插入热可塑性树脂而被形成制造的技术已为所知(例如参考特许文献1)。图5是光半导体装置的一种的光半导体封装100。光半导体封装100包括引线101；被形成在引线101的下面侧101a与上面侧101b的由热可塑性树脂制的基部102；透光树脂部103，填入于被形成在基部102的凹部102a，由不会吸收从后述发光组件104发出的光的透光性树脂所成；被搭载于引线101上的发光组件104。图5中，105表示使发光组件104的端子与引线101导通的金属线。光半导体封装100用以下的制程制造。即是，引线101被插入金属模具内部，利用射出成形填充热可塑性树脂以制造基部102的部份。之后，在引线101一端的电极上涂布黏胶后，搭载发光组件104，而另一个电极以金属线105连接(bonding)使可以导通。之后，透光性树脂于空隙在连接所需要的硬化条下使硬化，以形成透光树脂部103，而完成制造。对于光半导体封装100，从发光组件104发出的光，透过透光树脂部103而被产生，以伸展从100°到120°程度的指向角被射出。借此，从光半导体封装100被产生的光，因为没有设置透镜与反射部而不会局限集光，不适用于对前方部份的特定范围照明的用途。因此，封盖树脂填充部采用设置使其它的光反射而控制指向性的反射面部的结构。图6是，有如图标结构的光半导体装置的一例的光半导体封装200的剖面图。光半导体封装200包括引线201，以及封盖引线201的外围构件202。外围构件202包括第1凹部202a，以及被配置于围绕第1凹部202a的位置的第2凹部202b。对于第1凹部202a，以填充混有萤光体的硅树脂而被形成透光树脂部203。在第2凹部202b的内壁面被形成反射面204。还，在引线201上，被搭载发光组件205。此发光组件205的一端子与引线201的电极利用金属线206被导通。又，图6中的Q，表示从透光树脂部203出射的光的出射方向。特许文献1特开2000-183407。综上所述，由传统的封盖树脂连接部与反射面部的封装结构所构成的光半导体装置，有以下的问题。即是，注入混合萤光体的硅树脂后，用所定硬化条件下的使硬化步骤，如图7所示，混合萤光体的硅树脂到反射面部会爬上，而缩小反射面的实质面积，因为做为光源的光学树脂材料的表面形状与设计值有差异，会有反射效果不足的情形。又，因为透光树脂部203是凹状的，对于透光树脂部203的中央部，由发光组件205发出的光通过透光树脂部203内部的距离相对地短，而由于在透光树脂部203外周部附近的距离较长，在中央部与外周部的激发发光状态会相异，会有色调偏差的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种光半导体装置，可以防止由于透光性树脂在反射面爬升所造成的反射面集光效果的低下。为解决上述问题而达到目的，本专利技术提出光半导体装置的结构。光半导体装置的结构包括一光半导体组件；一引线，设置在该光半导体组件上，且用于从外部对该光半导体组件提供电力传输；以及一外围构件，用以保持该引线，且被形成有一凹部以至少暴露出该光半导体组件的联机区域。其中该凹部包括含有至少该光半导体组件的一第1开口部；设置在第1开口部的外缘的突条部；以及含有第1开口部与突条部的第2开口部。在上述光半导体装置，该突条部被沿设成向着由该引线所形成的面的法线方向凸出。在上述光半导体装置，该光学树脂材料是由热硬化性树脂混入萤光体所形成。根据本专利技术，可以使用简单结构，以提升光产生效率。为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1是根据本专利技术第1实施例的光半导体装置结构的剖面示意图。图2是根据本专利技术光半导体装置结构的外围构件的剖面示意图。图3是根据本专利技术光半导体装置的制造步骤中所使用的模具80的结构剖面示意图。图4是根据本专利技术第2实施例的光半导体装置结构的剖面示意图。图5是传统光半导体封装一例的剖面示意图。图6是传统具有反射面部的光半导体封装一例的剖面示意图。图7是传统光半导体封装的问题说明图。符号说明10、90光半导体装置 20引线23光半导体组件 24导线30外围构件 40基部50第1凹部 51萤光体树脂部(透光树脂部)60第2凹部 61反射面70突条部 80模具具体实施方式图1是根据本专利技术第1实施例的光半导体装置10结构的剖面图。