热电元件制造技术

技术编号:22174634 阅读:117 留言:0更新日期:2019-09-21 15:17
根据本发明专利技术实施例的热电元件,包括:第一基板;第一电极部,设置在所述第一基板上;热电半导体,设置在所述第一电极部上;第二电极部,设置在所述热电半导体上;以及第二基板,设置在所述第二电极部上,其中,所述第二基板包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述第二电极部设置在所述第一表面上,通过使所述第二电极部中的至少一个延伸而形成的端子电极部设置在所述第二表面上,并且所述第二基板形成在所述端子电极部与所述第二电极部之间。

Thermoelectric element

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】热电元件
实施例涉及一种热电元件。
技术介绍
热电现象是由电子和空穴在材料中的移动所产生的现象,并且是指热与电之间的直接能量转换。热电元件通常是指利用热电现象的元件,并且具有P型热电材料和N型热电材料在金属电极之间结合以形成PN结对的结构。热电元件可以分为使用电阻器的温度变化的元件、使用塞贝克效应(Seebeckeffect)的元件、使用珀耳帖效应(Peltiereffect)的元件等,塞贝克效应是通过温度差产生电动势的现象,珀耳帖效应是通过电流吸收或产生热的现象。热电元件广泛应用于家用电器、电子部件、通信部件等。例如,热电元件可以应用于冷却装置、加热装置、发电装置等。因此,对热电元件的热电性能的需求逐渐增加。这种热电元件可以通过布线电极(即,端子线)接收电流,并且例如,布线电极可以连接到上基板或下基板上的热电元件的电极层。然而,随着热电元件小型化,布线电极与电极层之间的连接故障可能增加。为了解决这种故障问题,可以使用在基板上广泛地形成端子焊盘部而不是布线电极并通过焊接将其与外部电路连接的方法。然而,在这种情况下,由于应该广泛地形成外部基板,所以存在元件的总面积变宽,并且针对该区域的性能降低的问题。此外,为了解决这样的问题,可以使用在下基板上设置柱(金属柱)而不是端子线并且通过布线电极将外部电源和热电元件进行引线接合的方法。然而,即使在这种情况下,由于下基板应该形成得比上基板宽,因此存在针对该区域的性能降低的问题。另外,为了解决这样的问题,可以通过布线电极将外部电源和热电元件在上基板上进行引线接合。然而,在这种情况下,由于布线电极设置在用作吸热部的部分,因此可能发生由于通过供给电流产生的热或由于通过布线电极产生的热而导致吸热部的性能降低的问题。因此,需要一种具有能够解决上述问题的新结构的热电元件。
技术实现思路
技术问题实施例旨在提供一种热电元件,该热电元件可以具有提高的效率的同时防止端子线的接合故障并实现小型化。技术方案根据实施例的热电元件包括:第一基板;第一电极部,所述第一电极部设置在第一基板上;热电半导体,所述热电半导体设置在第一电极部上;第二电极部,所述第二电极部设置在热电半导体上;以及第二基板,所述第二基板设置在第二电极部上,其中,第二基板包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面,第二电极部设置在第一表面上,通过使至少一个第二电极部延伸而形成的端子电极部设置在第二表面上,第二基板形成在端子电极部与第二电极部之间。有益效果根据实施例的热电元件可以减少从端子电极部朝向第二电极部移动的热。详细地,在设置有布线电极的端子电极部处产生的热可以朝向第二电极部移动,但是根据实施例的热电元件可以通过通孔和填充在通孔内的缓冲构件而使端子电极部和第二电极部分离,以减少朝向第二电极部移动的热量。因此,可以减少由于热量引起的用作冷却部件的第二基板中的冷却性能的劣化。另外,在根据实施例的热电元件中,设置有端子电极部的区域的厚度可以比设置有第二电极部的区域的厚度大。进一步,设置有端子电极部的区域的热导率可以比设置有第二电极部的区域的热导率小。此外,可以减少在设置有端子电极部的区域中在竖直方向上移动的热量。因此,当端子电极部和布线电极通过台阶部接合在设置有端子电极部的区域中时,可以减轻由于框架类的台阶引起的机械冲击,从而提高热电元件的可靠性。另外,通过减少在竖直方向上传递的热量,在端子电极和配线电极处产生的热量可以减少朝向第二电极部移动的热量。附图说明图1是根据实施例的热电元件的剖视图;图2是根据第一实施例的热电元件的下基板的平面图;图3是根据第一实施例的热电元件的上基板的平面图;图4是图3中的区域A的放大图;图5和图6是根据第一实施例的热电元件的局部剖视图;图7是根据第二实施例的热电元件的上基板的平面图;图8是图7中的区域B的放大图;图9和10是根据第二实施例的热电元件的局部剖视图;图11和12是根据第三实施例的热电元件的局部剖视图;图13是现有技术中的热电元件的局部剖视图;图14至16是示出堆叠结构的热电臂的视图;图17是显示用于制造根据实施例的热电臂的烧结体的工艺流程图的视图。具体实施方式虽然本专利技术易于进行各种修改并且可以采用各种替代形式,但是其具体实施例在附图中以示例的方式示出并且将在本文中详细描述。然而,应该理解的是,并不旨在将本专利技术限于所公开的特定形式。相反,本专利技术将覆盖落入权利要求的精神和范围内的所有变更、等同物和替代物。应当理解的是,尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如,在不脱离本专利技术的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且第二元件可以类似地被称为第一元件。