一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法技术

技术编号:2771100 阅读:141 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法。现有技术对气相沉积设备反应腔的漏气检查通常在设备维修后通过人工方式启动一检查反应腔是否漏气的程序进行漏气检查,存在检查间隔过长、间隔不均且受人为因素影响的问题,难以有效的检查出反应腔的漏气并避免由此所造成的损失。本发明专利技术的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法首先侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足,且在满足时启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查,最后输出漏气检查的结果。采用本发明专利技术的方法可有效的检查出反应腔的漏气状况,避免由于漏气所造成的经济损失。

Method for automatically checking gas leakage in reaction chamber of vapor deposition equipment

The invention provides a method for automatically checking the leakage of a reaction chamber of a vapor deposition equipment. Check the air leakage in the prior art that the vapor deposition equipment reaction chamber are usually passed on equipment maintenance after manually starting a program to check whether the reaction chamber leaks leak checks, check the interval is too long, uneven interval and affected by human factors, it is difficult to effectively detect leakage of the reaction chamber and avoid the resulting loss. Whether the automatic checking method of the invention of the vapor deposition equipment reaction chamber leaks first detection automatic check vapor deposition equipment reaction cavity leakage starting conditions are satisfied, and at the start of a check whether leakage of the reaction chamber to meet the program to check the air leakage of the reaction chamber, the final output leakage inspection results. By adopting the method of the invention, the leakage situation of the reaction cavity can be effectively checked, and the economic loss caused by the leakage of the air can be avoided.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及反应腔密封性的检查,特别涉及一种自动检查气相沉积设备反 应腔是否漏气的方法。
技术介绍
在半导体制造领域,诸多工序均需通过气相沉积工艺来生成所需的膜,例 如通过化学气相沉积生成氮化硅层,通过物理气相沉积生成鴒塞或金属电极, 上述化学气相沉积和物理气相沉积分别在相应的化学气相沉积设备和物理气相 沉积设备中进行,但上述气相沉积设备反应腔若存在漏气时,会导致生成的膜 的成分及厚度存在偏差,影响后道工序的进行,严重的需要进行返工甚至导致 产品的报废。现针对气相沉积设备反应腔的漏气检查通常在对设备进行维修后,通过人 工方式开启 一检查气相沉积设备反应腔是否漏气的程序来检查该反应腔是否漏 气,存在检查间隔过长、间隔不均且受人为因素影响的问题,从而无法及时发 现漏气,如此将会造成严重的经济损失。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方 法,通过所述方法可避免由反应腔漏气所造成的经济损失。本专利技术的目的是这样实现的 一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气 的方法,该方法包括以下步骤(1)侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏 气的启动条件是否满足,若是则继续步骤(2),若否则返回步骤(1) ; (2) 启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查;(3 )输出漏气检查 的结果。在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中,该气相沉积设备为物理气相沉积设备。在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中,该气相沉积设 备为化学气相沉积设备。在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中,在步骤(1 )中, 该启动条件为反应腔清洗完毕。在上述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法中,在步骤(1 )中, 该启动条件为采用新的配方进行气相沉积。与现有技术在设备维修完毕后,通过人工启动检查气相沉积设备反应腔是 否漏气的程序进行漏气检查相比,本专利技术的自动检查气相沉积设备反应腔是否 漏气的方法,在侦测出自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件满足 时,启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查,并输出漏气检 查的结果,如此可对反应腔进行有效的漏气检查,避免反应腔漏气所造成的巨 大经济损失,另外可大大节约人力。附图说明本专利技术的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法由以下的实施例及 附图给出。图1为本专利技术的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法的流程图。具体实施方式以下将对本专利技术的自动^^查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法作进一步 的详细描述。如图1所示,本专利技术的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法首先进行步骤S1G,侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满 足,若是则继续步骤SU,若否则返回步骤SIO。所述气相沉积设备为物理气相沉积设备或化学气相沉积设备。在本实施例 中,该气相沉积设备为化学气相沉积设备,该自动检查气相沉积设备反应腔是 否漏气的启动条件包括反应腔清洗完毕和采用新的配方进行气相沉积。在本发 明其他实施例中,可提供设定步骤供使用者设定上述两者或任一者为启动条件。在步骤Sll中,启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查。接着继续步骤S12,输出漏气^r查的结果。在本实施例中,可将漏气检查的 结果输入到诸如蜂鸣器、报警灯等警示模块,所述警示模块在漏气检查的结果 为漏气时通过声音报警或灯光闪烁等方式警示使用者气相沉积设备反应腔漏综上所述,本专利技术的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法,在侦 测出自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件满足时,启动一检查反 应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查,并输出漏气4全查的结果,如此可 对反应腔进行有效的漏气检查,避免反应腔漏气所造成的巨大经济损失,另外 可大大节约人力。权利要求1. ,其特征在于,该方法包括以下步骤(1)侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足,若是则继续步骤(2),若否则返回步骤(1);(2)启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查;(3)输出漏气检查的结果。2、 如权利要求l所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法,其 特征在于,该气相沉积设备为物理气相沉积设备。3、 如权利要求l所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法,其 特征在于,该气相沉积"i殳备为化学气相沉积设备。4、 如权利要求1所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法,其 特征在于,在步骤(1)中,该启动条件为反应腔清洗完毕。5、 如权利要求l所述的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法,其 特征在于,在步骤(l)中,该启动条件为采用新的配方进行气相沉积。全文摘要本专利技术提供了。现有技术对气相沉积设备反应腔的漏气检查通常在设备维修后通过人工方式启动一检查反应腔是否漏气的程序进行漏气检查,存在检查间隔过长、间隔不均且受人为因素影响的问题,难以有效的检查出反应腔的漏气并避免由此所造成的损失。本专利技术的自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法首先侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足,且在满足时启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查,最后输出漏气检查的结果。采用本专利技术的方法可有效的检查出反应腔的漏气状况,避免由于漏气所造成的经济损失。文档编号G01M3/00GK101281076SQ200710039199公开日2008年10月8日 申请日期2007年4月6日 优先权日2007年4月6日专利技术者李晓波, 林艺辉 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)侦测自动检查气相沉积设备反应腔是否漏气的启动条件是否满足,若是则继续步骤(2),若否则返回步骤(1);(2)启动一检查反应腔是否漏气的程序对反应腔进行漏气检查;(3)输出漏气检查的结果。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李晓波林艺辉
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利