图2是光半导体装置10结构的外围构件的剖面图。图3是制造步骤中所使用的模具80的结构剖面图。光半导体装置10包括引线20与外围构件30。引线20是由铜材料制成。Ni、Pd及Au以所预定的厚度从铜表面，依Ni、Pd、Au顺序镀上，而结构架表面露出Au。引线20有第1引线21与第2引线22，这些引线21、22上分别设置有电极21a、22a。在电极21a上，设置有发出紫外线的发光组件23。又，发光组件23的电极利用金属线与电极22a连接。外围构件30包括由白色的热可塑性树脂所制成的基部40。基部40设置有第1凹部50与设置在第1凹部50外周侧的第2凹部60，而在第1凹部50与第2凹部60之间被形成有突条部70。在第1凹部50，由混有萤光体的硅树脂被所制成的萤光体树脂部(透光树脂部)51被形成。混有萤光体的硅树脂，是混入可以和由发光组件23发出的紫外光反应而发出可见光的萤光体。在第2凹部60，被形成有反射面61。突条部70，往图1的箭头V方向，即是从引线20的面的法线方向凸出，而从第1凹部50的底部侧向开口部侧延设，其高度H例如是0.1mm，宽度W例如是0.05mm。如此所构成的光半导体装置10，由以下的步骤制造。即是，在射出成形用的模具80内配置引线20。射出成形用的模具80使用，为了形成外围构件30的外形的第1模具81，为了形成第1凹部50、第2凹部60、突条部70的第2模具82。凹处的材质例如是HPM-38(预硬化钢)，在热处理时使用HRC(Rockwell硬度)53～55的条件。第2模具82，是采用在圆筒状的反射面部模具(套筒)83内，通入封盖树脂填充部模具(中心针，core pin)84的结构，其理由说明如下。全部一体的模具，在使用射出成形以作成条状部的情形，在模具侧要掘出一沟部，其对微小的接榫部施以沟加工是非常困难，又因为对于在表面形状不要有弯曲点的R加工(有导角加工)，使用所述组合型的第2模具82为较佳。反射面部模具(套筒)83的内径侧设置有接榫部的突条部70，利用与封盖树脂填充部模具84组合，可以容易形成微小沟85。即是，利用套筒结构，没有沟渠加工的R加工，可以形成边缘形状的突条部70。又，突条部70的前端，即图1中由二点虚线标出的E范围部分比起R形状，其边缘更为直立，从防止树脂漏失的观点上为较佳。使用射出成形用的模具80，例如，在模具温度130℃，树脂溶融温度330℃，由闸口通过时的树脂所见到的黏度300Pa·s，维持压力120Mpa的形成条件，射出成形。使本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光半导体装置，其特征在于：包括：一光半导体组件；一引线，设置在该光半导体组件上，且用于从外部对该光半导体组件提供电力传输；以及一外围构件，用以保持该引线，且被形成有一凹部以至少暴露出该光半导体组件的联机区域；其中该凹部包括：含有至少该光半导体组件的一第１开口部；设置在该第１开口部的外缘的一突条部；以及含有该第１开口部与该突条部的一第２开口部。
【技术特征摘要】
JP 2004-1-5 2004-0006031.一种光半导体装置，其特征在于包括一光半导体组件；一引线，设置在该光半导体组件上，且用于从外部对该光半导体组件提供电力传输；以及一外围构件，用以保持该引线，且被形成有一凹部以至少暴露出该光半导体组件的联机区域；其中该凹部包括含有至少该光半导体组件的一第1开口部；设置在该第1开口部的外缘的一突条部；以及含有该第1开口部与该突条部的一第2开口部。2.一种光半导体装置，其特征在于包括一光半导体组件；一引线，设置在该光半导体组件上，且用于从外部对该光半导体组件提供电力传输；以及一外围构件，用以保持该引线，且被形成有一凹部以至少暴露出该光半导体组件的联机区域；其中该外围构件包括一第1凹部，容置该光半导体组件与一光学树脂材料；一第2凹部，具有一反射壁，被设置围绕该第1凹部，使从第...
【专利技术属性】
技术研发人员：坂本慎，小川功，田村英男，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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