A wafer quality analysis device, including: for the analysis of data, reference data and intermediate results of temporary wafer database; for at least two of the correlation analysis and correlation analysis results of output data analysis of wafer database call analysis unit; for according to the correlation analysis of the data analysis unit output and output the results to determine the key parameter list according to the results, optimization and optimization of output control unit or standard wafer process control statistical process monitoring unit for collecting feedback; wafer analysis data, according to the list of key parameters in optimization of unit output, monitoring of key parameters, and will monitor the results back to the optimization unit, and according to the optimal control standard or wafer process optimization the output unit, again monitoring of the key parameters, and finally outputs the wafer analysis results Process control unit. The invention also discloses a wafer quality analysis method. The wafer quality analysis device and method improve the accuracy of quality analysis.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
目前,晶圆制造工艺在工艺控制、设备操作和材料制造方面都要求很高 的精确度。 一个错误就有可能导致晶圓的完全报废。在整个工艺过程中,晶 圆和工艺质量好坏的评估是通过大量的测试和测量得出的。其中,晶圆良率 和可接受测试数据都是衡量所生产的晶圆性能是否可靠的较重要的指标。晶圆良率简单来说就是晶圓上有效晶粒占晶圓上所有晶粒的比例。晶圆 的良率受到许多方面的制约,例如,晶圆破碎和弯曲、工艺制程变异、工艺 制程缺陷和光刻掩膜版缺陷都会对晶圆的良率产生影响。为了保证提供给客 户的晶圆的性能,就需要对于经过测试得到的晶圆良率数据进行分析,剔除 不符合质量要求的晶圓。通常剔除不符合质量要求的晶圓都是通过将晶圆与 已知的不合格晶圓的失效晶粒分布类型进行比对来达到的,例如,美国专利号为7106897的专利技术公开了一种用于将晶圓失效晶粒分布类型与失效分布类 型库中的已有确认晶圓不合格的失效分布类型进行比对的系统,包括用于识 别晶圆失效分布类型并产生相应的规格化数据组合的装置,以及将所述规格 化数据组合与系统已有确认晶圆不合格的失效分布类型库中的数据组合进行 比较并产生相应标识的分析装置。该系统可用来识别不合格的晶圆,而不合 格的晶圆会被作为废片处理掉。而晶圓可接受测试是指晶圆在完成所有制程后,针对晶圓上的测试结构 所进行的电性测试。根据对晶圆可接受测试数据的分析,通常可以发现晶圓 制程的异常。 '目前对晶圆可接受测试数据的分析,通常都会考虑可接受测试数据与晶圓测试(CP, Circuit Probing)良率的关系以及可接受测试数据与成品测试(F ...
【技术保护点】
一种晶圆质量分析装置,其特征在于,包括数据库、数据分析单元、优化单元以及统计过程控制单元, 所述数据库用于暂存晶圆分析数据、参考数据以及中间结果; 所述数据分析单元用于调用数据库中的至少两种晶圆分析数据进行相关分析并输出相关分析 结果; 所述优化单元用于根据相关分析结果确定并输出关键参数列表,并根据统计过程控制单元反馈的关键参数监控结果优化并输出控制标准或晶圆制程; 所述统计过程控制单元用于采集晶圆分析数据,根据关键参数列表对关键参数进行监控,并将监控结 果反馈给优化单元,并根据优化单元输出的优化控制标准或晶圆制程,再次对关键参数进行监控,并最终输出晶圆分析结果, 其中,所述晶圆分析数据包括:工艺数据、可接受测试数据、晶圆测试良率数据、成品测试良率数据以及可靠性测试数据,所述中间结果包 括数据分析单元输出的相关分析结果、优化单元输出的关键参数列表。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:简维廷,杨斯元,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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