多波束速调管制造技术

一种通过使电子束漂移通路中的磁通均匀来稳定并提高产品的输出功率，还使作为产品输出能量与输入能量比率的效率提高的多波束速调管。它包括：发射多个电子束的阴极；调制从该阴极发射的电子束的密度的密度调制装置；产生用以防止从上述阴极发射的电子束发射的磁力的磁力发生装置；耦合用上述密度调制装置进行了密度调制的电子束的能量使之产生高频的高频发生装置；和收集已通过上述密度调制装置输出了微波的电子束的收集极。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多波束速调管，特别涉及到在阴极和收集极周围配置有第一永磁铁组和第二永磁铁组的多波束速调管。迄今在利用微波的通信、电磁波加热、干燥等领域，用作高频振荡管的已知的速调管，已在例如日本专利公开平2-16533号中披露。该公报所披露的速调管如图9所示，由产生电子束的电子枪部202、使电子束进行密度调制的高频电路部204、收集电子束并将其变成热能的收集极部206等组成。在图9中，208是输入电路、210是输入部磁极片、212是环形永磁体、214是磁轭、216是作为电子束通路的漂移管、218是输出电路、220是输出磁极片。在有上述这样结构的速调管中，由上述电子枪部202产生电子束，在上述高频电路部204使上述电子束密度调制后，将由上述高频电路输出的电子束在上述输出电路部218进行密度调制，然后用上述输出电路218将从上述高频电路204输出的电子束输出到例如电子炉的烹调室，同时通过用上述收集极部206收集从上述高频电路部输出的残余电子束并将上述电子束的能量变成热能，使上述电子束消失。因此，像这样的已有的速调管，由于为了得到高输出必须使用高驱动电压和多个谐振腔，因而有产品体积变大的问题。还由于随着产品体积变大就要用大的永久磁铁或电磁铁，难以在电子束所在的空间内保持均匀的磁通密度，因而存在作为输出能量与输入能量比率的效率降低这样的问题。而且因为要用上述这样大的永磁铁212或电磁铁，还使产品的成本提高。本专利技术正是为了解决上述种种问题而完成的，本专利技术的目的是提供一种由于使电子束的漂移通路上磁通密度均匀，而能使产品的输出功率高而稳定，使作为输出能量与输入能量比率的效率提高的多波束速调管。为了达到上述目的，本专利技术的多波束速调管由以下各部分构成发射多个电子束的阴极；调制从该阴极发射出的电子束密度的密度调制装置；产生用以防止从上述阴极发射的电子束发散的磁力的磁力发生装置；耦合已用上述密度调制装置进行了密度调制的电子束的能量使之产生高频的高频发生装置；和收集已通过上述密度调制装置输出了微波的电子束的收集极。附图说明图1是本专利技术的多波束速调管的一实施例的正视图，图2是本专利技术的多波束速调管的一实施例的剖视图，图3是图2的主要部分的放大图，图4是沿图2中的C-C线的剖视图，图5是沿图2中的B-B线的剖视图，图6是图2的磁轭的外观透视图，图7是沿图2中的A-A线的剖视图，图8是图2的漂移通路上的磁通密度分布图，图9是已有的速调管的剖视图。下面将参照附图对本专利技术的一实施例进行详细说明。如图1和图2所示，发射多个电子束的阴极2由加热器输入端4与发射体输入端6、通过上述加热器输入端4与发射体输入端6接收交流120V或交流240V电压而发热的加热器8、和被由该加热器8发出的热激励而发射电子的发射体10构成。该发射体的表面如图3所示，形成用以发射多个电子束18的多个发射部10a，为了抑制除上述发射体10的表面中上述发射部10a以外的其它地方发射电子束，在其上粘结薄薄的钼板10b。以1排以上的环状形成多个上述发射部10a，在本实施例中如图7所示，以3排环形形成25个。上述发射部10a还如图3所示，在上述发射体10的内侧形成凹面以使从上述发射部10a发射的电子聚集在一处。上述加热器8和上述发射体10通过上述加热器输入端4和上述发射体输入端6，与图中未示出的输出交流120V或220V的电源装置相互串联连接。上述加热器输入端4和发射体输入端6用外壳13支承。产生用以防止从上述阴极2发射的多个电子束18发散的磁力的磁力发生装置12由以下各部分构成呈环形排列在上述阴极2周围的第一永磁铁组14；呈环形排列在下述收集极周围的永磁铁组16；将从上述第一永磁铁14发出的磁通导向第二永磁铁组16以使磁通以均匀的密度分布在电子束移动的漂移通路上的第一极靴20和第二极靴22；将从上述第二永磁铁组16发出的磁通导引向第一永磁铁组14的磁轭24、26、28、30、32、34。