用于封装有机发光二极管的方法和设备技术

技术编号:22174602 阅读:70 留言:0更新日期:2019-09-21 15:15
一种基材,包括多个OLED,每个OLED具有导体层。在OLED上形成涂层,该涂层包括在OLED结构上和至少部分在每个接触层上形成的第一无机层、在第一无机层上的缓冲层、在缓冲层上的第二无机层,其中缓冲层包括与第一无机层接触的第一无机界面层、与第二无机层接触的第二无机界面层、以及夹在第一和第二无机界面层之间的有机层。

Methods and equipment for packaging organic light emitting diodes

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于封装有机发光二极管的方法和设备相关申请本申请要求于2016年11月6日提交的美国临时申请号62/418175的优先权权益,其公开内容通过引用整体结合到本文中。
技术介绍
1.
本申请的实施例涉及一种用于封装有机发光二极管的方法和设备。本申请的实施例还涉及一种用于制造OLED显示器和触摸屏的方法和设备。2.相关技术的描述有机发光显示器(OLED)由于与传统液晶显示器(LCD)相比其较低的功耗、较轻的重量、宽色域、较大的视角、较快的响应时间、较高的对比度以及变化的程度实现灵活性而正获得关注。然而,OLED结构易受湿气和氧气吸收的影响,这将显著降低显示器的性能。为了保护OLED结构,必须提供封装,包括交替的无机和有机薄膜层。
技术实现思路
包括本专利技术的以下概述以提供对本专利技术的一些方面和特征的基本理解。该概述不是本专利技术的广泛概述,因此它不旨在特别标识本专利技术的关键或重要元素或描绘本专利技术的范围。其唯一目的是以简化形式呈现本专利技术的一些概念,作为以下呈现的更详细描述的序言。在本专利技术的一个实施例中,提供了一种用于封装有机发光二极管的方法,包括在同一处理室中形成无机层(SiNx,SiOx,SiON,Al2O3等)、缓冲层(具有可调谐的无机/有机特性)和无机层。在本专利技术的另一实施例中,提供了一种用于封装有机发光二极管的方法,包括在不同的处理室中形成无机层、主有机层和无机层。在另一实施例中,可调谐缓冲层可以通过PECVD由蒸发的有机硅化合物(例如六甲基二硅氧烷(HMDSO)或四甲基二硅氧烷(TMDSO)或类似的有机硅类似物(优选TMDSO))和调节量的惰性气体(例如氦、氩等)和氧化气体(例如氧、一氧化二氮等)的混合物来制造。在另一实施例中,在封装之前的掩模对准在处理室外部但在真空中进行。在另一实施例中,该设备可具有一掩模室,用以存储掩模。附图说明附图被并入本说明书并构成本说明书的一部分,其例示了本专利技术的实施例,并且与说明书一起用于解释和说明本专利技术的原理。附图旨在以图解方式说明示范性实施例的主要特征。附图不是要描述实际实施例的每个特征,也不是要描述所描述的元件的相对尺寸,并且不是按比例绘制的。在附图中以示例而非限制的方式示出了本专利技术的一个或多个实施例,其中相同的附图标记表示相似的元件,并且其中:图1是根据本专利技术的实施例的用于封装的方法的流程图。图2A-2D示出了根据本专利技术的实施例形成的封装层的横截面图,其利用了三个不同的掩模。图3示出了根据各种实施例的可以用于缓冲层的pp-HMDSO的化学结构。图4示出了根据各种实施例的可以用于缓冲层的pp-TMDSO的化学结构。图5示出了根据本专利技术实施例的结构。图6是用于封装的可扩展的、可配置的系统结构的框图,其由可以用于执行封装操作的一个或多个处理室、掩模对准室、掩模存储室以及输入和输出装载锁组成。图7示出了另一种用于封装的可扩展的、可配置的系统结构,其由可以用于执行封装操作的一个或多个处理室、掩模对准室、掩模存储室以及输入和输出装载锁组成。图8示出了用于封装的可扩展的、可配置的系统结构,其由可以用于执行封装操作一个处理室、掩模对准室、掩模存储室以及输入和输出装载锁组成。具体实施方式现在将参考附图描述本专利技术的封装系统和方法的实施例。不同的实施例或它们的组合可以用于不同的应用或实现不同的益处。根据寻求实现的结果,可以部分地或完全地单独或与其它特征组合地利用本文公开的不同特征,从而平衡优点与要求和约束。因此,将参考不同的实施例突出某些益处,但并不限于所公开的实施例。也就是说,本文所公开的特征不限于描述它们的实施例,而是可以与其它特征"混合和匹配"并且结合在其它实施例中。本专利技术提供了一种用于使用一个室或多室处理对设置在基材上的OLED结构进行薄膜封装的方法和系统,其中掩模对准在处理室外部进行。将基材和掩模一起运送到处理室中以接收沉积。在这种布置中可以实现具有良好的颗粒性能的精确对准。图1是用于一个实施例的单室处理的封装方法的流程图。单室处理开始于步骤100,为系统提供具有已经形成在其上的OLED结构的基材。该基材还具有接触层,以能够为OLED结构提供能量。在步骤105处,将掩模定位在基材上并对准,使得在OLED结构被暴露时,接触层的一部分被掩蔽。在对准之后,掩模和基材一起被转移至处理室中以接收所需的沉积。在步骤110处,在OLED结构和掩模上沉积第一无机层,其可以是氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝等。在步骤115处,制造可调谐缓冲层,其中氧化剂和有机硅类似物的流量比变化,如将在下面更详细地解释的。低比例将提供本质上主要为有机的缓冲层,而较高比例将产生本质上主要为无机的层。本专利技术的目的是提供缓冲层,该缓冲层与其上方和下方的层之间的界面在性质上主要是无机的,而缓冲层的主体在性质上保持有机。