一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法技术

本发明专利技术涉及一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2010‑2300Lux，每天光照时长11‑17小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致；与现有技术相比，本发明专利技术的优点是：通过磁场和光照影响杨树的特定基因表达，从而影响杨树的生根根长和数量，加强杨树的生长力。

A selective expression method of specific genes induced by light and magnetic field in poplar cultivation

【技术实现步骤摘要】
一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法
本专利技术涉及苗木种植领域，具体涉及一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法。
技术介绍
杨树系速生树种，杨树的栽培已在整个林业经营活动中占重要地位。杨树对环境的适应能力强，无论是肥沃的土地还是贫瘠的山地均能很好的生长，适合作为绿化植物，同时杨树具有很高的经济使用价值和环保价值，其主干通直、材质细密、生长快，是纸浆材原料林的重要树种之一，也是优良水源涵养林和主要防护林带的造林树种之一。研究发现，随着环境条件的改变，转基因杨外源基因的表达也会随着改变，而ARF转录因子在是生长素信号转导系统的关键基因，ARF基因对植物根系发育具有重要的作用，不同ARF基因通过调控不同的基因表达影响根系的生长发育。
技术实现思路
本专利技术目的是：提供一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法。本专利技术的技术方案是：一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2010-2300Lux，每天光照时长11-17小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致。进一步的：所述光照装置为日照灯。进一步的：所述磁铁的间距小于或等于30cm。进一步的：所述诱导培养基包括1/2MS培养基、混合土、茉莉酸甲酯、蔗糖和IBA。进一步的：所述1/2MS培养基与混合土的质量比为1：3-1：3.5，所述混合土包括蛭石和草炭土，所述蛭石和草炭土的重量比为10:1；所述茉莉酸甲酯的浓度为350-370μmol/L,所述蔗糖的浓度为38-41g/L，所述IBA的浓度为0.1-0.17mg/L。与现有技术相比，本专利技术的优点是：通过磁场和光照影响杨树的特定基因表达，从而影响杨树的生根根长和数量，加强杨树的生长力。具体实施方式实施例1：一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2010Lux，每天光照时长11小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致。所述光照装置为日照灯。所述磁铁的间距为10cm。所述诱导培养基包括1/2MS培养基、混合土、茉莉酸甲酯、蔗糖和IBA。所述1/2MS培养基与混合土的质量比为1：3，所述混合土包括蛭石和草炭土，所述蛭石和草炭土的重量比为10:1；所述茉莉酸甲酯的浓度为350μmol/L,所述蔗糖的浓度为38g/L，所述IBA的浓度为0.1mg/L。本实施例中，杨树苗培养30天后，不定根平均根长为7.6cm，侧根数量28根。实施例2：一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2300Lux，每天光照时长17小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致。所述光照装置为日照灯。所述磁铁的间距等于30cm。所述诱导培养基包括1/2MS培养基、混合土、茉莉酸甲酯、蔗糖和IBA，所述1/2MS培养基与混合土的质量比为1：3.5，所述混合土包括蛭石和草炭土，所述蛭石和草炭土的重量比为10:1；所述茉莉酸甲酯的浓度为370μmol/L,所述蔗糖的浓度为41g/L，所述IBA的浓度为0.17mg/L。本实施例中，杨树苗培养30天后，不定根平均根长为8.3cm，侧根数量为33根。实施例3：一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2200Lux，每天光照时长14小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致。所述光照装置为日照灯。所述磁铁的间距为26cm。所述诱导培养基包括1/2MS培养基、混合土、茉莉酸甲酯、蔗糖和IBA。所述1/2MS培养基与混合土的质量比为1：3.2，所述混合土包括蛭石和草炭土，所述蛭石和草炭土的重量比为10:1；所述茉莉酸甲酯的浓度为360μmol/L,所述蔗糖的浓度为39.5g/L，所述IBA的浓度为0.14mg/L。本实施例中，杨树苗培养30天后，平均根长为8.0cm，侧根数量为30根。实施例4：一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2100Lux，每天光照时长15小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致。所述光照装置为日照灯。所述磁铁的间距等于30cm。所述诱导培养基包括1/2MS培养基、混合土、茉莉酸甲酯、蔗糖和IBA。所述1/2MS培养基与混合土的质量比为1：3.5，所述混合土包括蛭石和草炭土，所述蛭石和草炭土的重量比为10:1；所述茉莉酸甲酯的浓度为350μmol/L,所述蔗糖的浓度为41g/L，所述IBA的浓度为0.16mg/L。本实施例中，杨树苗培养30天后，平均根长为7.9cm，侧根数量为29根。当然上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，其特征在于：将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2010‑2300Lux，每天光照时长11‑17小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致。

【技术特征摘要】
1.一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，其特征在于：将杨树苗接种在诱导培养基中，在培养基底部设置可调节磁场装置并在培养基上方设置可调光照装置以对杨树苗进行磁场影响和光照，光照强度2010-2300Lux，每天光照时长11-17小时，所述可调节磁场装置包括固定在所述培养基底部的固定座和可拆卸安装在所述固定座底部的磁铁，所述磁铁的方向一致。2.根据权利要求1所述的一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法，其特征在于：所述光照装置为日照灯。3.根据权利要求1所述的一种通过光照和磁场诱导特定基因选择性表达的杨树培育方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚明博，
申请(专利权)人：苏州扶摇种苗农业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32