【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电抗器
，涉及一种有磁心电抗器的磁屏蔽结构，特别适用于500kV及以上、大容量并联电抗器的磁屏蔽结构。
技术介绍
现有的铁心电抗器中，铁心结构的漏磁通特别大，漏磁通进入夹件、油箱壁时会产生很大的涡流损耗而造成局部过热。为解决这一问题目前国内大型有磁心电抗器尤其是并联电抗器都采取在电抗器器身及油箱壁上设置磁屏蔽，这种磁屏蔽的设置如图1所示，设置在油箱壁内侧以及绕组3的上下端部，由多块硅钢片制成，形成一个由器身磁屏蔽5与油箱磁屏蔽4构成的高导磁的漏磁通回路。原来进入夹件8、油箱壁的漏磁通这时进入器身磁屏蔽5及油箱磁屏蔽4中，大大降低了漏磁损耗，避免了局部过热。但这种结构的磁屏蔽存在以下不足1、漏磁通进入器身磁屏蔽5时有垂直分量，在磁屏蔽中涡流损耗较大；2、由于器身及油箱磁屏蔽的硅钢片之间是用环氧树脂粘牢后加压干燥固化成形，尽管采取了绑扎和焊成一体等措施，但由于电抗器振动很大，运行到一定时间后硅钢片间有可能开裂，而使噪声大大增加；3、油箱磁屏蔽4的存在，使得绕组3端部的漏磁力线弯曲更加严重，绕组横向漏磁分量增加，从而加大绕组横向涡流损耗及某些线饼的局部温升；4、为防止未屏蔽到的少量漏磁进入箱底，下部油箱处还设置有铜板1，结构复杂，增加了生产成本；5、这种磁屏蔽加工、制造、装配过程复杂。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述有磁心电抗器中磁屏蔽的不足，提供一种结构简单、可大大降低磁屏蔽中的涡流损耗、且可靠性高的有磁心电抗器的磁屏蔽结构。解决本专利技术技术问题所采用的一种技术方案是该有磁心电抗器的磁屏蔽结构包括上铁轭、下铁轭、铁心...
【技术保护点】
一种有磁心电抗器的磁屏蔽结构，包括上铁轭（６）、下铁轭（２）、铁心柱（７）、铁心柱上的线圈绕组（３），其特征在于绕组上、下端部铁心饼（９）的直径大于或等于绕组中径。
【技术特征摘要】
1.一种有磁心电抗器的磁屏蔽结构，包括上铁轭(6)、下铁轭(2)、铁心柱(7)、铁心柱上的线圈绕组(3)，其特征在于绕组上、下端部铁心饼(9)的直径大于或等于绕组中径。2.根据权利要求1所述的有磁心电抗器的磁屏蔽结构，其特征在于上铁轭和下铁轭的厚度L大于或等于绕组中径...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭力军，黄谷兰，
申请(专利权)人：特变电工衡阳变压器有限公司，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]
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