半导体器件的探针对齐验证电路和方法技术

一种探针对齐验证电路，包括传感器垫片、第一传输线、控制单元、数据垫片、第二传输线、和响应单元。传感器垫片包括绝缘部分和导电部分。第一传输线电连接到导电部分和半导体器件的内部。控制单元维护第一传输线处于第一逻辑状态，并且当在导电部分接收到探测信号时，将第一传输线的逻辑状态转换到第二逻辑状态。第二传输线向数据垫片提供预定的信号。响应单元控制第二传输线以便响应于第二逻辑状态而使第二传输线具有用于未对齐状态的验证结果电压的状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及用于验证半导体器件的探针和垫片(pad)之间的对齐(alignment)的探针对齐验证电路和方法。本申请要求于2005年8月4日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-71345的优先权，通过引用将该申请的公开全部并入在此。
技术介绍
通常，以小片(die)形式在半导体圆片上制造半导体器件，它们彼此分离并且封装起来。每个半导体器件在彼此分离之前在该半导体圆片中经受各种测试。对于这样的测试，用于施加测试电压和/或信号的探针需要与每个半导体器件的相应垫片对齐。图1是图解了在半导体器件内验证探针的对齐的方法的图示。如图1所示，半导体器件30包括传感器垫片33。为了测试探针的对齐，传感器垫片33连接到探测卡200的探针。测试器100通过探测卡20的探针向传感器垫片33提供探测信号。当传感器垫片33和探针之间的对齐异常时，连接到传感器垫片33的电路元件(未示出)进行操作并且生成预定的响应信号。因此，测量者可以在执行测试的同时知道出现了异常的对齐。如图1所示，在半导体器件中，分配了用于验证探针的对齐的测试器100的通道。由于工艺的限制，测试器100的通道数目是有限的。将测试器100的通道分配给对探针对齐的验证减少了可用于其它用途的通道数目。因此，在半导体器件中，因为由于通道不足而导致总体测试时间增加，所以出现了问题。因此，存在对用于验证探针和半导体器件的垫片之间的对齐的探针对齐验证电路和方法的需要。
技术实现思路
根据本专利技术实施例的探针对齐验证电路包括传感器垫片，用于接收通过测试器的电压通道提供的探测信号，该传感器垫片包括由绝缘材料构成的绝缘部分以及由导电材料构成的导电部分；以及第一传输线，电连接到传感器垫片的导电部分以及半导体器件的内部。该探针对齐验证电路包括控制单元，用于维护(assert)第一传输线处于第一逻辑状态，并且当在导电部分处接收到探测信号时，转换到第二逻辑状态；数据垫片；第二传输线，用于向数据垫片提供预定的信号；以及响应单元，用于控制第二传输线以便响应于第一传输线的第二逻辑状态而使第二传输线具有用于未对齐状态的验证结果电压的状态。根据本专利技术实施例的探针对齐验证方法包括使探测卡的探针与传感器垫片接触；通过探测卡的探针从测试器向传感器垫片提供探测信号；将通过传感器垫片提供的探测信号传输到探针对齐验证单元；并且在数据垫片处检测验证结果电压的状态；确定验证结果电压的状态是否为电源电压的状态；以及如果检验结果电压的状态是电源电压的状态，则确定探针和传感器垫片未对齐。附图说明根据以下结合附图进行的详细说明，本专利技术的特征将更容易被理解，其中图1是图解了在半导体器件内验证探针对齐的传统方法的图示；图2是图解了用于在对其应用了根据本专利技术的实施例的探针对齐验证电路的半导体器件内验证探针的对齐的测试的图示；图3是详细地图解了根据本专利技术实施例的探针对齐验证电路的图示；图4是图解了图2中的传感器垫片的俯视图结构的图示；以及图5是图解了根据本专利技术的实施例的探针对齐验证方法的流程图。具体实施例方式现在将参考附图，在不同的附图中自始至终使用相同的附图标记标明相同或者类似的部件。下面通过参考附图描述本专利技术的优选实施例，详细地描述了用于。图2是图解了用于在根据本专利技术的实施例对其应用了探针对齐验证电路的半导体器件内验证探针的对齐的测试的图示。在对图2的理解中，应当注意，用地电压VSS作为探测信号。将探测信号施加到传感器垫片，以便检测探针和半导体器件的垫片之间的对齐，例如该对齐是否异常。在图2中，测试器100生成预定的测试信号，而探测卡200将该测试器100连接到半导体器件300。测试器100提供多个测试信号、电源电压VDD和地电压VSS。由测试器100提供的多个测试信号、电源电压VDD和地电压VSS通过探测卡200施加到半导体器件300。测试信号和电压VDD和VSS通过相应的通道111、112、以及113_1到113_n提供给探测卡200。测试器100设计为使单个信号或者电压占据单个通道。不需要单独的探测信号，而且用测试器300提供的电压作为探测信号。优选为，在本专利技术的探针对齐验证电路330中使用的探测信号是地电压VSS。也就是说，地电压VSS起探测信号的作用，该探测信号被提供用来检测探针220和半导体器件的垫片310之间的异常对齐。根据本专利技术实施例的探针对齐验证电路不需要用于验证探针对齐的单独通道。