本发明专利技术公开了一种制作光学光刻掩模的技术，以用于生产多层、单片集成化的装置，并公开了在光刻掩模的数字化表示法中增加虚拟填充特征的步骤，以及关于检查虚拟填充掩模定义及传送后检查掩模定义给掩模生产设备的步骤。制作一种光刻掩模，例如用于单片集成电路（ＩＣ）的量产。首先利用传统填平技术产生虚拟物件，之后以无皱折的轮廓自动化围绕该物件。轮廓清除原始的填平，而后作为即将以自动铺设程式自动铺设的区域。接着以有规律间隔的虚拟物件的阵列定义再次填充该地砖。在单片集成电路的层中，将该阵列数据附加至功能物件的布局数据，以便产生虚拟填充的设计定案档案。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术大体而言涉及一种制作光学光刻掩模(photolithography mask )的 技术，以用于生产多层、单片集成化(monolithically-integrated)的装置，例 如集成电路半导体装置。特定而言，本专利技术是关于在光刻掩模的数字化表示法(digitized representation)中增加虚拟填充特征(dummy fill features )的步骤，以达到 确保掩才莫图形(mask patterns )符合填充统一规才各(fill uniformity specification) 的目的，以及关于4全查虚拟填充掩才莫定义(dummy fill mask definitions )及 传送后检查掩模定义(post-check mask definitions)给掩模生产设备的步骤。
技术介绍
现代单片集成电路装置(IC)乃技术上的奇迹，它往往代表着许多工作于 各种不同
的专家的专门技术累积，包括极复杂电路布局的微型化。 构成此复杂阶层的专业人士包括进行诸如下列步骤的人士功能电路的全芯 片i殳计(pre-die design )、互连布局的全层i殳计(pre-die design)及/或其4也功 能特征布局的设计、掩模组制造及制造后掩模的检验、全层平面化、光学光 刻(photolithography )、蚀刻及蚀刻后图形的抬N睑。掩藏在这些更为人所知的步骤中的为不可思议的虚拟特征填充(dummy features fill),其证明半导体制造中许多操作步骤对一整层区域的平均特征密 度为敏感的。该例子包括化学机械抛光(chemical mechanical polishing, CPM), 光学光刻及图形蚀刻。有时希望在密度^:感(density-sensitive)的工艺步骤 中提供相对均匀的特征填充密度与及非特征、空白空间密度。集成电路(IC) 层布局的功能部分很少具均匀填充密度。因此，功能部分间的非特征、未使 用空间惯常被以非功能性岛状物(nonfunctional islands)或虚拟填充特征 (dummy fill features )所填满。虚拟填充特征的尺寸、虛拟填充特征间的间隔及其与功能元件的间隔， 常常是特定适用的。因此，集成电路的每一层(如金属层l,金属层2)通常具有其独特的虚拟填充参数组。 一种已知填充方法是以光槺扫描方式(raster scan fashion)使个别虚拟物件落入功能布局各处，然后自动地删除与功能物 件重叠或太接近功能物件的落入虚拟物件。此提供相对佳的未使用空间的填 充，且规则地就虚拟物件应距离功能物件多远做确认。然而，由于每一虚拟 填充物件是个别定义(典型地为具有两角坐标的方形)，使得此光栅填充技术 消耗大量的记忆储存空间，致使其常被用来个别地定义每一层数千或数百万 的填充物件。包含如此大量的个别定义虚拟填充物件(数量众多且复杂的功 能特征亦然)的档案，可能因其大储存空间而成为管理上的累赘。为了克服此问题，先前技术试着自动铺设给定层的全部未使用的空间， 然后并以规则的虚拟填充物件的阵列填满该已产生的地砖。 一旦数目超过d、 门槛值，定义固定空间填充物件的阵列所需的数据将较个别地定义相同敖目 的虚拟物件为少。举例言的，阵列可以用例如给定的阵列起始多边形(即 具一对角线、两个角坐标的矩形)、列与行的重多目及间隔数目来定义。当 以该阵列定义的多边形数目超过相对应的门槛，该阵列所需的数据储存空间 将较平面定义为少，其中该同样数目的多边形是^C个别定义，各个别多边形 是依其独特的关键坐标组所指定。尽管理论上来说，该铺设与填充 (tile-and-fill)技术似乎可良好运作，对于该技术仍存在令人费解之处，在于其 易于最终产物中留下非所欲的未使用空间。以下将详细探讨该非所欲的未使 用空间出现的原因。由于该铺设与填充技术的缺点，业界通常不愿意回到较可靠但消耗储存 的填平(flat-fill)技术。因此，期望有一种能结合较早期的填平(flat-fill)技术 的全填(fbll-fill)特征及铺设与填充(tile-and-fill)技术的数据储存效率的方法。
技术实现思路
