【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及存储装置,更具体地,涉及使用温控置位脉冲进行编程的存储单元。
技术介绍
存储器的一种类型是电阻式存储器。电阻式存储器利用存储元件的阻值来存储一个或多个比特的数据。例如,被编程为具有大阻值的存储单元可表示逻辑“1”数据比特值,而被编程为具有小阻值的存储元件可表示逻辑“0”数据比特值。通过将电压脉冲或电流脉冲施加于存储元件来电切换存储元件的阻值。电阻式存储器的一种类型是相变存储器。在电阻存储元件中,相变存储器使用相变材料。相变存储器基于呈现至少两种不同状态的相变材料。相变材料可用在存储单元中以存储数据比特。相变材料的状态可被称为非晶态和晶态。由于非晶态通常比晶态呈现更大的电阻率,因此可以区分这两种状态。通常,非晶态涉及更加无序的原子结构,而晶态涉及更加有序的晶格。一些相变材料呈现出一种以上的晶态,例如,面心立方(FCC)状态和六方最密堆积(HCP)状态。这两种晶态具有不同的电阻率,并且都可以用于存储数据比特。在以下描述中,非晶态通常是指具有更大电阻率的状态,而晶态通常是指具有更小电阻率的状态。可以可逆地感应相变材料中的相变。这样,响应于温度变化,存储器可从非晶态转变为晶态以及从晶态转变为非晶态。可以以多种方式实现相变材料的温度变化。例如,可将激光器对准相变材料,可使电流通过相变材料,或者可将电流馈通与相变材料相邻的电阻加热器。在这些方法中的任意一种中,相变材料的可控加热都将引起相变材料内的可控相变。可对包括具有由相变材料制成的多个存储单元的存储阵列的相变存储器编程,以利用相变材料的存储状态来存储数据。一种在这种相变存储装置中读取和写入数据的方 ...
【技术保护点】
一种存储装置,包括: 相变存储单元;以及 电路,用于通过将温控置位脉冲施加给所述存储单元来将所述存储单元编程为多于两个的状态中的一个选定状态。
【技术特征摘要】
US 2006-6-19 11/455,3401.一种存储装置,包括相变存储单元;以及电路,用于通过将温控置位脉冲施加给所述存储单元来将所述存储单元编程为多于两个的状态中的一个选定状态。2.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述温控置位脉冲包括第一阶段,其中,所述置位脉冲的电流被增加;第二阶段,其中,一旦所述存储单元的预定温度被获得,则所述置位脉冲的所述电流被维持在恒定等级;以及第三阶段,其中,一旦所述电流已被维持为恒定等级达预定周期,所述置位脉冲的所述电流就被减小为零。3.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述温控置位脉冲还包括初始阶段,其中,初始电流被施加给所述存储单元,以达到所述存储单元的阈值电压。4.根据权利要求2所述的存储装置,其中,所述预定周期包括处于所述预定温度的所述存储单元的结晶时间。5.根据权利要求1所述的存储装置,其中,所述相变存储单元包括Ge、Sb、Te、Ga、As、In、Se、和S中的一种。6.一种存储器,包括相变存储单元;以及电路,用于将所述存储单元编程为多于两个的可能状态中的一个选定状态,其中,所述电路通过将电流脉冲施加给所述存储单元来对所述存储单元进行编程,电流脉冲斜升,直至所述存储单元的期望电阻被获得,然后整平所述电流脉冲达特定时间,以将所述存储单元设定为所述选定状态。7.根据权利要求6所述的存储器,其中,所述电路基于所述存储单元上的电压来确定所述存储单元的电阻。8.根据权利要求6所述的存储器,其中,所述期望电阻基于所述选定状态。9.根据权利要求6所述的存储器,其中,所述特定时间包括处于所述期望电阻的所述存储单元的结晶时间。10.根据权利要求6所述的存储器,其中,所述相变存储单元包括Ge、Sb、Te、Ga、As、In、Se、和S中的一种。11.一种存储器,包括相变存储单元,用于存储至少1.5数据比特;以及用于使用温控置位脉冲来对所述存储单元进行编程的装置。12.根据权利要求11所述的存储器,其中,所述用于使用温控置位脉冲来对所述存储单元进行编程的装置包括用于使所述置位脉冲的电流斜升的装置;用于一旦所述存储单元的预定温度被获得就将所述置位脉冲的所述电流维持在恒定等级的装置;以及用于一旦所述电流已被维持为恒定等级达预定周期就使所述置位脉冲的所述电流斜降为零的装置。13.根据权利要求12所述的存储器,其中,所述用于使用温控置位脉冲对所述存储单元进行编程的装置还包括用于达到所述存储单元的阈值电压的装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:托马斯哈普,扬鲍里斯菲利普,
申请(专利权)人:奇梦达北美公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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