有机电致发光装置制造方法及图纸

本公开涉及一种包括发光层和空穴传输区域的有机电致发光装置。通过包含发光层和空穴传输区域的特定组合，可以提供具有低驱动电压、高发光效率和/或长寿命特性的有机电致发光装置。

Organic Electroluminescent Device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电致发光装置
本公开涉及一种包括发光层和空穴传输区域的有机电致发光装置。
技术介绍
1987年，伊士曼柯达公司(EastmanKodak)的Tang等人首次开发了由发光层和电荷传输层组成的TPD/Alq3双层的小分子绿色有机电致发光装置(OLED)。自此以后，关于OLED的研究已经迅速展开，并且已经商业化。目前，OLED主要使用在面板实现中具有优异发光效率的磷光材料。长寿命和高分辨率的显示器需要低驱动电压和高发光效率。美国专利号6,902,831公开了一种作为有机电致发光化合物的薁衍生物，但它没有具体公开稠合的薁衍生物的有机电致发光化合物。另外，所述文献没有具体公开通过将含有稠合的薁衍生物的主体化合物和空穴传输区域中含有的特定材料组合可以改善OLED的性能。
技术实现思路
技术问题本公开的目的是通过将包含根据本公开的化合物的发光层和包含具有特定HOMO(最高占据分子轨道)能级的化合物的空穴传输区域组合来提供一种具有低驱动电压、高发光效率和/或长寿命特性的有机电致发光装置。问题的解决方案包含磷光掺杂剂的发光层优选具有：对于低驱动电压、高效率和长寿命具有优异的空穴和电子电流特性的发光材料以及具有用于改善寿命的热稳定性的材料。另外，为了从发光层的主体到掺杂剂的有效能量传输，使用具有窄能带隙的发光材料可以通过最小化电荷阱来有助于改善驱动电压和发光效率。虽然包含在本公开的装置中的薁衍生物具有S2→S1的内转换的慢跃迁常数，即7*10-8s，但S1→S0的内转换的跃迁常数是快的，即7*10-12s。因此，S2→S0的荧光量子产率增加，并且因此所述薁衍生物是违背卡莎规则(Kasha’srule)的代表性材料之一。根据[Phys.Chem.Chem.Phys.[物理化学化学物理]2015，17，23573，J.Phys.Chem.A[物理化学期刊A辑]，第103卷，第15期，1999，2529]的非专利文献，薁的S2和S1的能级分别为3.565eV和1.771eV，而T1和S0的能级差异非常小，即T1-S0跃迁是1.711eV。另外，根据代替材料和溶剂极性的条件，改善了S2→Tn跃迁的系间窜越跃迁。因此，据报道，由于向三重态的跃迁的增加，在改善磷发光特性方面可能具有优势。这些薁衍生物示出S1→T1的小能隙，并且与咔唑型或苯并咔唑型化合物相比具有相对高的HOMO特征，从而提供窄能带隙。然而，传统的空穴传输区域在提高包含稠合的薁衍生化合物的发光层的效率方面具有局限性。空穴传输区域需要具有高HOMO能级的化合物以便具有高空穴迁移率。如果HOMO能级高，则驱动电压降低，但发光层的效率也降低。相反，如果HOMO能级低，则发光层的效率增加，但驱动电压也增加，并且因此难以实现装置的高发光效率。本专利技术的诸位专利技术人发现，通过在发光层中包含本公开的稠合的薁衍生物以及在空穴传输区域中包含本公开的具有特定HOMO能级的芳基胺衍生物，可以解决以上提及的问题。具体地，本专利技术的诸位专利技术人发现上述目的可以通过一种有机电致发光装置实现，所述有机电致发光装置包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层、以及在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区域，其中所述发光层包含由下式1表示的化合物：其中，X1表示N-L-(Ar)a、S、或O，L表示单键、取代或未取代的(C6-C30)亚芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂亚芳基，Ar表示氢、氚、卤素、氰基、取代或未取代的(C1-C30)烷基、取代或未取代的(C6-C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的单-或二-(C1-C30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(C6-C30)芳基氨基、或取代或未取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基，Y1至Y12各自独立地表示N或CR1，R1各自独立地表示氢、氚、卤素、氰基、取代或未取代的(C1-C30)烷基、取代或未取代的(C6-C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3-C30)环烷基、取代或未取代的(C1-C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1-C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(C1-C30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(C6-C30)芳基氨基、或取代或未取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；或与一个或多个相邻取代基连接以形成取代或未取代的环，并且a表示1至4的整数，其中如果a是2或更大的整数，则每个Ar可以相同或不同；并且所述空穴传输区域包含芳基胺衍生物，并且所述芳基胺衍生物的HOMO能级满足以下公式11：-5.0eV≤HOMO≤-4.65eV---(11)。本专利技术的有益效果根据本公开，可以提供具有低驱动电压、高发光效率、和/或长寿命特性的有机电致发光装置。而且，可以通过使用本公开的有机电致发光装置生产显示装置或者照明装置。具体实施方式在下文中，将详细地描述本公开。然而，以下描述旨在解释本公开，并不意味着以任何方式限制本公开的范围。本公开的有机电致发光装置包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层、在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区域、以及在所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区域。第一电极和第二电极之一可以是阳极，并且另一个可以是阴极。空穴传输区域意指其中空穴在第一电极和发光层之间传输的区域。例如，空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层和电子阻挡层中的至少一个。空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层和电子阻挡层可以分别是单层、或其中层叠有两个或更多个层的多层。根据本公开的一个实施例，空穴传输区域可以包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，其中第二空穴传输层可以是多个空穴传输层中的至少一个层，并且它可以包括空穴辅助层、发光辅助层和电子阻挡层中的至少一个。根据本公开的另一个实施例，空穴传输区域可以包括第一空穴传输层和第二空穴传输层，其中可以将第一空穴传输层放置在第一电极与发光层之间，可以将第二空穴传输层放置在第一空穴传输层与发光层之间，并且第二空穴传输层可以充当空穴传输层、发光辅助层、空穴辅助层和/或电子阻挡层。