【技术实现步骤摘要】
一种低表面浓度深结太阳能电池片
本技术涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种低表面浓度深结太阳能电池片。
技术介绍
当前常规晶硅电池随着产业化的发展,转换效率提升和成本降低都有了较大的进步。晶硅太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤:化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结。太阳能电池片在将光能转换成电能的过程中,其内部产生的光生载流子需要通过外部印刷的电极收集并引出,然后与外部电路连接,从而将电流输送出来。单晶硅片表面较轻的掺杂可以减少少子复合,增加少子寿命,但较轻的掺杂易导致金属电极银与硅接触不好,增大接触电阻,而较重的掺杂则完全相反,如能结合两者优势,消除缺陷,对提高电池片性能和转化效率具有着十分重要的意义。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种质量优良、性能稳定、电池转化效率高的低表面浓度深结太阳能电池片。为实现上述技术目的,本技术的技术方案是:一种低表面浓度深结太阳能电池片,包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极,其特征在于,所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成,所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区,重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方,重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致,所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度,重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深。进一步地,所述重掺杂区的掺杂浓度为1.0×1020cm-3~3.0×1020cm-3,结深为600nm~800nm ...
【技术保护点】
1.一种低表面浓度深结太阳能电池片,包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极,其特征在于,所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成,所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区,重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方,重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致,所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度,重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深。/n
【技术特征摘要】
1.一种低表面浓度深结太阳能电池片,包括晶体硅片、设置于晶体硅片受光面的栅线电极以及设置于晶体硅片背光面的背电极,其特征在于,所述晶体硅片由上下分布的扩散层和基底层构成,所述扩散层分为轻掺杂区和重掺杂区,重掺杂区分布于栅线电极的栅线的下方,重掺杂区的顶端面与栅线电极的栅线的底端面重叠且大小一致,所述重掺杂区的掺杂浓度高于轻掺杂区的掺杂浓度,重掺杂区的结深高于轻掺杂区的结深。
2.根据权利要求1所述的一种低表面浓度深结太阳能电池片,其特征在于,所述重掺杂区的掺杂浓度为1.0×1020cm-3~3.0×1020cm-3,结...
【专利技术属性】
技术研发人员:钮阿兴,翟文杰,
申请(专利权)人:宜兴锦尚太阳能科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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