【技术实现步骤摘要】
一种E字型风冷高频变压器
本技术涉及电气设备制造领域,具体为一种E字型风冷高频变压器。
技术介绍
高频开关电源是一种交流变直流,然后经IGBT逆变成高频交流,再经高频变压器变压,然后经快速整流管或肖特基管整流成直流电源,由于其中的功率元器件有发热的现象,按照散热形式一般分为水冷和风冷两种形式,从输出电压高低又分为高电压型和低电压型。风冷低电压大电流型高频变压器,由于采用了非晶材料作为铁芯材料,体积成几十倍的缩小,且是圆柱型或椭圆体型,在上面绕上一次、二次导电线圈就形成的高频变压器。以1500A/12V高频电源为例,目前市场上的此种高频变压器主要有两种制造法,一是在圆柱体磁芯上绕制一次线圈,做好绝缘,再用多股铜线多组绕制二次线圈,此种变压器的缺点是由于变压器二次绕组由多股铜线并联绕组,排布很难均匀,且绕组末端需要焊接线鼻子或连接铜板,使用中发热量高。目前市场上的非晶磁芯形状大多是圆环柱体,圆环的中心面积有限。
技术实现思路
针对上述现有技术中存在的问题,本技术提供一种E字型风冷高频变压器,降低使用时的温度,提高变压器的稳定性和使用寿命。本技术采用的技术方案如下:一种E字型风冷高频变压器,包括绕组架、纳米非晶磁芯,所述绕组架由第一绕组架、第二绕组架组合而成,第一绕组架、第二绕组架连接处由绝缘材料隔开,绕组架截面整体呈E型,绕组架中间为由第一绕组架和第二绕组架上的半圆柱形芯柱拼接而成的圆柱形芯柱,第一绕组架的上部及第二绕组架下部均设有连接柱,在绕组架上形成以芯柱为中心的环形凹槽,所述纳米 ...
【技术保护点】
1.一种E字型风冷高频变压器,包括绕组架、纳米非晶磁芯(6),其特征在于:所述绕组架由第一绕组架(1)、第二绕组架(3)组合而成,第一绕组架(1)、第二绕组架(3)连接处由绝缘材料(2)隔开,绕组架截面整体呈E型,绕组架中间为由第一绕组架(1)和第二绕组架(3)上的半圆柱形芯柱(5)拼接而成的圆柱形芯柱,第一绕组架(1)的上部及第二绕组架(3)下部均设有连接柱(4),在绕组架上形成以芯柱为中心的环形凹槽,所述纳米非晶磁芯(6)套在芯柱上并置于环形凹槽内,在纳米非晶磁芯(6)上绕有一次线圈,第一绕组架(1)上的连接柱(4)、第二绕组架(3)上的半圆柱形芯柱(5)均连接负极输出铜排(7),第一绕组架(1)上的半圆柱形芯柱(5)、第二绕组架(3)上的连接柱(4)分别连接交流输出铜排(8)。/n
【技术特征摘要】
1.一种E字型风冷高频变压器,包括绕组架、纳米非晶磁芯(6),其特征在于:所述绕组架由第一绕组架(1)、第二绕组架(3)组合而成,第一绕组架(1)、第二绕组架(3)连接处由绝缘材料(2)隔开,绕组架截面整体呈E型,绕组架中间为由第一绕组架(1)和第二绕组架(3)上的半圆柱形芯柱(5)拼接而成的圆柱形芯柱,第一绕组架(1)的上部及第二绕组架(3)下部均设有连接柱(4),在绕组架上形成以芯柱为中心的环形凹槽,所述纳米非晶磁芯(6)套在芯柱上并置于环形凹槽内,在纳米非晶磁芯(6)上绕有一次线圈,第一绕组架(1)上的连接柱(4)、第二绕组架(3)上的半圆柱形芯柱(5)均连接负极输出铜排(7),第一绕组架(1)上的半圆柱形芯柱(5)、第二绕组架(3)上的连接柱(4)分别连接交流输出铜排(8)。
2.如权利要求1所述的一种E字型风冷高频变压器,其特征在于:所述第一绕组架(1)上的半圆柱形芯柱(5)的长度大于第二绕组架(3)上的半圆柱形芯柱(5)的长度,且第一绕组架(1)上的连接柱(4)的长度与第二绕组架(3)上的半圆柱形芯柱(5)的长度相等,所述负极输出铜排(7)上设有略大于半圆柱形芯柱...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭委琪,
申请(专利权)人:湘潭方正电气成套设备有限公司,
类型:新型
国别省市:湖南;43
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。