【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子元器件
，涉及电容器及其制造方法，特别涉及小容量片式电容 器及其制造方法。
技术介绍
-传统的片式电容器包括两个端电极、与端电极相连的内电极和电介质材料。通常，片式 电容器具有叉指电容的形式形成的多层片式并联结构每一层电容由两个内电极形成一对叉指电极结构， 一对叉指电极结构和位于该对叉指电极结构中间的电介质材料形成一个片式叉 指电容，若干个片式叉指电容堆叠在一起，并采用端电极将同侧的所有内电极并联在一起， 形成最终的片式电容器。现代片式电容器制备工艺通常要求将不同容量大小的系列片式电容器制成同样尺寸大小 的标准化产品，这使得采用传统叉指电容的形式形成的多层片式并联结构的片式电容器的容 量无法满足一些特定场合的要求，尤其是无法制备出一些特定小容量的片式电容器。因为内 电极分别与两端的端电极相连形成叉指结构，而内电极的极板面积较大，会导致构成的电容 器容值偏大；但若采用无内电极的设计方式，则可能由于端电极距离较大，造成电容器的容值过小。
技术实现思路
本专利技术提供一种单内电极片式电容器，在相同的介质材料和尺寸标准下，可以实现比传 统的具有叉指电容的多层片式并联结构的片式电容器小的容量，同时可实现比无内电极的电 容器大的容量。本专利技术技术方案如下一种单内电极片式电容器，包括端电极、内电极和电介质材料，所述电介质材料为多层 陶瓷层体，所述内电极为多层内电极；所述陶瓷层体和内电极交错层叠在一起，两端封端形 成端电极。所述内电极为单内电极，只与其中一个端电极相连。所述单内电极为采用印刷工艺印制在所述陶瓷层体表面的内电极。本专利技术实质上是提出...
【技术保护点】
一种单内电极片式电容器，包括端电极、内电极和电介质材料，所述电介质材料为多层陶瓷层体，所述内电极为多层内电极；所述陶瓷层体和内电极交错层叠在一起，两端封端形成端电极；其特征在于，所述内电极为单内电极，只与其中一个端电极相连。
【技术特征摘要】
1、一种单内电极片式电容器，包括端电极、内电极和电介质材料，所述电介质材料为多层陶瓷层体，所述内电极为多层内电极；所述陶瓷层体和内电极交错层叠在一起，两端封端形成端电极；其特征在于，所述内电极为单内电极，只与其中一个端电极相连。2、 根据权利要求l所述的单内电极片式电容器，其特征在于，所述单内电极为采用印刷 工艺印制在所述陶瓷层体表面的内...
【专利技术属性】
技术研发人员：王浩勤，曾志毅，杨邦朝，徐自强，尉旭波，游钦禄，练马林，唐伟，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90[中国|成都]
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