基于本专利技术所披露内容，可提供结构及方法以改善上述已知填平技术及 已知铺设与填充技术的缺点。更特定言，本专利技术一方面提供一种自动填充方法，其包含(a)自动填 平装置区，其具有个别指定多边形(individually specified polygons); (b)自 动及均匀地增加个别多边形的尺寸以使相邻多边形互相接触，且自动合并以 形成经合并虛拟岛(merged dummy islands)的无铍折轮廓(wrinkle-free outlines); ( c )再定义该无皱折轮廓为相应的空白空间岛(empty spaceislands); (d)自动铺设每一空白空间岛；以及(e )以多边形的相应阵列填 满地砖(tiles)。接着形成数据库，以包括多边形铺设与填充阵列的阵列型态 描述。不希望受任何特定操作理论约束，因为在合并的虚拟岛上顶点(vertices) 的布置及数量以及当开始定义地砖边界时在该顶点上一般用途的铺设技术 的方式, 一般相4l合并及铺i殳(merge- and-tiles) 4支术是可^f亍的。根据本专利技术的集成装置层包含(a)功能特征(fimctional features)以 及(b)散置相邻于功能特征的虚拟填充特征(dummy-fill features),其中虚 拟填充特征是由相应的阵列规格所定义，该阵列规格则由包含下步骤的方法 所产生(b.l)以个别指定多边形自动填平集成装置层中空白的部分；(b.2) 自动产生共形(conformal)及实质上无皱折轮廓，该轮廓围绕连续相邻的填 平虛拟物件；(b.3)再定义该轮廓为相应的空白空间岛；(b.4)自动铺设每 一空白空间岛；以及(b.5 )产生该阵列规格以利用相应的多边形阵列填满地 砖。本专利技术的其他方面将可由随后详细说明中呈现。 附图说明以下为附图的详细说明以为参考，其中图1A为上平面视图，是用来介绍晶片上划线区域、晶片内图形区域及 其与对填充敏感的成形制造方法的关系；图1B为侧视剖面图，其显示图1A中，该晶片的不同层中，管芯内图 案区的配置；图1C为流程图，其显示不同技术群间责任的过程，如在制晶片的每一 层各自被指定、加入虚拟填充特征、进行相对应的蚀刻掩模、确认该掩模且 用来蚀刻曝光光感层，及后来发展且图案化层，因此而产生集成装置；图2A为组合流程图及上视图，其用来解释方便地附加虚拟填充特征的 填平技术；图2B为组合流程图及上视图，其用来解释方便地附加虚拟填充特征的 铺设与填充技术；以及图3A至3B为联合提供组合流程图及上视图，其用来解释本专利技术的一 种填平、轮廓、铺设及再填充的方法。主要元件符号说明50、 50:晶片 51a:坐标格 54:切割道 55a:空白空间61、 62、 63、 64、 65、 66:层82:掩模84:第一标线区86:光感层87:材料层89:全图案化层89b:台地251、 252、 265、 291、 292、 352、 251、 252、 352:空孔 251a、 251a本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用以产生虚拟填充规格的自动化方法，该虚拟填充规格是用于以虚拟物件填满介于指定功能布局的功能特征间的空白空间，该方法包含：（ａ）自动地以该虚拟物件填平该空白空间；（ｂ）自动地形成经填平虚拟物件的相邻区域的共形轮廓；以及（ｃ）自动地铺设由该共形轮廓所界定的区域，由此定义一个或多个该共形轮廓内的地砖。
【技术特征摘要】
US 2006-11-6 11/593,8921.一种用以产生虚拟填充规格的自动化方法，该虚拟填充规格是用于以虚拟物件填满介于指定功能布局的功能特征间的空白空间，该方法包含(a)自动地以该虚拟物件填平该空白空间；(b)自动地形成经填平虚拟物件的相邻区域的共形轮廓；以及(c)自动地铺设由该共形轮廓所界定的区域，由此定义一个或多个该共形轮廓内的地砖。2. 如权利要求1的方法，其中该指定功能布局的一个或多个功能特征包 含皱折且其中(b.l )该共形轮廓实质上不具与该功能特征的该皱折一致的顶点。3. 如权利要求1的方法，其中(b.l )该形成该共形轮廓的步骤包含在该经填平的该空白空间内自动地 放大该虛拟物件的尺寸。4. 如^f又利要求1的方法，其中该数据结构具有用以指出该相对应的虚拟物件的形状或形式的第一数据项、 可在该虚拟物件的该经确认的形状或形式内定义第一临界点位置的第二数 据项；以及可在该虚拟物件的该经确认的形状或形式内定义进一步临界特征 的第三数据项，由此使得该数据结构得以个别描述该对应的虚拟物件的形 状、方4立及4立置。5. 如权利要求1的方法，其中(a.l )各该填平虚拟物件为矩形，该矩形由计算机可读取且相对应的数 据结构所定义，而该数据结构具有分别定义该相对应矩形的相对角位置的第 一及第二数据项。6. 如权利要求l的方法，进一步包含(d )自动化地定义用于填充一个或多个该地砖的虚拟物件多边形的阵列。7. 如权利要求6的方法，其中各该经自动化定义的阵列为计算机可读取 的数据结构，而该数据结构包含(d.l)第一数据，其是指出该数据结构为阵列形式； (d.2)第二数据，其是描述该阵列的虚拟物件的尺寸、形状及/或方位的实例；(d.3 )第三数据，其是描述用于该阵列中多个虚拟物件的一个或多个分 隔强度；以及(d.4 )第四数据，其是描述该阵列中多个虚拟物件的数目。8. 如权利要求6的方法，其中该第四数据是描述在该阵列中每一列出现 的虚拟物件数目及在该阵列中每一行出现的虚拟物件数目。9...
【专利技术属性】
技术研发人员：米歇尔玛瑞，范古颜，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司新加坡子公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]
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