存储器地址线测试方法技术

技术编号:3084507 阅读:319 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术有关于存储器地址线的测试方法。其主要是用“走步1”或“走步0”方法选取存储器的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1”;对所有地址线进行走步测试,读取存储器第一地址单元和最后一个地址单元中的数据,根据数据中的“0”比特位来确定相应的地址线故障。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种,尤指一种采用“走步0”和“走步1”的方法准确定位出地址线故障的方法。
技术介绍
目前,单板上的CPU最小系统一般都包括CPU、FLASH和SDRAM等器件,CPU是单板的核心,用来执行单板软件指定的各项操作。FLASH是一种电可擦除的存储器,即使单板掉电,保存在其中的程序或数据也不会丢失。CPU可以方便地读出FLASH中的内容,但只有在特定的情况下才可以对其进行擦除和写入操作。SDRAM是一种动态的存储器,单板掉电以后,保存在其中的程序或数据就会丢失,CPU可以很方便地对SDRAM进行读写操作。这两种存储器本身的特点决定了CPU对FLASH中的数据读写较慢,而对SDRAM中的数据读写较快。所以一般都是将单板软件保存在FLASH中,单板上电进行必要的初始化以后,便将FLASH中的程序和数据搬移到SDRAM中来运行,这样可以保证单板的运行速度较快。SDRAM和FLASH在单板上的作用都是相当重要的,因此有必要对其数据线、地址线及单元进行全面的测试。目前,对FLASH外围互连测试一般采取“三步测试法”,其具体的描述摘录如下表一 三步测试法总表 第一步测试用来测试数据线是否存在开路故障,第二步测试用来测试数据线是否存在短路故障,第三步测试用来测试地址线是否存在开路或短路故障。在数据线与地址线全部测试完成之后再进行故障诊断。第一步测试的故障诊断比较简单,如果写全0没有读到全0,就说明数据线存在S-A-1(固定为1)的故障,数值为1的数据线就是发生S-A-1的故障线位置。相反的情况,如果写1没有读到全1,就说明数据线存在S-A-0(固定为0)的故障,数值位0的数据线就是发生S-A-0故障的数据线位置。第二步测试需要对短路故障的数据线位置和什么类型的短路故障进行判断,表2是第二步测试的一个结果,举例对故障诊断进行说明(数据线b3b2b1b0,<p>表1 注意以上只是判断了数据线两两之间短路的情况,其实两条以上数据线短路的情形也包含在两两短路之中,可以对诊断结果作进一步分析,从而得到两条以上数据线短路的情形。在确保数据线没有故障之后,可以进行第三步测试,对地址线进行测试,下面是第三步测试的一个结果,举例对故障诊断进行说明(地址线a3a2a1a0,测试数据D0D1...D4互不相同)表三 三步测试法第三步测试(地址线测试) 对地址线开路故障和短路故障的诊断原理是一样的。大致流程如下BEGINIF读到数据和期望的数据一致报告地址线测试没有发现故障;ELSE将所有数据按写入顺序翻译成相对应的地址,得到期望响应矩阵T和实际响应矩阵V;FOR实际测试响应矩阵V的每一列ViIF Vi的每一个分量都固定为1报告第i条地址线发生了固定为1的开路故障;ELSE IF Vi的每一个分量都固定为0报告第i条地址线发生了固定为0的开路故障;ELSE IF在期望响应矩阵中找到第j列矢量Ti与第i列矢量Ti逻辑或运算的结果等于Vi报告第i条地址线和第j条地址线短路,故障类型为1-支配型短路故障;ELSE IF在期望响应矩阵中找到第j列矢量Ti与第列矢量Ti逻辑与运算的结果等于Vi报告第i条地址线和第j条地址线短路,故障类型为0-支配型短路故障;ELSE报告故障类型不可判断;END IFEND IFEND FOREND。注意以上也只是判断了地址线两两之间短路的情况,两条以上地址线短路的情形同样可以通过对诊断结果作进一步分析得到。现有技术一的缺点在运用“三步测试法”实现FLASH测试以后,在采用模拟故障的方法对实现的情况进行测试验证的过程中,发现测试程序并不能准确的定位FLASH地址线的故障所在,经过仔细分析,发现“三步测试法”的第三步无法准确定位FLASH地址线故障,下面针对“三步测试法”的第三步进行具体的分析。实际上现有的“三步测试法”的第三步的思路并没有错误,但具体的方法出现了问题。出问题的原因在于忽略了FLASH的特性,测试方法中把它当做RAM了,以为对某一个地址不擦除便可任意写入,而实际上FLASH是必须擦除后,才能正常写入的,即FLASH的写操作可以将为1的比特写成0,但不能将为0的比特写成1。通过分析发现,上面的表格(表三)并不准确,假设a2和a1为短路0-支配型故障,当往0010地址写入数据D2时,数据实际上是写入了0000地址,而非0010地址,此时如果读0010地址的内容,实际上读到的是0000地址的内容。同样往0100地址写入数据D3时也写入了0000地址,实际上读到的是0000地址的内容。因为FLASH的特性是可以将为1的比特写成0,但不能将为0的比特写成1,最终结果是0000地址中保存的内容为D2和D3相“与”的结果,同样1111中写入的内容也不是表中分析的那样。因而步骤三只能判断出地址线故障,但并不能判断出是哪一根(或哪几根)地址线故障。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺点,本专利技术提供一种能准确定位存储器(包括FLASH存储器和RAM存储器)地址线故障的方法。本专利技术提供的方法如下一种FLASH,包括下列步骤 A)擦除FLASH全部存储空间;B)用“走步1”方法选取FLASH的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1”;C)重复步骤B,直到所有的地址线都完成“走步1”测试;D)读取该FLASH第一个地址单元中的数据,根据数据中“0”的排列位置,确定相对应位置的地址线发生故障。本专利技术另提供一种FLASH,包括下列步骤A)擦除FLASH全部存储空间;B)用“走步0”方法选取FLASH的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1”;C)重复步骤B,直到所有的地址线都完成“走步0”测试;D)读取该FLASH最后一个地址单元中的数据,根据数据中“0”的排列位置,确定相对应位置的地址线发生故障。本专利技术提供一种RAM,包括下列步骤A)将RAM存储器的第一地址单元写上全“1”;B)用“走步1”方法选取RAM的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1”;C)读取RAM存储器第一地址单元中的数据,并与上一次记录数据进行“逻辑与”操作,将操作结果保存起来(第一次读取时,没有“上一次记录数据”,直接将读到的数据保存起来即可);D)重复步骤B和步骤C,直到所有的地址线都完成“走步1”的测试;E)根据最后结果中“0”的排列位置,确定相对应位置的地址线发生故障。本专利技术另提供一种RAM,包括下列步骤A)将RAM存储器的最后一个地址单元写上全“1”; B)用“走步0”方法选取RAM的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1”;C)读取RAM存储器最后一个地址单元中的数据,并与上一次记录数据进行“逻辑与”操作,将操作结果保存起来(第一次读取时,没有“上一次记录数据”,直接将读到的数据保存起来即可);D)重复步骤B和步骤C,直到所有的地址线都完成“走步0”的测试;E)根据最后结果中“0”的排列位置,本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种FLASH存储器地址线测试方法,包括下列步骤:A)擦除FLASH全部存储空间;B)用“走步1”方法选取FLASH的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1 ”;C)重复步骤B,直到所有的地址线都完成“走步1”测试;D)读取该FLASH第一个地址单元中的数据,根据数据中“0”的排列位置,确定相对应位置的地址线发生故障。

