【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种准双栅SOIMOS晶体管的制作方法,包括如下步骤:1)选用SOI硅片为衬底材料,光刻和刻蚀SOI硅片的半导体薄膜,形成有源区,然后在该有源区上生长栅介质层;2)淀积栅电极层和牺牲介质层,光刻和刻蚀形成栅电极图形; 3)以栅电极图形为掩膜,对SOI硅片的半导体薄膜的部分区域进行浓度呈反向梯度分布的离子注入掺杂,形成重掺杂区,作为所述准双栅SOIMOS晶体管的源区和漏区的牺牲层;4)在栅电极图形上再次淀积牺牲介质层,回刻后在栅电极图形上形 成保护层;以所述保护层为掩膜腐蚀掉所述栅电极图形两侧显露的栅介质层,使所述栅电极图形两侧的SOI硅片的半导体薄膜表面露出;5)腐蚀所述SOI硅片的半导体薄膜表面部分,腐蚀到所述重掺杂区时停止;6)选择腐蚀所述SOI硅片的半导 体薄膜内的重掺杂区,当到达轻掺杂区时腐蚀自然停止,形成空洞;7)淀积绝缘介质,填充腐蚀形成的空洞,回刻去除表面的绝缘介质;8)腐蚀掉栅电极图形的保护层后再在栅电极图形生长一薄介质层;9)离子注入掺杂源区、漏区和栅电极 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张盛东,李定宇,陈文新,韩汝琦,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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