探测卡200将测试器100电连接到其中包括了本专利技术的探针对齐验证电路DPAC的半导体器件300。探测卡200包括内部线路单元210；多个通道接头221、222、和223_1到223_n；以及包括231_1、231_2、232、和233_1到233_n在内的多个探针220。在探测卡200的内部线路单元210中，如图2所示，连接到测试器100的地电压通道111的内部线路分支成两条或者更多的内部线路231_1和232_2。内部线路231_1用于将地电压VSS施加到数据垫片311。内部线路231_2将地电压VSS作为探测信号通过半导体器件300的传感器垫片314传输到探针对齐验证电路DPAC。图2图解了探测卡200中用于传输地电压VSS的内部线路分支成两条线路的示例。然而，对于本领域的技术人员来说，显然探测卡200中用于传输地电压VSS的内部线路可以分支成三条或者更多的线路。半导体器件300包括垫片单元310和探针对齐验证单元330。垫片单元310包括多个数据垫片311、312、和313_1到313_n，以及用于提供和/或接收相应的信号和电压的传感器垫片314。该多个数据垫片311、312、和313_1到313_n及传感器垫片314有规则地布置在半导体器件300内的预定位置。根据本专利技术实施例的探针对齐验证电路DPAC由数据垫片313_n、传感器垫片314和探针对齐验证单元330形成。图3是详细地图解了根据本专利技术实施例的探针对齐验证电路DPAC的图示。探针对齐验证电路DPAC包括数据垫片313_n、传感器垫片314和探针对齐验证单元330。传感器垫片314接收通过测试器200的电压通道111提供的探测信号。传感器垫片314包括绝缘部分314a和导电部分314b。优选为，如图4所示，绝缘部分314a位于传感器垫片314的上表面的中心部分，而导电部分314b位于传感器垫片314的外围部分。绝缘部分314a由绝缘材料形成，而导电部分314b由导电材料构成。例如，绝缘部分314a可以由具有高接触电阻的氧化物构成，而导电部分314b可以由诸如钨或者铝之类的导电金属材料构成。探针对齐验证单元330生成检验结果信号VPRO。控制检验结果信号VPRO，使其响应于将探测信号施加到传感器垫片314的导电部分314b而具有逻辑‘L’(低)状态，这表示探针未与传感器垫片314对齐。探针对齐验证单元330包括第一传输线L1、控制单元331、缓冲器333、响应单元335和第二传输线L2。第一传输线L1将传感器垫片314的导电部分314b与探针对齐验证单元330电连接。第一传输线L1将从传感器垫片314的导电部分314b提供的探测信号引导到半导体器件300的内部。控制单元331控制第一传输线L1，使其具有逻辑‘H’(高)状态。基于从测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的探针对齐验证电路，包括：　　　　传感器垫片，用于接收通过测试器的电压通道提供的探测信号，该传感器垫片包括由绝缘材料构成的绝缘部分和由导电材料构成的导电部分；　　　　第一传输线，电连接到传感器垫片的导电部分以及半导体器件的内部；　　　　控制单元，用于维护第一传输线处于第一逻辑状态，并且当在导电部分接收到探测信号时，转换到第二逻辑状态；　　　　数据垫片；　　　　第二传输线，用于向数据垫片提供预定的信号；以及　　　　响应单元，用于控制第二传输线以便响应于第一传输线的第二逻辑状态而使第二传输线具有用于未对齐状态的验证结果电压的状态。

【技术特征摘要】
KR 2005-8-4 71345/051.一种半导体器件的探针对齐验证电路，包括传感器垫片，用于接收通过测试器的电压通道提供的探测信号，该传感器垫片包括由绝缘材料构成的绝缘部分和由导电材料构成的导电部分；第一传输线，电连接到传感器垫片的导电部分以及半导体器件的内部；控制单元，用于维护第一传输线处于第一逻辑状态，并且当在导电部分接收到探测信号时，转换到第二逻辑状态；数据垫片；第二传输线，用于向数据垫片提供预定的信号；以及响应单元，用于控制第二传输线以便响应于第一传输线的第二逻辑状态而使第二传输线具有用于未对齐状态的验证结果电压的状态。2.如权利要求1所述的探针对齐验证电路，其中绝缘部分布置在传感器垫片的上表面的中心部分；而导电部分布置在传感器垫片的上表面的外围部分。3.如权利要求1所述的探针对齐验证电路，其中探测信号是地电压；并且控制单元包括PMOS晶体管，用于向第一传输线提供电源电压。4.如权利要求1所述的探针对齐验证电路，其中响应单元包括PMOS晶体管，该晶体管响应于具有第二逻辑状态的第一传输线上的信号而被选通。5.如权利要求1所述的探针对齐验证电路，还包括缓冲器，用于缓冲第一传输线上的信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔钟贤，徐宁焄，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]