半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底(106)、键合金属层(105)、反射层(104)、第一导电层(101)、活性层(102)、第二导电层(103)、第一电极(107)、第二电极(108)。第一电极(107)从衬底(106)远离所述键合金属层(105)的一侧依次贯穿所述衬底(106)、键合金属层(105)、反射层(104)、第二导电层(103)以及活性层(102)并延伸至所述第一导电层(101)，与第一导电层(101)连接。第二电极(108)设置在衬底(106)远离所述键合金属层(105)的一侧。该半导体器件形成共用第二导电层(103)的结构，出光更均匀，光提取率更高，消除了像素单元间的干扰，发光波长的均匀性更好，流过不同像素单元的电流更加均匀。

Semiconductor Devices and Their Manufacturing Methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽旸，
申请(专利权)人：苏州晶湛半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32