接近销、基底处理装置及在基底处理装置中处理基底的方法制造方法及图纸

一种用于在基底处理装置中支撑基底(8)的接近销(10)，包括销头部(1)和支撑垫部(6)。所述销头部(2)构造为在所述基底处理装置中支撑所述基底(8)，并且包括第一端(E1)和与第一端(E1)相对的第二端(E2)。所述第一端(E1)构造为与放置在所述接近销(10)上的所述基底(8)接触。所述支撑垫部(6)在所述销头部(1)的第二端(E2)连接至所述销头部(1)，并且所述支撑垫部的直径大于所述销头部(1)最大直径的直径。

Approaching pin, base treatment device and method of treating base in base treatment device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】接近销、基底处理装置及在基底处理装置中处理基底的方法
本专利技术涉及显示技术，更具体地，涉及一种接近销、基底处理装置及在基底处理装置中处理基底的方法。
技术介绍
光刻技术广泛应用于制造半导体器件。在光刻过程中，将光致抗蚀剂溶液施加在基底表面以形成光阻层。光阻层经过曝光和显影，形成预期光阻图案。通常，通过将光致抗蚀剂溶液施加在基底上形成的光阻层首先经过烘烤过程。在烘烤过程中，基底被转移至热板烘烤装置以烘烤基底。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供一种用于在基底处理装置中支撑基底的接近销，所述接近销包括销头部，所述销头部构造为在所述基底处理装置中支撑所述基底，并且包括第一端和与第一端相对的第二端，所述第一端构造为与放置在所述接近销上的所述基底接触；以及支撑垫部，所述支撑垫部在所述销头部的所述第二端连接至所述销头部，并且具有大于所述销头部最大直径的直径。可选地，所述接近销进一步包括螺纹销部，所述螺纹销部构造为将所述接近销以螺纹方式固定至所述基底处理装置中的热板上；以及主体部，所述主体部连接所述支撑垫部和所述螺纹销部。可选地，所述销头部的第一端具有第一直径，所述销头部的第二端具有第二直径，所述第一直径小于所述第二直径。可选地，所述销头部和所述支撑垫部具有大于约0.4毫米的组合高度。可选地，所述支撑垫部的直径与所述接近销的任意其它部分的最大直径之比在约1.1:1.0至约10:1.0的范围内；并且所述销头部的最大直径与所述接近销的除所述支撑垫和所述销头部之外的任意部分的最大直径之比在约0.5:1.0至约1.05:1.0的范围内。另一方面，本专利技术提供一种基底处理装置，包括：热板；以及至少一个本文所述的接近销。可选地，所述销头部的第一端具有第一直径，所述销头部的第二端具有第二直径，所述第一直径小于所述第二直径。可选地，所述销头部和所述支撑垫部具有大于约0.4毫米的总高度。可选地，所述至少一个接近销包括第一接近销；并且所述热板包括孔，所述孔构造为将所述第一接近销容纳在所述孔内。可选地，所述第一接近销进一步包括螺纹销部和主体部，所述主体部连接所述支撑垫部和所述螺纹销部；所述热板上的孔是构造为容纳所述第一接近销的螺纹销部的螺纹孔；并且所述第一接近销通过所述螺纹销部以螺纹方式固定在所述热板上。可选地，所述至少一个接近销包括第二接近销；所述第二接近销用胶带固定在所述热板上，所述胶带将所述支撑垫部和所述热板粘合在一起。可选地，所述胶带包括开口；并且所述销头部延伸穿过所述开口。可选地，所述胶带是耐高温胶带。可选地，所述至少一个接近销包括多个第一接近销和多个第二接近销；所述热板包括多个孔，每个所述孔构造为容纳所述多个第一接近销中的一个；所述多个第一接近销中的每一个固定在所述热板的所述多个孔中的一个内；并且所述多个第二接近销中的每一个用胶带固定在所述热板上，所述胶带将所述支撑垫部和所述热板粘合在一起。