根据本公开的另一个实施例，空穴传输区域可以包括p掺杂的空穴注入层、空穴传输层、和发光辅助层。在本文中，p掺杂的空穴注入层意指掺杂有p掺杂剂的空穴注入层。p掺杂剂是能够赋予p型半导体特性的材料。p型半导体特性意指在HOMO能级下注入空穴或传输空穴的特性，即具有高空穴传导率的材料的特性。可以将空穴传输层放置在阳极(或空穴注入层)与发光层之间。空穴传输层可以用于平稳地使从阳极转移的空穴移动到发光层，并阻挡从阴极转移的电子以保留在发光层中。可以将发光辅助层放置在阳极与发光层之间，或者放置在阴极与发光层之间。当将发光辅助层放置在阳极与发光层之间时，它可以用于促进空穴注入和/或空穴传输，或用于防止电子溢出。当将发光辅助层放置在阴极与发光层之间时，它可以用于促进电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光装置，其包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层、以及在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区域，其中所述发光层包含由下式1表示的化合物：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.28 KR 10-2017-0026014;2017.09.26 KR 10-2011.一种有机电致发光装置，其包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间的发光层、以及在所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区域，其中所述发光层包含由下式1表示的化合物：其中，X1表示N-L-(Ar)a、S、或O，L表示单键、取代或未取代的(C6-C30)亚芳基、或取代或未取代的(3元至30元)杂亚芳基，Ar表示氢、氚、卤素、氰基、取代或未取代的(C1-C30)烷基、取代或未取代的(C6-C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的单-或二-(C1-C30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(C6-C30)芳基氨基、或取代或未取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基，Y1至Y12各自独立地表示N或CR1，R1各自独立地表示氢、氚、卤素、氰基、取代或未取代的(C1-C30)烷基、取代或未取代的(C6-C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3-C30)环烷基、取代或未取代的(C1-C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1-C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(C1-C30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(C6-C30)芳基氨基、或取代或未取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；或与一个或多个相邻取代基连接以形成取代或未取代的环，并且a表示1至4的整数，其中如果a是2或更大的整数，则每个Ar可以相同或不同；并且所述空穴传输区域包含芳基胺衍生物，并且所述芳基胺衍生物的HOMO能级满足以下公式11：-5.0eV≤HOMO≤-4.65eV---(11)。2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中，L、Ar、和R1中的取代的烷基、取代的(亚)芳基、取代的杂(亚)芳基、取代的环烷基、取代的烷氧基、取代的三烷基甲硅烷基、取代的二烷基芳基甲硅烷基、取代的烷基二芳基甲硅烷基、取代的三芳基甲硅烷基、取代的单-或二-烷基氨基、取代的单-或二-芳基氨基、取代的烷基芳基氨基、和取代的环的取代基各自独立地是选自由以下各项组成的组的至少一个：氚；卤素；氰基；羧基；硝基；羟基；(C1-C30)烷基；卤代(C1-C30)烷基；(C2-C30)烯基；(C2-C30)炔基；(C1-C30)烷氧基；(C1-C30)烷硫基；(C3-C30)环烷基；(C3-C30)环烯基；(3元至7元)杂环烷基；(C6-C30)芳氧基；(C6-C30)芳硫基；未取代的或被一个或多个(C1-C30)烷基或一个或多个(C6-C30)芳基取代的(5元至50元)杂芳基；未取代的或被(3元至50元)杂芳基取代的(C6-C30)芳基；三(C1-C30)烷基甲硅烷基；三(C6-C30)芳基甲硅烷基；二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基；(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基甲硅烷基；氨基；单-或二-(C1-C30)烷基氨基；单-或二-(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；(C1-C30)烷基羰基；(C1-C30)烷氧基羰基；(C6-C30)芳基羰基；二(C6-C30)芳基硼羰基；二(C1-C30)烷基硼羰基；(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基硼羰基；(C6-C30)芳基(C1-C30)烷基；以及(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基。3.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中，在式1中的Y1至Y12的至少一个相邻对为CR1，并且CR1的相邻的两个R1稠合在一起以各自独立地形成由下式2至6中的任一个表示的环：其中，A表示N或CR2；R2和R3各自独立地表示氢、氚、卤素、氰基、取代或未取代的(C1-C30)烷基、取代或未取代的(C6-C30)芳基、取代或未取代的(3元至30元)杂芳基、取代或未取代的(C3-C30)环烷基、取代或未取代的(C1-C30)烷氧基、取代或未取代的三(C1-C30)烷基甲硅烷基、取代或未取代的二(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的(C1-C30)烷基二(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的三(C6-C30)芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-(C1-C30)烷基氨基、取代或未取代的单-或二-(C6-C30)芳基氨基、或取代或未取代的(C1-C30)烷基(C6-C30)芳基氨基；并且表示相邻CR1中的在C与R1之间的键合位点。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰珍，梁正恩，DH·李，赵相熙，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR