等离子体显示板的开关装置和驱动设备制造方法及图纸

一种便于在高压下操作的等离子体显示板的开关装置。该开关装置可由并联连接的至少一个绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）形成。该开关装置还可以由并联连接的绝缘栅双极晶体管以及金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）形成。该ＭＯＳＦＥＴ可用作低电流区域中的开关装置，而ＩＧＢＴ可用作高电流区域中的开关装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体显示板(PDP)的开关装置。更具体地，本专利技术涉及便于在高压时操作的PDP开关装置。
技术介绍
已经研发了各种平板显示器，例如液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、以及PDP。在这些显示器中，PDP与其它平板显示器相比，具有更高的分辨率、更高速的发射效率、和更宽的视角。因此，PDP作为对超过40英寸的大尺寸显示器的传统阴极射线管(CRT)的替代显示器，PDP很突出。PDP使用由气体放电生成的等离子体来显示字符或图像，并且其包括以矩阵形式排列的数十万乃至上百万个像素。根据施加的驱动电压的波形和放电单元结构，PDP可分为直流(DC)PDP和交流(AC)PDP。图1表示AC PDP的部分透视图。如图1所示，在第一玻璃衬底1上形成成对的彼此平行的扫描电极4和维持电极5，并且由介电层2和保护膜3覆盖这些扫描电极4和维持电极5。在第二玻璃衬底6上形成多个寻址电极8，该寻址电极8由绝缘层7覆盖。在绝缘层7上形成在寻址电极8之间并与寻址电极8平行的屏蔽条(barrierrib)9，并在绝缘层7的表面上和屏蔽条9的两侧上形成荧光体(phosphor)10。第一和第二玻璃衬底1和6密封在一起，以在其间形成放电空间11，使得扫描电极4和维持电极5与寻址电极8正交。寻址电极8与一对扫描电极4和维持电极5的交叉点的一部分放电空间11形成放电单元12。图2简略地示出AC PDP的典型电极配置。如图2所示，这些电极包括m×n矩阵。沿列方向安排寻址电极A1至Am， 并沿行方向交替排列扫描电极Y1至Yn和维持电极X1至Xn。放电单元12对应于图1中的放电单元12。驱动AC PDP的传统方法包括复位周期、寻址周期、和维持周期。在复位周期中，对单元初始化，用于正确的寻址操作。在寻址周期中，对将导通的单元(寻址单元)施加寻址电压，其在这些寻址单元中积累壁电荷。在维持周期中，在寻址单元中发生维持放电，以在PDP上显示图像。利用该方法，可在复位、寻址、和维持周期内由多个开关装置施加期望的电压。但由于施加的脉冲型电压，所以窄脉冲型电流可在寻址周期和维持周期内快速流过开关装置。具有快开关速度的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)通常用于开关装置。可是，当MOSFET的耐压增加时，在MOSFET导通时，其漏极和源极之间的电阻Ron急剧增加。因此，随着脉冲型电流的流动，MOSFET的均方根值(RMS)可能非常高。因此，MOSFET可能具有高传导损耗并可能产生大量热。通过使用如图3所示的并联的多个MOSFET来进行开关的方法可用于解决上述问题。然而，增加输入到PDP的Xe气体的局部压力可能是有利的，由于该增加的局部压力使得必须有较高的驱动电压，因此需要更多并联的MOSFET。但是增加MOSFET的数量可能增加成本、驱动板的尺寸、以及驱动电路的数量。
技术实现思路
本专利技术的优点在于提供了一种降低成本并提高效率的用于等离子体显示板的开关装置。本专利技术的其它特征将在随后的描述中阐明，并部分根据该描述而清楚，或可通过实践本专利技术而得知。本专利技术公开了一种用于驱动等离子体显示板的开关装置，该等离子体显示板具有多个寻址电极、成对排列的多个扫描电极和多个维持电极、以及位于多个寻址电极之间、多个扫描电极和多个维持电极之间的面板电容。该开关装置包括第一绝缘栅双极晶体管，用于通过施加到该第一绝缘栅双极晶体管的栅极的电压而执行导通或关断操作；以及第二绝缘栅双极晶体管，其与第一绝缘栅双极晶体管并联，用于通过施加到该第二绝缘栅双极晶体管的栅极的电压而执行导通或关断操作。本专利技术还公开了一种用于驱动等离子体显示板的开关装置，该等离子显示板具有多个寻址电极、成对安排的多个扫描电极和多个维持电极、以及位于多个寻址电极之间、以及多个扫描电极和多个维持电极之间的面板电容。