上述第一永磁铁组14和第二永磁铁组16分别设置在漂移通路的两端以使加到下述漂移通路上的磁通均匀。上述第一永磁铁组14如图4所示，由按规定间隔呈环形排列的6个永磁铁36、38、40、42、44、46构成。上述永磁铁36、38、40、42、44、46排列成一列。第二永磁铁组16也如图5所示，由按规定间隔呈环形排列的6个永磁铁48、50、52、54、56、58构成。上述永磁铁48、50、52、54、56、58排成一列。上述第一永磁铁组14的永磁铁36、38、40、42、44、46，其中心轴为N极，外侧为S极。与此相反，上述第二永磁铁组16的永磁铁48、50、52、54、56、58，其中心轴的S极，外侧为N极。此外，为使存在电子束的各处的磁通密度均匀，与上述第一永磁铁组14和上述第二永磁铁组16内接的圆的半径设计成比下述的漂移通路的外径大。上述第一永磁铁组14和第二永磁铁16的12个永磁铁的全部质量M由下式1、2决定。B=(I2rbPtvn)1/2······(1)]]>M＝B2L3……(2)这里，rb是电子束18的半径，Pt是电子束18的电导系数，V是在发射体10和下述的收集极板之间形成的电位差，B是上述漂移通路上必要的磁通密度，L是从有电子束的发射部10a到第二极靴22的距离。上述第一永磁铁组14和上述第二永磁铁组16以及上述磁轭24、26、28、30、32、34固定在支架23上。上述的第二极靴22连接到下述的漂移管，以使电子束通过下述的第四谐振腔，到最后都保持规定的半径。另一方面，上述磁轭24、26、28、30、32、34如图6所示，呈长的漏斗形。上述磁轭24、26、28、30、32、34的截面是长方形。上述磁轭24、26、28、30、32、34像上述永磁铁36、38、40、42、44、46、48、50、52、54、56、58那样排列成环形以使磁通有效地成完全闭合的回路分布。用以使从上述阴极2发射的电子束进行密度调制的密度调制装置60由以下各部分构成将从上述阴极2发射的电子束进行一次密度调制并放大高频功率的第一谐振腔62；使从上述阴极2发射的电子束进行二次密度调制并放大高频功率的第二谐振腔64；使从上述阴极2发射的电子束进行三次密度调制并放大高频功率的第三谐振腔66；和使从上述阴极2发射的电子束进行四次密度调制并放大高频功率的第四谐振腔68。上述第二谐振腔64和第三谐振腔66的谐振频率设定得比上述第一谐振腔62与第四谐振腔68的谐振频率稍大，以便有效地提高电子束18的密度调制。在上述第一谐振腔62～第四谐振腔68形成用以使从上述发射体10发射的电子束18向后述的收集极方向移动的多个漂移通路70，上述漂移通路70用铜制管72与上述第一谐振腔62～第四谐振腔68的中心轴平行地排列成一排以上的环形来形成。在本实施例中如图7所示，是呈环形排成三排，形成25个漂移通路70。在上述第三谐振腔66与上述第一谐振腔62之间形成反馈通道74，以使一部分高频电能从上述第二谐振腔64～第四谐振腔68回授到上述第一谐振腔62。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多波束速调管，其特征在于它由如下各部分构成：发射多个电子束的阴极；调制从上述阴极发射的电子束的密度的密度调制装置；产生用以防止从上述阴极发射的电子束发散的磁力的磁力发生装置；耦合用上述密度调制装置进行了密度调制的电子束的能量使产生高频的高频发生装置；和收集已通过上述密度调制装置输出了微波的电子束的收集极。

【技术特征摘要】
KR 1995-1-28 1735/951.一种多波束速调管，其特征在于它由如下各部分构成发射多个电子束的阴极；调制从上述阴极发射的电子束的密度的密度调制装置；产生用以防止从上述阴极发射的电子束发散的磁力的磁力发生装置；耦合用上述密度调制装置进行了密度调制的电子束的能量使产生高频的高频发生装置；和收集已通过上述密度调制装置输出了微波的电子束的收集极。2.按照权利要求1所说的多波束速调管，其特征在于所说的密度调制装置包括将从阴极发射的电子束进行一次密度调制并放大高频功率的第一谐振腔；将...

【专利技术属性】
技术研发人员：金权执，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]