液晶面板的图案的形成方法以及形成有该图案的基板和掩模基板技术

公开了一种顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法，包括由此形成的图案的液晶取向基板以及用于形成图案的掩模基板。通过在顶点双稳态液晶面板的液晶取向膜上形成非对称图案，在施加电压后，即使在零电位下也保持液晶方向，因此该图案的形成方法能够防止或最小化不必要的功耗。

The forming method of the pattern of the liquid crystal panel and the substrate and mask substrate forming the pattern

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶面板的图案的形成方法以及形成有该图案的基板和掩模基板
本说明书要求2017年3月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0028839的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本专利技术涉及一种顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法、包括由此形成的图案的液晶取向基板以及用于形成图案的掩模基板(masksubstrate)，更具体地，涉及一种顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法，该方法能够防止或最小化不必要的功耗，因为通过在顶点双稳态液晶面板或顶点双稳态装置(ZBD)的液晶取向膜上形成非对称图案，在施加电压后，即使在零电位下也保持液晶方向；包括由此形成的图案的液晶取向基板；以及用于形成图案的掩模基板。
技术介绍
通常，当在驱动期间将电压施加到液晶时，液晶不透明地取向，相反地，当没有向液晶施加电压时，液晶透明地取向。然而，当需要长时间保持开启或关闭状态时，例如在天窗或电子书中，会产生不必要的电力损失。相反，在包括具有记忆特性(即使在未施加电压的状态下也能够显示信息)的向列液晶的顶点双稳态液晶面板中，一旦施加电压之后，即使在零电位下也保持液晶方向，并且根据电压的方向确定开/关，从而需要通过使用这种液晶面板来防止或最小化不必要的功耗。[相关技术的引用]韩国专利申请公开No.10-2016-0039655
技术实现思路
技术问题如前所述，在顶点双稳态的液晶面板中，一旦施加电压之后，即使在零电位下也保持液晶方向，所以需要通过使用顶点双稳态液晶面板来防止或最小化不必要的功耗。然而，为了制造如上所述的顶点双稳态液晶面板，需要在液晶取向膜的一个表面或两个表面上以约1μm的周期形成图案，并且在这种情况下，图案需要非对称地形成。为此目的，由于基本上在倾斜形式的样本通常放置在腔室内部的情况下执行通过反应离子蚀刻(RIE)等进行干蚀刻的工艺，所以需要非常大的腔室尺寸，并且样本的离子束位置变化，因此存在难以形成大面积均匀图案的问题。因此，本专利技术的目的是提供一种顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法，该方法能够防止或最小化不必要的功耗，因为通过在顶点双稳态液晶面板的液晶取向膜上均匀地形成非对称图案，在施加电压后，即使在零电位下也保持液晶方向；包括由此形成的图案的液晶取向基板；以及用于形成该图案的掩模基板。技术方案为了实现该目的，本专利技术提供了一种顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法，所述方法包括：(a)在硅基板上沉积硅基化合物；(b)通过使用压印在沉积的硅基化合物层的上部上形成引导图案；(c)通过干蚀刻将图案从所形成的引导图案转印到硅基化合物层上从而不连续地暴露硅基板；(d)通过湿蚀刻在硅基板上形成非对称形式的图案；(e)去除剩余的硅基化合物层，然后对硅基板的图案表面疏水处理(hydrophobicallytreating)；以及(f)通过使经表面处理的硅基板面对玻璃基板并在硅基板和玻璃基板之间提供电介质，将非对称形式的图案转印到玻璃基板上。此外，本专利技术提供一种液晶取向基板，其包括通过形成图案的方法形成的图案，所述液晶取向基板包括：下基板，非对称图案形成在下基板中；上基板，设置在下基板的图案的上部上；以及液晶，设置在上基板和下基板之间。另外，本专利技术提供一种由硅材料形成的掩模基板，在掩模基板上形成有非对称图案，用于形成液晶取向基板图案。有益效果根据本专利技术的顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法、包括由此形成的图案的液晶取向基板以及用于形成图案的掩模基板，因为通过在顶点双稳态液晶面板的液晶取向膜上均匀地形成非对称图案，在施加电压后，即使在零电位下也保持液晶方向，因此可以防止或最小化不必要的功耗。附图说明图1是根据本专利技术的形成用于顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的工艺的示意图；图2是根据本专利技术示例性实施例的通过扫描电子显微镜测量在硅基板上形成的非对称图案的图像；图3是通过扫描电子显微镜观察的图案的图像，用以描述根据本专利技术示例性实施例的形成在硅基板上的非对称图案的凹槽的曲率半径；图4是通过扫描电子显微镜观察的随蚀刻时间的根据本专利技术示例性实施例的形成在硅基板上的非对称图案形状的图像；图5是根据本专利技术示例性实施例的在去除引导图案之后通过扫描电子显微镜观察的硅基板的非对称图案形状的图像；图6是示出根据本专利技术示例性实施例的根据非对称图案的偏角(offangle)而变化的蚀刻形状的视图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述本专利技术。