这些层的无机性质提供对湿气和氧气的良好阻隔。该层的有机性质提供应力隔离和颗粒覆盖。步骤120提供无机层以完成封装。可能需要重复整个处理顺序以满足更严格的封装要求。因此,根据该方面,提供了一种用于封装LED器件的方法,包括:掩蔽LED结构,从而部分地覆盖接触部分并暴露LED结构;通过掩模形成无机层;在无机层上形成具有可变有机和无机成分的可调谐缓冲层;以及在可调谐缓冲层上形成无机盖层。图2A-2D示出了根据本专利技术的实施例形成的封装层的横截面图,其利用了三个不同的掩模。在图2A中,基材200具有接触层205和OLED结构210。注意,图2A-2D仅示出了基材和掩模的一小部分,以便突出该实施例的特征。具体而言,掩模215具有开口,使得当掩模在基材200上适当地对准时,该开口完全暴露OLED结构210,并且仅覆盖接触层205的边缘。然后,利用在适当位置的掩模形成无机层220。在该处理结束时,如图2B所示,去除掩模,并且在基材上对准具有比第一掩模215小的开口的第二掩模217,以便覆盖无机层220的边缘和接触层205的边缘。然后通过掩模217中的开口在无机层220上形成可调谐缓冲层225。由于掩模217具有比第一掩模215小的开口,可调谐缓冲层225没有覆盖整个无机层220,即,缓冲层225没有到达由第二掩模217覆盖的无机层220的边缘。在该处理结束时,如图2C所示,第三掩模219在基材上对准。掩模219具有比第一掩模更大的开口,使得其暴露接触层的未涂覆边缘、无机层220的暴露边缘和整个可调谐缓冲层225。利用在适当位置的第三掩模形成顶部无机层230。由于第三掩模219具有比第一掩模更大的开口,其也比第二掩模的开口更大,因此顶部无机层230完全封装可调谐缓冲层,如标号235所示。然后去除掩模,最终的结构示于图2D。根据另一实施例,除了在第三阶段再次使用第一掩模而不是使用第三掩模219之外,遵循关于图2A-2D概述的处理。这也提供了可调谐缓冲层的完全封装。此外,在这种情况下,缓冲层的可调谐无机特性可能是不需要的,因为有机层被随后的覆盖无机层完全封装。因此,虽然在本文提供的描述中描述了特定的可调谐无机层,但是通过使用具有两个或三个掩模的图2A-2D的实施例,可以使用任何标准缓冲层。例如,缓冲层可以是等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(PP-HMDSO)。因此,根据另一方面,提供了一种用于封装LED的方法,该方法包括形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于具有接触层的OLED结构的涂层,包括:第一无机层,其形成在OLED结构上并且至少部分地在接触层上;在第一无机层上的缓冲层;在缓冲层上的第二无机层;其中缓冲层包括与第一无机层接触的第一无机界面层、与第二无机层接触的第二无机界面层、以及夹在第一和第二无机界面层之间的有机层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.06 US 62/418,1751.一种用于具有接触层的OLED结构的涂层,包括:第一无机层,其形成在OLED结构上并且至少部分地在接触层上;在第一无机层上的缓冲层;在缓冲层上的第二无机层;其中缓冲层包括与第一无机层接触的第一无机界面层、与第二无机层接触的第二无机界面层、以及夹在第一和第二无机界面层之间的有机层。2.根据权利要求1所述的涂层,其中,缓冲层覆盖第一无机层,第一无机层的外围区域除外。3.根据权利要求2所述的涂层,其中,第二无机层覆盖缓冲层和第一无机层的外围,以便将缓冲层完全封装在第一和第二无机层之间。4.根据权利要求1所述的涂层,其中,有机层由四甲基二硅氧烷(TMDSO)形成。5.根据权利要求1所述的涂层,其中,有机层由六甲基二硅氧烷(HMDSO)形成。6.根据权利要求1所述的涂层,其中,有机层由等离子体聚合的六甲基二硅氧烷(PP-HMDSO)形成。7.根据权利要求1所述的涂层,其中,第一和第二无机界面层包括SiOx。8.根据权利要求7所述的涂层,其中,有机层包括室温硫化硅树脂(RTV)。9.一种在具有接触层并形成在基材上的OLED结构上形成涂层的方法,包括:在基材上对准第一掩模,并通过第一掩模在OLED结构上和在接触层的至少一部分上形成第一无机层;在基材上对准第二掩模,并通过第二掩模在第一无机层上形成缓冲层;在基材上对准第三掩模,并通过第三掩模在缓冲层上形成第二无机层;其中第二掩模具有比第一掩模小的开口。10.根据权利要求9所述的方法,其中,第三掩模具有与第一掩模相同尺寸的开口。11.根据权利要求9所述的方法,其中,第三掩模具有比第一掩模大的开口。12.根据权利要求9所述的方法,其中,形成缓冲层包括使O2和TMDSO气体流入至等离子体室中。13.根据权利要求12所述的方法,其中,形成缓冲层包括在第一时段将O2与TMDSO气体流量比调整为8或更高以形成第一界面层,在第二时段将O2与TMDSO气体流量比调整为2或更低以形成有机层,以及在第三时段将O2与TMDSO气体流量比调整为8或更高以形成第二界面层。14.根据权利要求9所述的方法,其中,对准第一、第二和第三掩...

【专利技术属性】
技术研发人员:K·S·洛C·L·史蒂文斯十岛正人
申请(专利权)人:奥博泰克LT太阳能公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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