可选地，所述多个第一接近销中的每一个的所述销头部和所述支撑垫部具有第一组合高度；所述多个第二接近销中的每一个的所述销头部和所述支撑垫部具有第二组合高度；并且所述第一组合高度与所述第二组合高度大体相同。可选地，所述第一组合高度和所述第二组合高度均大于约0.4毫米。可选地，所述多个第一接近销中的每一个均进一步包括螺纹销部和主体部，所述主体部连接所述支撑垫部和所述螺纹销部；所述多个孔中的每一个均是构造为容纳一个所述多个第一接近销的螺纹销部的螺纹孔；并且所述多个第一接近销中的每一个均通过所述螺纹销部以螺纹方式固定在所述热板上。另一方面，本专利技术提供一种在本文所述的基底处理装置中处理基底的方法，所述方法包括：将所述基底放置在至少一个所述接近销上；以及在所述基底处理装置中烘烤所述基底。可选地，至少一个接近销包括多个第一接近销和多个第二接近销；所述多个第一接近销中的每一个均包括所述销头部、所述支撑垫部、螺纹销部和主体部，所述主体部连接所述支撑垫部和所述螺纹销部；所述多个第一接近销中的每一个均通过所述螺纹销部以螺纹方式固定在所述热板上；并且所述多个第二接近销中的每一个均包括所述销头部和所述支撑垫部；并且在将所述基底放置在至少一个所述接近销上之前，所述方法进一步包括：将所述多个第二接近销放置在所述热板上；以及用胶带将所述多个第二接近销中的每一个固定在所述热板上，其中所述胶带将所述支撑垫部和所述热板粘合在一起。可选地，所述方法进一步包括：通过下述方式改变所述多个第二接近销中的至少一个在所述热板上的位置：从所述多个第二接近销中的所述一个上移除所述胶带；将所述多个第二接近销中的所述一个移动至所述热板上的新位置；以及用所述胶带将所述多个第二接近销中的所述一个固定在所述新位置。附图说明以下附图仅作为根据本文各实施例的说明性示例，并非旨在限定本专利技术的范围。图1是示出常规基底处理装置结构的示意图。图2是示出根据本专利技术的一些实施例中接近销结构的示意图。图3是图2所示接近销的平面图。图4是示出根据本专利技术的一些实施例中接近销结构的示意图。图5是示出根据本专利技术的一些实施例中接近销结构的示意图。图6是示出根据本专利技术的一些实施例中接近销结构的示意图。图7是示出根据本专利技术的一些实施例中基底处理装置结构的示意图。图8是示出根据本专利技术的一些实施例中基底处理装置结构的示意图。图9是图8所示基底处理装置的平面图。具体实施方式接下来将结合实施例对本专利技术进行更具体地描述。应当注意的是，以下一些实施例的描述是出于说明和描述的目的，并非旨在穷尽或或限制于所公开的精确形式。图1是示出常规基底处理装置结构的示意图。参见图1，常规基底处理装置(如热板烘烤装置)包括热板4、多个提升销5和多个插入热板4中的接近销10，热板4用于控制基底处理装置的温度，多个提升销5用于在基底8装载至多个提升销5上时升降基底8。多个提升销5可在热板4中升降。当多个提升销5下降至热板4中时，基板8安装在多个接近销10上，多个接近销10在基底处理装置中支撑基底8。多个接近销10中的每一个包括销头部1、主体部2和螺纹销部3。主体部2连接销头部1和螺纹销部3。多个接近销10中的每一个插入热板4中，并且通过螺纹销部3以螺纹方式固定在热板上。销头部1暴露在热板4上方，以防止基底8和热板4直接接触。如图1所示，销头部1具有高度h0。在常规基底处理装置中，高度h0通常设置为约0.3毫米。在常规基底处理装置中，多个接近销10容易因与基底8频繁接触而磨损，导致高度降低。此外，基底8因自身重量原因，容易朝热板4弯曲。如果多个接近销10的高度降低，基底8在装载至多个接近销10上时常会与热板4接触，尤其是在基底8朝热板4弯曲的区域。当多个接近销10在热板4上的分布密度相对较低，或基底8是相对较重或相对柔性的基底时，该问题尤为严重。