电容的偏移共振结构制造技术

一种电容的偏移共振结构，其特征是：于电容两侧导体与电路板之间，分别设置固定一导电材质所制的导电片，并藉导电片与电路板连接导通。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电容的偏移共振结构。
技术介绍
电容是具有储存电能的一种无源元件，基本上电容是由两片导体夹住一层绝缘材料所构成，这种绝缘材料叫做介质。电容的作用是在两片导体间施加电压，使两片导体产生储存电量，介质的性质多为绝缘体，受到体积的限制，介电常数为决定电容大小的重要因素，介电常数愈大，其材质的偶极矩愈大，加电压时，电荷会向介质的两端分布，致使导体产生感应电荷，故可储存电荷。由于电容具备超小型、大容量、低阻抗的特性，广泛应用于主机板、监视器、光盘机、笔记本电脑、数码相机、移动电话、PDA、汽车导航系统等资讯相关产业所采用；而电容在电流持续的作用下，会使两端的导体产生共振共鸣的效果，使之作动时会产生相当不悦耳的噪音。因为一般电容20的设置，是于电路板10上直接利用锡熔合，而固接于电路板10上，请参阅图1及图2所示；如此，当电容20于释放电流时，造成电容20两端的导体产生共振的效果，使振动产生的振波波动形成一规律性的作动，其在共振共鸣的效果更会造成极不悦耳的噪音，使电路板10的持续作动产生持续的噪音。缘此，本创作人鉴于上述电容在释放电流所产生的振动，造成两端导体产生规律的振波，而发出极大的噪音等延宕已久的问题极须解决，故积多年从事该项产品的研究、设计、制造等丰硕经验，积极投入大量心血及精力加以研创，并经由多次的试验、检测后，终于成功的开发出本技术电容的偏移共振结构，使摒除习式电容共振共鸣的缺点。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，针对现有技术的上述不足，提供一种消除电容共振共鸣的电容的偏移共振结构。本技术的电容的偏移共振结构是由如下技术方案来实现的。一种电容的偏移共振结构，其特征是于电容两侧导体与电路板之间，分别设置固定一导电材质所制的导电片，并藉导电片与电路板连接导通，同时将电容垫高，使电容释放电流所产生的振动，藉由导电片变更及偏移其共振点，进而降低电容与电路板间的共振共鸣。所述的电容的偏移共振结构，其特征是其中电容是熔合固接于导电片上。所述的电容的偏移共振结构，其特征是其中电容是焊接固定于导电片上。所述的电容的偏移共振结构，其特征是其中电容是黏着固定于导电片上。所述的电容的偏移共振结构，其特征是其中导电片是由导电材质所制成，其是于导电材质外部涂以锡膏焊接于电路板的导体上。本技术的电容的偏移共振结构，其结构主要是于电容与电路板间设置有导电片，导电片与电容两端的导体利用表面黏着技术、熔合及焊接的方式固定，且该导电片的截断面积较导体大，而电容的导体未设置于导电片的中心上，使导电片两端长度不一，藉此可有效的破坏电容释放电流所产生的振动频率，以消除电容共振共鸣的效果。本技术的优点在于藉由导电片偏移电容释放电流所产生的共振点，使振动产生不规律的振动频率，进而减少共振共鸣所产生的噪音。为方便了解本技术的内容、及所能达成的功效，兹列举具体实施例并配合附图详细说明如下 附图说明图1是一习用电容实用状态分解图。图2是上述习用电容实用状态图。图3是本技术的使用状态参考图。图4是本技术的使用状态分解示意图。具体实施方式首先请参阅图3及图4所示，本技术的电容的偏移共振结构，主要是于电路板10与电容20之间设置有导电片30。导电片30，是由导电材质所制成，其是于导电材质外部涂设有锡膏，再将已涂有锡膏的导电材质与电容20的导体21对位后、通过热熔炉，使涂有锡膏的导电材质藉由熔锡，而得以与导体21结合。该导电片30的截面积较电容20两侧的导体21大，且导电片30与电容20两侧的导体21是除了利用前述表面黏着技术，尚得以利用熔合或焊接等方式所固接而成，而导体21是固接于导电片30的偏心位置处，其主要是在于利用导电片30的传导、改变电容20因释放电流所产生的振动频率，使振动频率产生不规律性的振波，减少导体21振动所产生的共鸣点，以有效消除噪音。当电容20与导电片30固定于电路板10上时，藉由导电片30将电容20垫高于电路板10上，使电容20在释放电流所产生的振动频率，藉由导电片30偏移其共振点，使电容20两端导体21所产生的频率形成不规律性的振波，以有效减少振波所形成的共鸣点，以达到降低噪音的功效。因此，当电流经由电路板10，藉由导电片30传导至电容20时，使电容20间储存有适当的电量，而当电容20两侧的导体21在释放电量时，使电容20所产生的振动得以由导电片30偏移其共振点，使振动频率所产生的共鸣点减少，以消除其噪音。由于导电片30的截面积较电容20两侧的导体21略大，且导体21位于导电片30的偏心上，进而使导体21所产生的振动频率，形成不规律性振波，以减少两端导体21所产生的共振共鸣点，使可有效消除因共振共鸣所产生的噪音。因此当导体21位于导电片3D的偏心上时，使导体21两侧所产生的振动频率，形成不规律的状态，如此可消除振动频率的共振点，而频率在没有共振共鸣点后，即不会产生不悦耳的噪音，亦即消除电容20作动时的噪音。但是，上述各名称是方便描述本技术的
技术实现思路
所定，而非用以限制本案的权利范围；是以，举凡依据本案的技术精神所作的等效元件转换、替代，均应涵盖在本案的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容的偏移共振结构，其特征是于电容两侧导体与电路板之间，分别设置固定一导电材质所制的导电片，并藉导电片与电路板连接导通。2.根据权利要求1所述的电容的偏移共振结构，其特征是其中电容是熔合固接于导电片上。3.根据权利要求1所述的电容的偏移共振结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文彬，钟明道，陈志强，尤志中，
申请(专利权)人：美丽微半导体股份有限公司，斐成企业股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：