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无局部放电自保护干式放电线圈制造技术

技术编号:3117481 阅读:225 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术无局部放电自保护干式放电线圈,包括有:高低压线圈及对应的输出端子,温度传感器,卷型铁芯,用环氧树脂浇注而成。其特征是高压线圈有连续放电次数的设定,温升不超限。温度传感器设在线圈贴近部,放电绝热能真实测得,采用低电阻率的亚导体屏蔽层深度屏蔽,局部放电的起始电压提高,标准电压范围内无局部放电,并用预制的主绝缘筒,直观无缺陷后进行浇注,成品率高且缩短浇注工时,降低成本。本实用新型专利技术克服了以往干式放电线圈用半导体涂层和银膏保护的屏蔽不深及容易造成工艺缺陷带来的局部放电;为电网电容器组提供体积小、造价低,寿命长、安全可靠的放电设备。(*该技术在2014年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电力系统滤波和无功补偿电容器组的无局部放电、带有放电绝热设计、温控自保护干式放电线圈。
技术介绍
我国电网的并联电容器组的放电设备,普遍采用油浸式结构的放电线圈,树脂浇注干式放电线圈由于它小型、节能、无油、维护方便等优点,已被逐步采用。但因它制造成本高(主要成品率低),使用寿命不确定(存在局部放电易使绝缘老化)等缺点。现有放电线圈均没有放电绝热设计、温控自保护,尤其是干式放电线圈散热条件差,缺点更为突出,无法确定几次连续放电后的温升是否超限,绝缘损坏。现有技术存在局部放电,每时每刻都在烧坏绝缘,使用寿命不断的缩短。放电线圈主要功能是放电,次要功能是保护。现有产品没有主要功能温升的安全设计,只有次要功能的温升指标,且现有相关标准,没有对主要功能温升及安全的规定。附注中华人民共和国电力工业部关于放电线圈的行业标准DL/T-653-1998对于温升,第五页、第十行、第4、3、6条温升,在1.1倍额定电压、额定频率和额定二次负荷(COSΦ08-1)条件下,试验时,油浸式和干式放电线圈的温升不应超过表六、表七的规定值。由此可见标准仅对次要功能阐述温升试验方法和限值。
技术实现思路
为了克服现有干式放电线圈存在局部放电影响使用寿命、存在没有放电绝热设计和保护措施、影响安全运行。本技术采用的技术方案是1、用金属筒(金属屏蔽层)绕上高压线圈,线圈中心点连接到金属筒上,阻止悬浮放电和段间放电。金属筒面积设计足够大,使高压电场均匀分布。绝缘体内部的气隙放电是攻关的核心(国标允许20pc放电量存在是针对现有技术)气隙放电主要在主绝缘部位。本技术采用主绝缘予制,直观检查无缺陷后再进行整体浇注。2、加大屏蔽深度,改善电场分布。树脂浇注的电器产品,二次及地一般采用半导体涂层屏蔽,由于该涂层体积电阻大屏蔽深度不够,本技术采用低电阻率的碳膜制作成亚导体屏蔽层,体积电阻比半导体小,这样就形成了一个由金属屏蔽层(金属筒),亚导体屏蔽层为电极,中间层主绝缘为介质的PF级电容,该电容对于工频呈现高阻抗,不影响工频耐受电压的冲击,该电容对于10-200KHZ的放电脉冲(1)呈现低阻抗,使金属屏蔽层和亚导体屏蔽层呈现同地位,由此屏蔽深度由亚导体屏蔽层延伸到金属屏蔽层,从而使介质层(即主绝缘层)的电场下降,局部放电的起始电压就比原来提高,测量点时就没有局部放电。设计放电绝热、温控自保护的方案是;首先测得电容器组单相储能的放电是为震荡衰减式放电。放电温升跟电容器组的储能成正比、载体(电磁线)质量成反比,并且局限在第一峰值电流符合GB12747标准,速率符合D/L-T-653-98标准,计算出一次放电的温升并设定放电次数。在线圈贴近部埋入温度传感器,引出端子,通过外部温控仪检测运行安全和设定效果。本方案包括高压端子、线圈、铁芯、低压端子、传感体端子、温度传感器、接地端子,高低压端子分别与线圈连接,高压端子在上部,低压端子和传感器端子在下部,接地端子在底部,高压线圈绕在带有金属屏蔽的预制主绝缘筒上,低压线圈绕在低压筒上,外层涂上亚导体蔽层后套进预制的主绝缘筒内,亚导体屏蔽层受到了保护,致使浇注时不发生缺陷,防止了因工艺缺陷局部放电的产生。温度传感器埋在线圈和铁芯之间,引出端子。铁芯表面包扎缓冲层后,涂上亚导体屏蔽层与低压线圈表面亚导体屏蔽层连成同地位。线圈装进铁芯,经夹紧钢带引出接地端子。用树脂浇注而成。本技术的有益效果采用放电绝热设计、温控自保护,提高使用安全性。采用主绝缘预制配合使用低电阻率的亚导体屏蔽层1主绝缘直观可提高了成品率,缩短浇注工时,降低能耗和成本。2、无局部放电的干式放电线圈,绝缘老化慢,使用安全、长效。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是线圈的纵面图。图3是底视图。结合附图对本技术进一步说明图1中1、高压端子;2、线圈;3、铁芯;4、低压端子;5、传感器端子;6、树脂体腔;图3中7、接地端子;图2中21、高压线圈;22、金属屏蔽层;23、主绝缘筒;24、低压线圈;25、亚导体屏蔽层;26、温度传感器;27、低压筒。具体实施方式如图1、图2所示高压端子1、线圈2、铁芯3、低压端子4、传感器端子5、温度传感器26,高低压端子分别与线圈连接,高压端子在上部,低压端子和传感器端子在下部。如图2所示,预制的主绝缘筒23、高压线圈21、绕在金属屏蔽层22、上面,低压筒27、绕上低压线圈24、外层涂上亚导体屏蔽层25、同心地套进预制的主绝缘筒23、这样保护了亚导体屏蔽层25、致使在真空、高温处理时不断裂、脱落、变形。温度传感器26、埋在线圈和铁芯之间并引出端子5、铁芯表面包扎缓冲层后涂上亚导体屏蔽层并与低压线圈外的亚导体屏蔽层25、连接成同地位,线圈装进铁芯3、经夹紧钢带引出一接地端子7。合理配制树脂比例,浇注成型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无局部放电自保护干式放电线圈包括:高压端子(1)、铁芯(3)、低压端子(4)、温度传感器(26)、传感器端子(5)、主绝缘筒(23)、亚导体屏蔽层(25)、高压线圈(21)、低压线圈(24)、低压筒(27)、接地端子(7),其特征是:高压线圈(21)绕在带有内外屏蔽层预制的主绝缘筒(23)上,用树脂浇注而成。

【技术特征摘要】
1.一种无局部放电自保护干式放电线圈包括高压端子(1)、铁芯(3)、低压端子(4)、温度传感器(26)、传感器端子(5)、主绝缘筒(23)、亚导体屏蔽层(25)、高压线圈(21)、低压线圈(24)、低压筒(27)、接地端子(7),其特征是高压线圈(21)绕在带有内外屏蔽层预制的主绝缘筒(23)上,用树脂浇注而成。2.根据权利1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:邬康义
申请(专利权)人:邬方波
类型:实用新型
国别省市:33[中国|浙江]

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