在基底处理(如烘烤)过程中，如果基底8和热板4之间发生接触，当多个提升销5将基底8提升至基底处理装置外时，基底8容易出现在接触区发生断裂等缺点。这些问题极大地增加了生产成本，降低了生产能力，从而导致浪费和低效。因此，本专利技术尤其提供一种基本上消除因现有技术的局限和缺点而产生的一个或多个问题的接近销、基底处理装置及在基底处理装置中处理基底的方法。利用本专利技术的接近销、基底处理装置及其处理方法，可以完全避免基底与热板在烘烤过程中接触。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在基底处理装置中支撑基底的接近销，包括：销头部，所述销头部构造为在所述基底处理装置中支撑所述基底，并且包括第一端和与第一端相对的第二端，所述第一端构造为与放置在所述接近销上的所述基底接触；以及支撑垫部，所述支撑垫部在所述销头部的所述第二端连接至所述销头部，并且所述支撑垫部的直径大于所述销头部最大直径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在基底处理装置中支撑基底的接近销，包括：销头部，所述销头部构造为在所述基底处理装置中支撑所述基底，并且包括第一端和与第一端相对的第二端，所述第一端构造为与放置在所述接近销上的所述基底接触；以及支撑垫部，所述支撑垫部在所述销头部的所述第二端连接至所述销头部，并且所述支撑垫部的直径大于所述销头部最大直径。2.根据权利要求1所述的接近销，进一步包括：螺纹销部，所述螺纹销部构造为将所述接近销以螺纹方式固定至所述基底处理装置中的热板上；以及主体部，所述主体部连接所述支撑垫部和所述螺纹销部。3.根据权利要求1所述的接近销，其中，所述销头部的第一端具有第一直径，所述销头部的第二端具有第二直径，所述第一直径小于所述第二直径。4.根据权利要求1所述的接近销，其中，所述销头部和所述支撑垫部具有大于约0.4毫米的组合高度。5.根据权利要求1所述的接近销，其中，所述支撑垫部的直径与所述接近销的任意其它部分的最大直径之比在约1.1:1.0至约10:1.0的范围内；并且所述销头部的最大直径与所述接近销的除所述支撑垫部和所述销头部之外的任意部分的最大直径之比在约0.5:1.0至约1.05:1.0的范围内。6.一种基底处理装置，包括：热板；以及根据权利要求1所述的至少一个接近销。7.根据权利要求6所述的基底处理装置，其中，所述销头部的第一端具有第一直径，所述销头部的第二端具有第二直径，所述第一直径小于所述第二直径。8.根据权利要求6所述的基底处理装置，其中，所述销头部和所述支撑垫部具有大于约0.4毫米的总高度。9.根据权利要求6所述的基底处理装置，其中，所述至少一个接近销包括第一接近销；并且所述热板包括孔，所述孔构造为将所述第一接近销容纳在所述孔内。10.根据权利要求9所述的基底处理装置，其中，所述第一接近销进一步包括螺纹销部和主体部，所述主体部连接所述支撑垫部和所述螺纹销部；所述热板上的孔是构造为容纳所述第一接近销的螺纹销部的螺纹孔；并且所述第一接近销通过所述螺纹销部以螺纹方式固定在所述热板上。11.根据权利要求6所述的基底处理装置，其中，所述至少一个接近销包括第二接近销；所述第二接近销用胶带固定在所述热板上，所述胶带将所述支撑垫部和所述热板粘合在一起。12.根据权利要求11所述的基底处理装置，其中，所述胶带包括开口；并且所述销头部延伸穿过所述开口。13.根据权利要求11所述的基底处理装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫帅，张心杰，杨大伟，汪翰林，李荣，胡彬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11