弹性波装置、高频前端电路以及通信装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供利用了洛夫波且能够有效地抑制横模杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)使用洛夫波，还具备：压电基板(2)(压电体)；IDT电极(3)，设置在压电基板(2)上；以及第一电介质膜，设置在压电基板(2)上，覆盖IDT电极(3)。在IDT电极(3)中，依次配置有中央区域(B)、第一边缘区域(Ca)、第二边缘区域(Cb)以及第一缝隙区域(Da)、第二缝隙区域(Db)。在第一边缘(Ca)区域以及第二边缘(Cb)区域中，在第一电介质膜中设置有质量附加膜(7)，在第一电介质膜中，将位于IDT电极(3)与质量附加膜(7)之间的部分的膜厚设为T1，并将位于第一电介质膜的与压电基板(2)侧相反侧的面与质量附加膜(7)之间的部分的膜厚设为T2，此时，T1/(T1+T2)＜0.5。

Elastic Wave Device, High Frequency Front End Circuit and Communication Device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
本专利技术涉及利用了活塞模式的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。
技术介绍
以往，为了抑制无用波，提出了利用了活塞模式的弹性波装置。例如，在下述的专利文献1示出了利用了活塞模式的弹性波装置的一个例子。在该弹性波装置中，在压电基板上设置有IDT电极。进而，在压电基板上设置有电介质层，电介质层覆盖IDT电极。而且，在从弹性波传播方向观察时IDT电极的多个第一电极指和多个第二电极指重叠的区域为交叉区域。在专利文献1记载的弹性波装置中，交叉区域在与弹性波传播方向正交的方向上具有位于中央的中央区域和位于中央区域的两外侧的边缘区域。IDT电极在交叉区域的边缘区域的两外侧还具有缝隙区域。边缘区域是声速比中央区域中的声速低的低声速区域。缝隙区域是声速比中央区域中的声速高的高声速区域。像这样，通过依次配置中央区域、低声速区域以及高声速区域，从而封闭弹性波的能量且抑制由高阶的横模造成的杂散。进而，在专利文献1中，公开了：通过在边缘区域中在电介质层内设置钛条，从而构成低声速区域。在电介质层内，钛条在厚度方向上从IDT电极表面分开设置。电介质层中的IDT电极表面与钛条之间的部分的膜厚为电介质层中的IDT电极表面与电介质层表面之间的部分的膜厚的大约80％。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-186808号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1中，示出了作为压电体而使用了128°Y切割LiNbO3的情况，即，示出了使用了瑞利波的实施方式，在上述条件下，能够降低由高阶的横模造成的杂散。而且，上述条件能够应用于洛夫波(Lovewave)等全部声表面波。然而，通过本申请的专利技术人的实验，明确了：在作为弹性波而使用洛夫波并应用了上述条件的情况下，存在不能充分抑制由高阶的横模造成的杂散这样的问题。本专利技术的目的在于，提供一种利用了洛夫波且能够有效地抑制横模杂散的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。用于解决课题的技术方案本专利技术涉及的弹性波装置具备：压电体；IDT电极，设置在所述压电体上；以及第一电介质膜，设置在所述压电体上，覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有：第一汇流条以及第二汇流条，彼此相互对置；多个第一电极指，一端与所述第一汇流条连接；以及多个第二电极指，一端与所述第二汇流条连接，且与所述多个第一电极指相互交替插入，所述IDT电极具有交叉区域，在将弹性波传播方向设为第一方向并将与弹性波传播方向正交的方向设为第二方向时，所述交叉区域是所述第一电极指和所述第二电极指在所述第一方向上相互重叠的部分，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述第二方向上的所述第一电极指以及所述第二电极指的中央；第一边缘区域，在所述第二方向上，配置在所述中央区域的所述第一汇流条侧的外侧；以及第二边缘区域，在所述第二方向上，配置在所述中央区域的所述第二汇流条侧的外侧，设置有：第一缝隙区域，在所述第二方向上配置在所述第一边缘区域的所述第一汇流条侧的外侧；以及第二缝隙区域，在所述第二方向上配置在所述第二边缘区域的所述第二汇流条侧的外侧，作为弹性波而使用洛夫波，在所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域中，在所述第一电介质膜中设置有质量附加膜，在所述第一电介质膜中，将位于所述IDT电极与所述质量附加膜之间的部分的膜厚设为T1，并将位于所述第一电介质膜的与所述压电体侧相反侧的面与所述质量附加膜之间的部分的膜厚设为T2，此时，T1/(T1+T2)＜0.5。在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域的声速与所述中央区域的声速相比为低速，所述第一缝隙区域以及所述第二缝隙区域的声速与所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域的声速相比为高速。在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，还具备设置在所述第一电介质膜上的第二电介质膜，在所述第一电介质膜中，0.24≤T1/(T1+T2)≤0.49。在该情况下，即使在进行了频率调整的情况下，也能够更加有效地、且更加可靠地抑制横模杂散。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，在所述第一电介质膜中，0.32≤T1/(T1+T2)≤0.44。在该情况下，能够更加有效地、且更加可靠地抑制横模杂散。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述质量附加膜将Ti作为主成分。在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述第一电介质膜由氧化硅构成。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述第二电介质膜由氮化硅构成。