该开关装置包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管，用于通过施加到该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极的电压而执行导通或关断操作；以及第一绝缘栅双极晶体管，其与该第一金属氧化物半导体场效应晶体管并联，用于通过施加到该第一绝缘栅双极晶体管的栅极的电压而执行导通或关断操作。本专利技术还公开了一种用于驱动等离子体显示板的设备，其中由多个第一电极和多个第二电极形成放电空间，该设备包括第一开关，耦接在多个第一电极和提供第一电压的第一电源之间；以及第二开关，耦接在多个第一电极和提供第二电压的第二电源之间。第一开关和第二开关包括并联连接的至少两个绝缘栅双极晶体管。第一电压在维持周期内施加维持电压，该维持电压是第一电压和第二电压之间的电压差。本专利技术还公开了一种用于驱动等离子体显示板的设备，其中由多个第一电极和多个第二电极形成放电空间，该设备包括第一开关，耦接在多个第一电极和提供第一电压的第一电源之间；第二开关，耦接在多个第一电极和提供第二电压的第二电源之间。所述第一开关和第二开关包括并联连接的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。第一电压在维持周期内施加维持电压，该维持电压是第一电压和第二电压之间的电压差。应理解前面的一般描述和后面的详细描述是示范性的和解释性的，并意欲提供权利要求所示的对本专利技术的进一步解释。附图说明包括在内以提供对本专利技术的进一步理解并合并和构成说明书的一部分的附示本专利技术的实施例，并和说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1表示AC PDP的部分透视图。图2表示AC PDP的典型电极设置。图3是表示PDP的传统开关装置的示意图。图4是表示根据本专利技术第一示范实施例的PDP的开关装置的示意图。图5是MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)电流和电压特性的曲线图。图6A和图6B是表示IGBT的Vce电压和Ic电流之间的关系的曲线图。图7是表示根据本专利技术第二示范实施例的PDP的开关装置的示意图。图8A是表示IGBT的Vce电压和Ic电流之间的关系的曲线图。图8B是表示当MOSFET和IGBT并联时，Vce电压和Ic电流之间关系的曲线图。图9是表示根据本专利技术第三示范实施例的PDP的开关装置的示意图。图10表示根据本专利技术第一示范实施例的当IGBT并联时可消除的驱动电路。图11A和图11B是表示根据本专利技术第一和第二示范实施例的PDP的驱动设备的示意图。具体实施例方式以下详细描述仅示出和描述了本专利技术的优选实施例，作为对执行本专利技术的专利技术人预期的最佳模式的图示。正如将认识到的那样，可以在不脱离本专利技术的情况下对本专利技术的各种明显的方面进行改进。因此附图和说明被认为是本质上的解释，而不是限制。为了清楚地阐述本专利技术，在说明书中没有描述的部件将被忽略，并且提供有相似描述的部件具有相同的附图标记。图4是表示根据本专利技术第一示范实施例的PDP的开关装置的示意图。如图4所示，根据本专利技术第一示范实施例的PDP的开关装置包括绝缘栅双极晶体管(IGBT)Z1和Z2以及二极管D1。IGBT Z1、IGBT Z2与二极管D1并联。由于IGBT Z1和Z2不具有主体二极管(body diode)，因此二极管D1与IGBT Z1和Z2并联，以允许反向电流流过。在驱动操作期间，IGBT Z1和Z2将电压施加到PDP。当驱动电流很大并且电流容量增加时，多个IGBT可并联。IGBT Z1和Z2提供在PDP的驱动电路中，并且执行开关操作，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于驱动等离子体显示板的开关装置，该等离子体显示板具有多个寻址电极、成对安排的多个扫描电极和多个维持电极、以及位于多个寻址电极之间、以及多个扫描电极和多个维持电极之间的面板电容，该开关装置包括：第一绝缘栅双极晶体管，用于通过施加 到该第一绝缘栅双极晶体管的栅极的电压而执行导通或关断操作；以及第二绝缘栅双极晶体管，其与第一绝缘栅双极晶体管并联，用于通过施加到该第二绝缘栅双极晶体管的栅极的电压而执行导通或关断操作。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东映，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]