图1是根据本专利技术的形成用于顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的工艺的示意图。当参照图1描述本专利技术时，根据本专利技术的顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法包括：(a)在硅基板上沉积硅基化合物；(b)通过使用压印在沉积的硅基化合物层的上部上形成引导图案；(c)通过干蚀刻将图案从所形成的引导图案转印到硅基化合物层上从而不连续地暴露硅基板；(d)通过湿蚀刻在硅基板上形成非对称形式的图案；(e)去除剩余的硅基化合物层，然后对硅基板的图案表面进行疏水处理；以及(f)通过使经表面处理的硅基板面对玻璃基板并在硅基板和玻璃基板之间提供电介质，将非对称形式的图案转印到玻璃基板上。步骤(a)中的硅基板具有偏角(或偏离角，off-cutangle)，并且意味着可以蚀刻硅基板使得形成的硅基板的图案相对于硅基板的表面不对称。在步骤(a)中，沉积在硅基板上的硅基化合物是可以沉积在硅基板的上部上以通过纳米压印形成引导图案的材料，是指除了硅(Si)之外还包含氮(N)或氧(O)原子的化合物，并且可以例示为SiN、SiN4、Si3N4、Si2N3、SiO、SiO2等。通过使用压印在沉积的硅基化合物层的上部上形成引导图案的步骤(步骤b)和通过干蚀刻将图案从所形成的引导图案转印到硅基化合物层上从而不连续地暴露硅基板的步骤(步骤c)通过典型的纳米压印方法进行，该方法经过诸如涂覆、曝光、固化和转印的工艺，并且将省略其具体描述。如上所述，当在沉积到硅基板上的硅基化合物层上形成图案时，通过湿蚀刻在硅基板上形成非对称形式的图案(步骤d)。如上所述，在包括具有记忆特性(即使在未施加电压的状态下也能够显示信息)的向列液晶的顶点双稳态液晶面板中，一旦施加电压之后，即使在零电位下也保持液晶方向，并且根据电压的方向确定开/关，从而需要通过使用这种液晶面板来防止或最小化不必要的功耗。为了制造如上所述的顶点双稳态液晶面板，由于需要在液晶取向膜的一个表面上以预定间隔形成倾斜形式的图案以便保持液晶方向，需要在硅基板上形成非对称形式的非对称的图案。因此，在本专利技术中，为了在硅基板上形成如上所述的非对称形式的图案，首先，当最初制造硅基板(晶片)时，与相对于硅锭的垂直轴以预定角度倾斜的位置对应的表面可以通过沿与硅锭的垂直轴倾斜预定角度的方向(而不是沿硅锭的垂直轴方向)切割硅基板而被暴露。随后，如上所述，通过湿蚀刻特殊硅基板，在硅基板上形成非对称形式的具有V形的图案。这里，相对于垂直轴倾斜的角度被称为偏角，因此，形成在硅基板上的图案的不对称度可以根据目标偏角而变化。如上所述的在硅基板上形成的图案的偏角大于0°且小于36°，优选为3°至20°。当在硅基板上形成的图案的偏角为0°时，因为形成对称形式的图案，因此不能保持液晶取向，当偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法，所述方法包括：(a)在硅基板上沉积硅基化合物；(b)通过使用压印在沉积的硅基化合物层的上部上形成引导图案；(c)通过干蚀刻将图案从形成的所述引导图案转印到所述硅基化合物层上从而不连续地暴露所述硅基板；(d)通过湿蚀刻在所述硅基板上形成非对称形式的图案；(e)去除剩余的所述硅基化合物层，然后对所述硅基板的图案表面进行疏水处理；以及(f)通过使经表面处理的所述硅基板面对玻璃基板并在所述硅基板和所述玻璃基板之间提供电介质，将非对称形式的图案转印到所述玻璃基板上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.07 KR 10-2017-00288391.一种顶点双稳态液晶面板的液晶取向的图案的形成方法，所述方法包括：(a)在硅基板上沉积硅基化合物；(b)通过使用压印在沉积的硅基化合物层的上部上形成引导图案；(c)通过干蚀刻将图案从形成的所述引导图案转印到所述硅基化合物层上从而不连续地暴露所述硅基板；(d)通过湿蚀刻在所述硅基板上形成非对称形式的图案；(e)去除剩余的所述硅基化合物层，然后对所述硅基板的图案表面进行疏水处理；以及(f)通过使经表面处理的所述硅基板面对玻璃基板并在所述硅基板和所述玻璃基板之间提供电介质，将非对称形式的图案转印到所述玻璃基板上。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅基板上形成的所述图案的偏角大于0°且小于36°。3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅基板上形成的所述图案的间距为0.5μm至3μm。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅基板上形成的所述图案的深度为0.3μm至2.2μm。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅基板上形成的所述图案的凹槽的曲率半径为50nm至1000nm。6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述硅基板上形成的所述非对称图案的形状是非对称的三角形或非对称的正方形。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅基板是用于在玻璃基板上形成图案的掩模基板。8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积到所述硅基板上的所述硅基化合物选自由SiN、SiN4、Si3N4、Si2N3、SiO和SiO2组成的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋素英，李镇洙，许殷奎，辛富建，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR