干燥装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种干燥装置，包括：旋转台、连接所述旋转台位于旋转台上方用于放置晶圆的晶圆架，还包括与所述晶圆架相对，用于向晶圆吹气的干燥辅助装置。本发明专利技术干燥装置由于解决了现有技术晶圆干燥后表面残留水份并且干燥时间长的问题，因而提高了晶圆干燥的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于干燥晶圆的干燥装置，特别涉及晶圆清洗后的干燥装置。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般来说，在半导体器件的整个制造工艺中，高达20%的步骤为清洗的步骤。 清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影 响半导体器件的性能和合格率。而在晶圓清洗之后，为了避免晶圓上残留的水印或是残留清洗液反应物 对于后续制程产生影响， 一般都会对于晶圆进行干燥。例如美国专利号为 5996594的美国专利所公开的，在晶圆清洗后将晶圆与旋转头固定，利用离心 力来进行旋转式干燥。目前用于旋转式干燥的干燥装置如图l所示，包括，旋转台1、连接旋转 台l位于旋转台1上方用于放置晶圆的晶圆架2。当进行晶圓干燥时，旋转台 启动带动晶圆架2旋转，通过旋转产生的离心力使晶圆3表面干燥。然而， 在目前的旋转式晶圆干燥工艺中发现，由于目前使用的旋转台l的转速较低， 在完成干燥的晶圆上还能够发现残留的水份，并且干燥的时间也较长，晶圆 干燥的效率不高。而如果使得旋转台1的转速很快，则会影响晶圆干燥过程 中的稳定性，甚至有可能会损坏晶圆，并且旋转台1的转速过快也会导致旋 转台l耗损较快，增加了设备成本。
技术实现思路
本专利技术提供了一种干燥装置，解决现有技术干燥装置在对晶圆干燥之后，晶圆表面仍残留水份，并且干燥时间长，晶圆干燥效率不高的问题。为解决上述问题，本专利技术提供了一种干燥装置，包括，旋转台、连接所 述旋转台位于旋转台上方用于放置晶圆的晶圆架以及与所述晶圆架相对，用 于向所述晶圓吹气的干燥辅助装置。可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置以及连接气体供应装置并 位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应装置和气体释出装置通过传 输管道连接。可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的加 热装置以及连接加热装置并位于晶圆架上方的气体释出装置，所述气体供应 装置、加热装置和气体释出装置通过传输管道连接。可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的过 滤器以及连接过滤器位于晶圓架上方的气体释出装置，所述气体供应装置、 过滤器、气体释出装置通过传输管道连接。可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的过 滤器、连接过滤器的加热装置、连接加热装置并位于晶圆架上方的气体释出 装置，所述气体供应装置、过滤器、加热装置、气体释出装置通过传输管道 连接。可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的加 热装置、连接加热装置的过滤器、连接过滤器并位于晶圆架上方的气体释出 装置，所述气体供应装置、加热装置、过滤器、气体释出装置通过传输管道 连接。可选的，所述干燥辅助装置包括气体供应装置、连接气体供应装置的第 一过滤器、连接第一过滤器的加热装置、连接加热装置的第二过滤器、连接 第二过滤器并位于晶圓架上方的气体释出装置，所述气体供应装置、第一过滤器、加热装置、第二过滤器和气体释出装置通过传输管道连接。与现有技术相比，上述方案具有以下优点上述方案干燥装置通过增设干燥辅助装置向晶圆吹气，使得残留的水份能够地从晶圆表面去除，不但避 免了晶圓干燥之后表面残留水份，并且减少了晶圆干燥的时间，因而提高了 晶圆干燥的效率。