【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于种减反射膜的制备方法，具体地说涉及。减反射膜的制备方法很多，包括化学镀膜法和物理镀膜法。物理镀膜法因其自身许多难以克服的缺点，在实际应用中受到诸多的限制，因而近年来化学镀膜法得到了很大发展。I.M.Thomas(Appl.optics,1986,25:1481)用胶体SiO2制备减反射膜，光学透过率可达100％，但并未给出。1992年上海I.M.Thomas(Appl.optics,1992,31:6145)对上述胶体的制备进行了改进，仍保持减反特性的同时，激光损伤阈值得到提高(50J/cm2/1064mn/10ns。上海光机所汤加苗等人(光学学报，1997,17(3):338)以正硅酸乙酯为前驱体，通过溶胶-凝胶技术制备SiO2溶胶，采用提拉法制备减反膜，光学透过率达100％。据资料报道该膜层抗激光损伤阈值很低，不大于12J/cm2/1064nm/10ns。现有技术的减反膜具有抗激光损伤阈值不高的缺点。本专利技术的专利技术目的是提供一种具有抗激光损伤阈值高的高抗激光损伤减反膜的制备方法。本专利技术的目的是这样实现的这种膜层由在SiO2玻璃基底上用化学镀膜法制备的单层或数层增透膜组成。本方法SiO2溶胶镀膜液特征在于通过添加各种不同的表面活性剂，可以得到SiO2溶胶粒子极好的粒径分布和良好的多孔性质，从而可以稳定地控制溶胶粒子的生长，同时还可以制备出不同溶胶簇团网络结构。这种可控制粒度和可控结构的溶胶有助于提高减反膜的抗激光损伤阈值，同时，保持了良好的光学增透性能。本专利技术的制备方法如下1．将原料按一定组成混合后充分搅拌，然后装入密闭...
【技术保护点】
一种高抗激光损伤减反膜的制备方法，包括以下步骤：（１）．将原料按一定组成混合后充分搅拌，然后装入密闭容器中，在陈化温度为２０－６０℃下进行陈化１０－１８０天，得到ＳｉＯ↓［２］溶胶镀膜液；（２）．将溶胶镀膜液采用旋转镀膜法制成减反膜 ；其特征在于所述原料组成为（摩尔比）：正硅酸甲酯或正硅酸乙酯∶水∶无水乙醇∶碱∶ＰＥＧ＝１∶（０．０１－１０）∶（１－１００）∶（０．０１－１）∶（０．００１－０．２）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙予罕，吴东，孙继红，范文浩，徐耀，
申请(专利权)人：中国科学院山西煤炭化学研究所，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]
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