【技术特征摘要】
1.一种FLASH存储器地址线测试方法,包括下列步骤A)擦除FLASH全部存储空间;B)用“走步1”方法选取FLASH的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1”;C)重复步骤B,直到所有的地址线都完成“走步1”测试;D)读取该FLASH第一个地址单元中的数据,根据数据中“0”的排列位置,确定相对应位置的地址线发生故障。2.如权利要求1所述的FLASH存储器地址线测试方法,其特征在于若数据线的数量比地址线少,则将地址线分批次进行测试,使每次测试的地址线数量小于等于数据线。3.如权利要求1或2所述的FLASH存储器地址线测试方法,其特征在于所述的地址单元的大小根据存储器的数据线位数确定。4.一种FLASH存储器地址线测试方法,包括下列步骤A)擦除FLASH全部存储空间;B)用“走步0”方法选取FLASH的地址单元,在地址单元中写入测试数据,所述测试数据与需要测试的地址线相对应的数据位为“0”,其余数据位为“1”;C)重复步骤B,直到所有的地址线都完成“走步0”测试;D)读取该FLASH最后一个地址单元中的数据,根据数据中“0”的排列位置,确定相对应位置的地址线发生故障。5.如权利要求4所述的FLASH存储器地址线测试方法,其特征在于若数据线的数量比地址线少,则将地址线分批次进行测试,使每次测试的地址线数量小于等于数据线。6.如权利要求4或5所述的FLASH存储器地址线测试方法,其特征在于所述的地址单元的大小根据存储器的数据线位数确定。7.一种RAM存储器地址线测试方法,包括下列步骤A)将RAM存储器的第一地址单元...

【专利技术属性】
技术研发人员:史韦白尤新朱星海
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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