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，还具备设置在所述第一电介质膜上的第二电介质膜，在将由所述IDT电极的电极指间距规定的波长设为λ的情况下，所述第二电介质膜的厚度为0.005λ以上且0.015λ以下。在该情况下，耐湿性不易劣化，且能够高效地进行频率调整。本专利技术涉及的高频前端电路具备按照本专利技术构成的弹性波装置和功率放大器。本专利技术涉及的通信装置具备按照本专利技术构成的高频前端电路和RF信号处理电路。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种利用了洛夫波且能够有效地抑制横模杂散的弹性波装置、高频前端电路以及通信装置。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图2是沿着图1中的I-I线的剖视图。图3是沿着图1中的II-II线的剖视图。图4是沿着图1中的III-III线的剖视图。图5是示出进行了归一化的基模的重叠积分值与声速比V2/V1的关系的图。图6是示出第一电介质膜中的质量附加膜的厚度方向上的位置T1/(T1+T2)与声速比V2/V1的关系的图。图7是示出利用了瑞利波的情况下的、谐振频率下的厚度方向上的位移分布的图。图8是示出利用了洛夫波的情况下的、谐振频率下的厚度方向上的位移分布的图。图9是示出第二电介质膜的膜厚、第一电介质膜中的质量附加膜的厚度方向上的位置T1/(T1+T2)、以及声速比V2/V1的关系的图。图10是示出质量附加膜的厚度方向上的位置T1/(T1+T2)为0.109的情况下的、声速比V2/V1与进行了归一化的基模的重叠积分值的关系的图。图11是示出质量附加膜的厚度方向上的位置T1/(T1+T2)为0.473的情况下的、声速比V2/V1与进行了归一化的基模的重叠积分值的关系的图。图12是示出第二电介质膜的膜厚在0.005λ以上且0.015λ以下的范围内的情况下的、进行了归一化的基模的重叠积分值的最小值与质量附加膜的厚度方向上的位置T1/(T1+T2)的关系的图。图13是本专利技术的第一实施方式的变形例涉及的弹性波装置的主视剖视图。图14的(a)～图14的(c)是用于说明第一实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的、相当于沿着图1中的III-III线的部分的剖视图。图15的(a)以及图15的(b)是用于说明第一实施方式的弹性波装置的制造方法的一个例子的、相当于沿着图1中的III-III线的部分的剖视图。图16的(a)以及图16的(b)是用于说明图15所示的制造方法的变形例的、相当于沿着图1中的III-III线的部分的剖视图。图17是具有高频前端电路的通信装置的结构图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的具体的实施方式进行说明，由此明确本专利技术。另外，需要指出，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置，具备：压电体；IDT电极，设置在所述压电体上；以及第一电介质膜，设置在所述压电体上，覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有：第一汇流条以及第二汇流条，彼此相互对置；多个第一电极指，一端与所述第一汇流条连接；以及多个第二电极指，一端与所述第二汇流条连接，且与所述多个第一电极指相互交替插入，所述IDT电极具有交叉区域，在将弹性波传播方向设为第一方向并将与弹性波传播方向正交的方向设为第二方向时，所述交叉区域是所述第一电极指和所述第二电极指在所述第一方向上相互重叠的部分，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述第二方向上的所述第一电极指以及所述第二电极指的中央；第一边缘区域，在所述第二方向上，配置在所述中央区域的所述第一汇流条侧的外侧；以及第二边缘区域，在所述第二方向上，配置在所述中央区域的所述第二汇流条侧的外侧，设置有：第一缝隙区域，在所述第二方向上配置在所述第一边缘区域的所述第一汇流条侧的外侧；以及第二缝隙区域，在所述第二方向上配置在所述第二边缘区域的所述第二汇流条侧的外侧，作为弹性波而使用洛夫波，在所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域中，在所述第一电介质膜中设置有质量附加膜，在所述第一电介质膜中，将位于所述IDT电极与所述质量附加膜之间的部分的膜厚设为T1，并将位于所述第一电介质膜的与所述压电体侧相反侧的面与所述质量附加膜之间的部分的膜厚设为T2，此时，T1/(T1+T2)＜0.5。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.08 JP 2017-0211621.一种弹性波装置，具备：压电体；IDT电极，设置在所述压电体上；以及第一电介质膜，设置在所述压电体上，覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有：第一汇流条以及第二汇流条，彼此相互对置；多个第一电极指，一端与所述第一汇流条连接；以及多个第二电极指，一端与所述第二汇流条连接，且与所述多个第一电极指相互交替插入，所述IDT电极具有交叉区域，在将弹性波传播方向设为第一方向并将与弹性波传播方向正交的方向设为第二方向时，所述交叉区域是所述第一电极指和所述第二电极指在所述第一方向上相互重叠的部分，所述交叉区域具有：中央区域，位于所述第二方向上的所述第一电极指以及所述第二电极指的中央；第一边缘区域，在所述第二方向上，配置在所述中央区域的所述第一汇流条侧的外侧；以及第二边缘区域，在所述第二方向上，配置在所述中央区域的所述第二汇流条侧的外侧，设置有：第一缝隙区域，在所述第二方向上配置在所述第一边缘区域的所述第一汇流条侧的外侧；以及第二缝隙区域，在所述第二方向上配置在所述第二边缘区域的所述第二汇流条侧的外侧，作为弹性波而使用洛夫波，在所述第一边缘区域以及所述第二边缘区域中，在所述第一电介质膜中设置有质量附加膜，在所述第一电介质膜中，将位于所述IDT电极与所述质量附加膜之间的部分的膜厚设为T1，并将位于所述第一电介质膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：三村昌和，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP