中子照像闪烁增强屏制造技术

利用小型密封中子源实现中子照像，是许多先进国家广泛采用的技术。由于小型中子源的源弱、引出中子束强度低，因此必须选用高灵敏度的中子转换显示装置。本发明专利技术是这样实现的，选用浓缩６ＬｉＦ为反应材料；ＺｎＳ（Ａｇ）为荧光材料，其特征是长余辉，中心粒度７μｍ；高分子聚合物ＥｖＡ做粘结剂，６ＬｉＦ：ＺｎＳ（Ａｇ）∶ＥｖＡ＝１∶４．５∶１．２５。将混合好的料在混炼机中加温至１３０—２００℃混合均匀后，用模具压制而成。该屏的固有分辨率、相对黑度等主要性能优于英国研制的ＮＥ４２６屏。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
本专利技术属于一种中子转换显示装置，其特征在于：该装置由反应材料６↓［ＬｉＦ］、荧光材料ＺｎＳ（Ａｇ）和高分子聚合物ＥＶＡ混合而成，其荧光材料余辉＞１０ｍＳ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：马维超，金重铁，李树忠，周明达，何跃芳，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：22[中国|吉林]