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温度敏感器件的分度方法技术

技术编号:2555159 阅读:232 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种半导体温敏二极管及其互换组件的分度方法,解决了温敏二极管及其互换组件在恒流源和恒压源供电下分度的技术问题。其主要技术特征是:首先确定分度电路的参数,然后确定分度内插关系式中的分度常数值,最后由内插关系式计算得出分度表。本发明专利技术的方法适用于各种温敏二极管及其互换组件的分度。(*该技术在2011年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供了一种半导体,特别是一种半导体温敏二极管及其互换组件的分度方法。过去,温敏二极管的分度是在恒流源供电下进行的。我们知道,恒压源具有简单、经济、实用等优点,因此,同时在恒流源和恒压源供电下对温敏二极管及其互换组件进行分度具有重要的意义。本专利技术的目的是提供一种在恒流源和恒压源供电下对温敏二极管及其互换组件进行分度的方法。本专利技术的方法是这样的附图说明图1是本专利技术的分度电路。其中A为恒流源电路;B为恒压源电路,E为标准电压,R为限流电阻,Dt为被分度温敏二极管。图2是图1中恒压源电路的改进电路,图中Rx为线性化电阻。首先确定分度电路的参数即恒压源电路的E、R或R、Rx,恒流源电路的电流值。然后确定分度正向电压(Vf)-温度(t)关系式中的分度常数。恒流源供电下的Vf-t关系式为Vf=VO-D(273.15+t)ln(1)式中VO、C、r为与材料及工艺有关的分度常数,D=nk/q,n为组成温敏二极管的管个数,K为玻尔兹曼常数,q为电子电量。恒压源供电下的Vf-t关系式为Vf=VfO(1-At-Bt2+Cl3+…)(2)式中VfO是0℃下的正向电压,A、B、C、…为与恒压源电路参数及被分度温敏二极管有关的分度常数。最后分别用恒流源和恒压源供电下的Vf-t关系式计算得出分度表。分度表分简单分度表和详细分度表两种简单分度表给出的是不同恒流和不同恒压供电下的正向电压-温度特性对照;详细分度表不仅给出了不同恒流和不同恒压供电下的正向电压-温度特性对照,而且给出了相应的灵敏度-温度特性及灵敏度变化率-温度特性对照。(1)、(2)式是摄氏温度(t)下的分度关系式,当需要在其它温度下分度时,只要将t换算成相应的温度即可。本专利技术分度方法适用于各种温敏二极管(包括单PN结温敏二极管、多PN结顺向串联构成的温敏二极管、晶体管的be结、cb结及其顺向串联构成的温敏二极管以及由晶体管接成的温敏二极管及其顺向串联构成的温敏二极管)的分度,同时也适用于它们的互换组件的分度。对组件的分度,既给出了分度表,又给出了与分度表的偏差及等级。本专利技术方法的提出,为温敏二极管及其互换组件的分度提供了新的理论和方法,为工业温敏二极管的诞生奠定了基础,从而将促进温敏二极管的研究、生产和应用。实现本专利技术的一个典型实例如下某一温敏二极管,量程0-100℃,分度温度间隔为10℃,分度方法为首先确定分度电路如图1。然后在三个温度下确定出(1)、(2)式中的分度常数如表1所示。最后用(1)、(2)式计算得到简单分度表如表2所示。权利要求1.一种半导体温敏二极管(包括单PN结温敏二极管;多PN结顺向串联构成的温敏二极管;晶体管的be结、cb结及其顺向串联构成的温敏二极管以及由晶体管接成的二极管及其顺向串联构成的温敏二极管)及其互换组件的分度方法,其特征是首先确定恒流源和恒压源分度电路的参数,然后确定分度正向电压(Vf)-温度(t)关系式中的分度常数,最后用Vf-t关系式计算得出分度表。2.按权利要求1所述温敏二极管及其互换组件的分度方法,其特征是所述恒压源分度电路为温敏二极管与一个电阻相串联或温敏二极管与一个线性化电阻并联后再与一个电阻相串联,供电电源为恒定电压源。3.按权利要求1所述温敏二极管及其互换组件的分度方法,其特征是所述Vf-t关系式为恒流源供电时Vf=VO-D(273.15+t)ln式中VO、C、r分别为与材料及工艺有关的分度常数,D=nk/q,n为组成温敏二极管的管个数,k为玻尔兹曼常数,q为电子电量。恒压源供电时Vf=VfO(1-At-Bt2+Ct3+…)式中VfO是0℃下的正向电压,A、B、C、…分别为与恒压源电路参数及被分度温敏二极管有关的分度常数。4.按权利要求1所述温敏二极管及其互换组件的分度方法,其特征是所述分度表分为简单分度表和详细分度表两种简单分度表给出了不同恒流和恒压供电下的正向电压-温度特性对照,详细分度表不仅给出了不同恒流和恒压供电下的正向电压-温度特性对照,而且给出了相应的灵敏度-温度特性及灵敏度变化率-温度特性对照。全文摘要本专利技术提供了一种半导体温敏二极管及其互换组件的分度方法,解决了温敏二极管及其互换组件在恒流源和恒压源供电下分度的技术问题。其主要技术特征是首先确定分度电路的参数,然后确定分度内插关系式中的分度常数值,最后由内插关系式计算得出分度表。本专利技术的方法适用于各种温敏二极管及其互换组件的分度。文档编号G01K7/02GK1072777SQ9111119公开日1993年6月2日 申请日期1991年11月23日 优先权日1991年11月23日专利技术者王吉玉 申请人:王吉玉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体温敏二极管(包括单PN结温敏二极管;多PN结顺向串联构成的温敏二极管;晶体管的be结、cb结及其顺向串联构成的温敏二极管以及由晶体管接成的二极管及其顺向串联构成的温敏二极管)及其互换组件的分度方法,其特征是首先确定恒流源和恒压源分度电路的参数,然后确定分度正向电压(V↓[f])-温度(t)关系式中的分度常数,最后用V↓[f]-t关系式计算得出分度表。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王吉玉
申请(专利权)人:王吉玉
类型:发明
国别省市:21[中国|辽宁]

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