如这里所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。应当理解的是,当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一元件时,该元件可以直接连接或耦接到另一元件,或者可以存在中间元件。相反,当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一元件时,不存在中间元件。这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的,并不意图限制本专利技术。如这里所使用的,单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式,除非上下文另有明确说明。应进一步理解的是,当在本文中使用术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”时,指定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组。除非另外定义,否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。应进一步理解的是,诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不应被解释为理想化或过于正式的意义,除非在此明确定义。在下文中,将参考附图详细描述示例性实施例。无论附图如何,相同或相应的元件由相同的附图标记表示,并且将省略其重复的描述。图1是实施例中包括的热电元件的剖视图。参考图1,热电元件100可以包括第一基板110、第二基板120、第一电极部210、第二电极部220以及热电半导体300。此外,热电半导体300可包括第一热电半导体310和第二热电半导体320。第一基板110可以是下基板,第二基板120可以是设置在第一基板110上的上基板。第一电极部210可以设置在第一基板110与第一热电半导体310和第二热电半导体320的下部底表面之间。第二电极部220可以设置在第二基板120与第一热电半导体310和第二热电半导体320的上部底表面之间。因此,多个第一热电半导体310和多个第二热电半导体320可以通过第一电极部210和第二电极部220电连接。设置在第一电极部210与第二电极部220之间并且彼此电连接的一对第一热电半导体310和第二热电半导体310可以形成单元构件。例如,当通过布线将电压施加于第一电极部210和第二电极部220时,电流从第一热电半导体310流到第二热电半导体320的基板由于珀耳帖效应可以吸收热量而作为冷却部发挥作用,并且电流从第二热电半导体320流到第一热电半导体310的基板可以被加热,而作为发热部发挥作用。例如,第一基板110可以本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种热电元件,包括:第一基板;第一电极部,所述第一电极部设置在所述第一基板上;热电半导体,所述热电半导体设置在所述第一电极部上;第二电极部,所述第二电极部设置在所述热电半导体上;以及第二基板,所述第二基板设置在所述第二电极部上,其中,所述第二基板包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述第二电极部设置在所述第一表面上,通过使所述第二电极部中的至少一个延伸而形成的端子电极部设置在所述第二表面上,并且所述第二基板包括形成在所述端子电极部与所述第二电极部之间的通孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.06 KR 10-2017-00160941.一种热电元件,包括:第一基板;第一电极部,所述第一电极部设置在所述第一基板上;热电半导体,所述热电半导体设置在所述第一电极部上;第二电极部,所述第二电极部设置在所述热电半导体上;以及第二基板,所述第二基板设置在所述第二电极部上,其中,所述第二基板包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述第二电极部设置在所述第一表面上,通过使所述第二电极部中的至少一个延伸而形成的端子电极部设置在所述第二表面上,并且所述第二基板包括形成在所述端子电极部与所述第二电极部之间的通孔。2.根据权利要求1所述的热电元件,其中,在所述端子电极部中,所述第二电极部中的至少一个设置为沿所述第二基板的侧表面延伸。3.根据权利要求1所述的热电元件,其中,所述第二基板还包括用于形成所述端子电极部的连接孔。4.根据权利要求1所述的热电元件,还包括:第三表面,所述第三表面连接所述第一表面和所述第二表面,其中,所述端子电极部设置为从所述第一表面沿所述第三表面和所述第二表面的方向延伸。5.根据权利要求1所述的热电元件,其中,相对于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:成命锡金兑熙
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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