附图说明图l是现有干燥装置示意图； 图2是本专利技术实施例1干燥装置示意图； 图3是本专利技术实施例2干燥装置示意图； 图4是本专利技术实施例3干燥装置示意图； 图5是本专利技术实施例4干燥装置示意图； 图6是本专利技术实施例5干燥装置示意图； 图7是本专利技术实施例6干燥装置示意图。 具体实施例方式本专利技术干燥装置通过增设干燥辅助装置向晶圓吹气，使得残留的水份能 够地从晶圓表面去除，不但避免了晶圓干燥之后表面残留水份，并且减少了 晶圆干燥的时间，因而提高了晶圆干燥的效率。实施例1如图2所示，本专利技术实施例干燥装置包括， 旋转台10;连接旋转台IO位于旋转台IO上方，用于放置晶圆30的晶圆架20; 与晶圆架20相对，用于向晶圓30表面吹气的干燥辅助装置，所述干燥 辅助装置包括气体供应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41以及连接传输管道41并位于晶圆架20上方的气体释出装置42。所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体，例如氦、氖、氩、 氪等。所述与气体供应装置40和气体释出装置42相连的传输管道41采用金 属或硬质塑料的材质。所述传输管道41釆用焊接或铆接的方式与气体供应装 置40和气体释出装置42相连。作为本专利技术实施例的一种可实现方式，所述 传输管道41为不锈钢螺紋管，通过螺紋旋紧的方式分别与气体供应装置40 和气体释出装置42相连。所述释出装置42包括用于向晶圓30表面吹气的喷枪423、连通传输管道 41并向喷枪423提供气体的传输软管(图中未标号)、用于固定喷枪的悬架 421、用于带动悬架421运动的马达422。所述喷枪423位于晶圆30上方并且 喷枪423的喷口指向晶圆30中心，所述喷枪423的喷口相对于晶圆30的角 度为30至45度，例如31度、32度、33度、34度、35度、36度、37度、 38度、39度、40度、41度、42度、43度、44度、45度。如前所述，当晶圓完成清洗之后，就需要进行干燥以避免晶圆表面残留 的水印或是残留的清洗液反应物对后续制程造成影响。在晶圆30被放置于晶 圓架20上并固定好之后，旋转台10启动，带动晶圆架20旋转，旋转台的转 速为3000-5000转/分钟，例如3000转/分钟、3200转/分钟、3400转/分钟、 3600转/分钟、3800转/分钟、4000转/分钟、4200转/分钟、4400转/分钟、4600 转/分钟、4800转/分钟、5000转/分钟。此时，气体供应装置40开启提供氮气 或惰性气体，氮气或惰性气体的气压为3至5Atm,例如3.2Atm、 3.4Atm、 3.6Atm、 3.8Atm、 4Atm、 4.2Atm、 4.4Atm、 4.6Atm、 4.8Atm、 5Atm。氮气或 惰性气体通过传输管道41到达传输软管，由于传输软管与喷枪423连通，氮 气或惰性气体就通过喷枪423吹到晶圆表面。此时，马达422还会带动悬架 421以一定的角度旋转，马达422转动的角度应能够使得喷枪423喷出的氮气 或惰性气体能够覆盖整个晶圓30，因此马达422转动的角度其实是根据马达422所处的位置以及喷枪423在晶圆30上方所处的位置来确定的。 实施例2如图3所示，本专利技术实施例干燥装置包括， 旋转台10;连接旋转台IO位于旋转台IO上方，用于放置晶圓30的晶圆架20;与晶圆架20相对，用于向晶圓30表面吹气的干燥辅助装置，所述干燥 辅助装置包括气体供应装置40、连通气体供应装置40的传输管道41、连通 传输管道41的过滤器43、连通过滤器43的传输管道41以及连通传输管道 41并位于晶圆架20上方的气体释出装置42。所述气体供应装置40提供的气体为氮气或惰性气体，例如氦、氖、氩、 氪等。所述过滤器43用以过滤气体供应装置40提供的气体中含有的污染物 颗粒。所述与气体供应装置40、气体释出装置42以及过滤器43相连的传输 管道41采用金属或硬质塑料的材质。所述传输管道41采用焊接或铆接的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干燥装置，包括：　旋转台；　连接所述旋转台并位于旋转台上方，用于放置晶圆的晶圆架，　其特征在于，还包括与所述晶圆架相对，用于向所述晶圆吹气的干燥辅助装置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]